聚酰亚胺

摘要： 将钛酸钡(BT)粒子与聚酰胺酸溶液共混,亚胺化后得到聚酰亚胺(PI)包覆的BT(PI@BT)粒子。分别以BT粒子和PI@BT粒子为改性填料,通过原位聚合法制备了PI/BT和PI/PI@BT复合薄膜,对比了两种复合薄膜的结构与性能。结果表明:PI@BT粒子具有明显的核壳结构,较BT在PI基体中分散更均匀,从而有效地提高了复合薄膜的介电常数与热稳定性;当填料质量分数为55%,且频率为100 Hz时,PI/PI@BT复合薄膜的介电常数为14.98,较PI/BT复合薄膜提高了26%,约为纯PI薄膜的5倍;PI/PI@BT复合薄膜质量损失10%的温度提升至631.47°C。

摘要： 为进一步提升聚酰亚胺(PI)纤维的耐热性能,以全刚性的二酐和二胺合成了可纺性良好的聚酰胺酸纺丝液,通过干法纺丝方法以及高温热环化和热牵伸处理制备了力学性能优良的PI纤维,对PI纤维的热性能和机械性能进行分析。结果表明:所制备的PI纤维具有优越的热稳定性,二酐和二胺内部结构中的全刚性链结构苯环密度大,使PI纤维的化学结构稳定;在氮气氛围下,PI纤维质量损失5%和最大质量损失温度分别达600和649°C,PI纤维的拉伸强度为2.1 GPa,在温度为300°C分别热老化处理24、48和72 h后,其拉伸强度保持率可分别达到99.8%、87.3%和76.3%;同时,PI纤维具有优异的尺寸稳定性,在50~350°C范围内,其热膨胀系数为-9.1μm/(m·°C)。

摘要： 探讨聚酰亚胺织物的防电弧性能。以3种聚酰亚胺织物为试验材料,在搭建的电弧试验平台上进行不同电流等级下的防电弧性能测试。结果表明:3种聚酰亚胺织物在电弧作用下均不燃烧、不熔融;纯聚酰亚胺织物在10 kA的电弧能量下温升低于Stoll曲线在10 s时达到二级烧伤所需的温度。认为:在搭建的试验平台进行材料的电弧试验具有可行性;聚酰亚胺织物可用于防电弧服。

摘要： 可溶性聚酰亚胺除了具备普通聚酰亚胺优良的耐热性、稳定性、耐腐蚀性、力学性能、介电性能外,分子更容易溶解在众多有机试剂中,更容易加工成型,因此极大地提高了其在化学化工、航空航天、民用电器等众多领域中的应用。主要论述了几种可溶性聚酰亚胺的制备及其应用和发展趋势。

摘要： 聚酰亚胺具有一定的吸水性,这导致其在使用中出现了一系列问题,如薄膜与金属黏合失效、封装破裂、金属腐蚀及介电性能下降等。为解决这一问题,综述了降低聚酰亚胺材料吸水率的主要方法:分子主链引入含氟结构、引入柔性结构、引入含硅结构、填料改性,等等,以提高聚酰亚胺耐热性、耐腐蚀性、力学性等,使其广泛应用于航空航天、微电子、纳米、液晶、分离膜、激光等高科技领域。

摘要： 以不同摩尔比的二胺单体1,3-双(4’-氨基苯氧基)苯(TPE-R)、2,6-二氨基甲苯(2,6-DAT)和二酐单体4,4’-氧双邻苯二甲酸酐(ODPA)为原料进行三元聚合,采用高温熔融缩聚法合成了一系列聚酰亚胺(PI)薄膜。通过红外、紫外光谱仪、差示扫描量热仪、热重分析仪等表征与测试了PI薄膜的微观结构、光学性能、热稳定性及溶解度等。结果表明,合成的模塑粉和薄膜已经亚胺化完全,薄膜的最大透过率均在80%以上,玻璃化转变温度最高接近290°C,800°C时残炭率均在55%以上;合成的所有模塑粉均能完全溶解在常见有机溶剂N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二氯甲烷(DCM)中。

摘要： 通过对不同膜材料的分离系数以及基本特性的比较,选择了耐高温、耐高压、分离系数高的聚酰亚胺作为膜材料。以某型国产聚酰亚胺中空纤维膜组件为研究对象,搭建中空纤维膜分离性能测试试验台,针对分离性能随引气压力、引气温度、飞行高度等因素的变化规律开展了试验研究。研究结果可以为后续聚酰亚胺纤维膜的试验设计、分离特性研究提供参考。

摘要： 采用冰浴法,以二胺单体1,4-苯二甲胺(P-XDA)与二酐单体4,4′-氧双邻苯二甲酸酐(ODPA)、3,3′,4,4′-二苯甲酮四甲酸二酐(BTDA)合成了两种聚酰亚胺(PI)薄膜。在二元聚合的基础上,引入脂环二胺4,4′-二氨基二环己基甲烷(PACM)进行三元聚合得到两种PI薄膜。通过红外光谱、紫外可见光谱、热机械分析、差示扫描量热仪测试(DSC)、热失重测试和力学性能测试对薄膜进行表征分析。结果表明:4种PI薄膜已经亚胺化完全,在800 nm处的紫外透过率均在89%以上,具有良好的热稳定性、热失重初始分解温度(T_(d))均在462°C以上、玻璃化转变温度(T_(g))均高于169°C,具有较好的力学性能和较低的热膨胀系数。

摘要： 采用VUMAT子程序嵌入法,考察了聚酰亚胺高分子材料弹性变形阶段的应力-应变关系,并通过三维热-力耦合有限元模型分析了切削工艺参数对聚酰亚胺铣削过程中切削力、切削温度和切屑形态的影响规律。结果发现:随着进给量的增大,仿真的切削力、切削温度增加或升高,切屑的带状化程度变得严重。随后利用切削实验,验证了仿真模型的有效性与准确性,并获得了聚酰亚胺的最优切削工艺参数:进给量为0.20~0.30 mm/r。

摘要： 航天器在空间环境中的运行稳定性与聚酰亚胺(PI)等航天介质材料绝缘性能息息相关,而其介质内部载流子陷阱是影响绝缘性能的重要因素之一,因此,探究陷阱分布对介质电气性能的影响对保障航天器介质安全使用具有重要意义。该文制备不同掺杂量(质量分数0.5%、1%、3%)的纳米PI/ZnO复合薄膜并进行介电性能测试,通过热刺激电流法和表面电位衰减法分别测量薄膜体陷阱和表面陷阱能级分布并计算其载流子迁移率,测量体积电阻率和击穿场强。该文基于多核模型对纳米ZnO的引入使聚合物的介电性能发生改变的现象进行解释;从陷阱能级的角度分析深、浅陷阱对极化离子的影响机制,讨论陷阱整体的分布对介电常数变化的影响。这些分析和研究为调控材料的绝缘性能、提高航天器的安全性提供了新的思路和方法。

摘要： 柔性显示已逐渐成为一类重要的主流显示技术,在智能终端如手机、电视、可穿戴设备、车载显示等领域中具有广泛应用.柔性基板作为柔性显示器件的重要组成部分,是实现显示终端由刚性向弯曲、折叠和卷曲等柔性显示形态转变的关键材料.聚酰亚胺材料(Pl)由于其具有优良的耐热性、尺寸稳定性、机械性能等诸多性能,是制备柔性显示基板的理想材料.本文使用合有刚性结构的单体制备聚酰亚胺浆料,通过研究单体组成、纯化方法以及成膜工艺条件等因素对材料性能的影响,制备适用于柔性AMOLED显示基板用聚酰亚胺材料.

摘要： 将金属无机盐掺杂的聚酰亚胺电极作为传感器的工作电极,在水相溶液中检测过氧化氢.考察铁离子、铬离子、钴离子以及镍离子对电极性能的影响.其中铁离子掺杂聚酰亚胺对过氧化氢检测具有最明显的效果,所制备传感器的线性范围分别为1.0×10-5mol·L-1～1.0×10-2mol·L-1,检测限分别为8.6×10-6mol·L-1(S/N=3).该传感器具有灵敏度好、响应速度快、重复使用性好以及使用寿命长等优点.本研究对聚酰亚胺在传感器方面的应用具有一定的理论基础及实际应用意义.

摘要： 采用溶胶-凝胶法制备了聚酰亚胺-二氧化硅杂化膜.通过红外光谱、紫外-可见光谱、扫描电镜等对杂化膜进行了表征,探讨了杂化膜中二氧化硅含量对杂化膜的热性能、吸湿性能和力学性能的影响.结果表明,纳米二氧化硅粒子均匀分散在聚酰亚胺基体中,二氧化硅的掺入及与有机基体的杂化提高了材料的热分解温度,降低了材料的吸湿性能,改善了材料的力学性能.当二氧化硅含量为7％时,杂化膜的弹性模量和断裂强度达到最大值,分别为纯聚酰亚胺的3.42倍和3.26倍.

摘要： 5G移动通信采用高频信号传输,柔性印制电路中高频信号的传输速率和传输质量与绝缘介质材料的介电常数、介电损耗密切相关.传统以聚酰亚胺薄膜为绝缘介质的柔性覆铜板(FCCL)面临新的技术挑战.低介电常数、低介电损耗的介质材料成为高频FCCL结构设计的重要研究内容.本文制备并表征了几类不同结构聚酰亚胺薄膜在高频(10G Hz)条件下的介电性能,分析了聚酰亚胺分子结构与介电性能的构效关系.并研究了提高低介电损耗聚酰亚胺薄膜对铜箔粘接强度的方法.

摘要： 随着科技的发展,对材料的新性能的要求也越来越迫切.对于绝缘材料而言,在电子领域的使用要求材料具有较好的导热性能.本文综述了以氮化硼为导热填料,聚酰亚胺为基底制备导热绝缘复合材料的研究进展.研究发现填料尺寸、填料处理和复合填料对聚酰亚胺/氮化硼复合材料性能有较大影响.

摘要： 介绍了聚酰亚胺在锂电池隔膜中应用的研究进展,应用方式包括聚酰亚胺复合膜及聚酰亚胺单层膜,详细阐述了聚酰亚胺多孔膜的制备方法和各种成孔方法的特点,包括静电纺丝法、模板法、相转化法等，最后对聚酰亚胺隔膜的发展方向做出展望.

摘要： "泛在屏"时代如期而至!其中,"柔性显示"因展示形态多样性、设计空间灵动性等被广泛需求.区别于传统刚性显示屏,柔性显示屏对其衬底材料提出了全新要求.本文将系统介绍目前柔性衬底研究进展,重点关注已经被证明量产可行的材料:聚酰亚胺.

摘要： 综述了第五代(5G)移动通讯技术用低介电高分子材料的最新研究与应用进展.从5G高频信号传输对高分子材料的性能需求、低介电常数(low-Dk)与低介电损耗(low-Df)高分子材料的结构设计以及低介电高分子材料在5G高频通讯中的研究与应用进展等角度进行了阐述.重点综述了低介电聚酰亚胺(PI)与液晶聚合物(LCP)两类材料的发展状况.最后对低介电高分子材料的未来发展趋势进行了展望.

摘要： 介绍滤料失效原因、常用失效滤料处理方法,分析了滤料特点和回收难点,综述了失效滤料聚酰亚胺的水解回收、制备活性炭、水泥混合料的回收利用技术发展.

摘要： 采用硅烷偶联剂Z6020对六方氮化硼(h-BN)进行改性,通过原位聚合法制备聚酰亚胺/改性氮化硼(PI/f-BN)复合薄膜.利用红外光谱仪,自制调频耐电晕装置和宽频介电谱测试仪对复合薄膜进行了测试,采用光学显微镜对薄膜耐电晕老化后的击穿孔形貌进行了表征.结果表明:在棒板空气间隙为1mm,脉冲电场强度为50kV/mm,占空比为50％,频率为20kHz的测试条件下,随着f-BN含量的提高,薄膜的耐电晕寿命先增加后减小.当f-BN含量为15％时,复合薄膜的介电常数最大,耐电晕寿命最长.

摘要： 一种四羧酸二酐，其是由下述通式(1)：[式(1)中，R1、R2、R3分别独立地表示氢原子等，n表示0～12的整数。]表示的化合物的立体异构体的混合物，其中，由特定的通式表示的异构体(A)的含量相对于所述立体异构体的总量为40摩尔％～98摩尔％，由特定的通式表示的异构体(B)的含量相对于所述立体异构体的总量为2摩尔％～60摩尔％，并且所述异构体(A)及(B)的合计量相对于所述立体异构体的总量为42摩尔％以上。

摘要： 本发明公开了一种用于制备聚酰亚胺膜的聚酰亚胺前体，所述聚酰亚胺膜对粘合剂和/或金属层具有优异的粘合性，同时具有进一步提高的耐热性；一种使用所述聚酰亚胺前体的聚酰亚胺；和一种使用所述聚酰亚胺的聚酰亚胺膜。所述聚酰亚胺前体含有由通式(AI)表示的结构单元并含有由通式(AB1)表示的三嗪部分结构作为通式(AI)中的基团B。(在通式(AI)中，A代表四价芳香族或脂肪族基团；B代表二价芳香族基团；R

摘要： 本发明涉及聚酰亚胺前体和聚酰亚胺，其中，来自四羧酸成分的结构包含至少一种为下述化学式(A‑1)～(A‑4)中的任一者所示的结构的重复单元。(式中，R1、R2、R3各自独立地为‑CH2‑、‑CH2CH2‑、或‑CH＝CH‑。)(式中，R4为‑CH2‑、‑CH2CH2‑、或‑CH＝CH‑。)(式中，R5、R6各自独立地为‑CH2‑、‑CH2CH2‑、或‑CH＝CH‑。)(式中，R7为‑CH2CH2‑、或‑CH＝CH‑。)。

摘要： 本发明涉及一种聚酰亚胺前体组合物，其特征在于，含有聚酰亚胺前体和咪唑系化合物，咪唑系化合物的含量相对于聚酰亚胺前体的重复单元1摩尔少于4摩尔。

摘要： 本发明涉及一种聚酰亚胺前体组合物，其特征在于，包含聚酰亚胺前体和含有磷原子、1个大气压下的沸点低于分解温度且为350°C以下的磷化合物。

摘要： 本发明公开了一种用于制备聚酰亚胺膜的聚酰亚胺前体，所述聚酰亚胺膜对粘合剂和/或金属层具有优异的粘合性，同时具有进一步提高的耐热性；一种使用所述聚酰亚胺前体的聚酰亚胺；和一种使用所述聚酰亚胺的聚酰亚胺膜。所述聚酰亚胺前体含有由通式(AI)表示的结构单元并含有由通式(AB1)表示的三嗪部分结构作为通式(AI)中的基团B。在通式(AI)中，A代表四价芳香族或脂肪族基团；B代表二价芳香族基团；R

摘要： 本发明为一种聚酰亚胺树脂，其具有：源自四羧酸二酐的结构单元A和源自二胺的结构单元B，结构单元A包含：选自由源自下述式(a1)所示的化合物的结构单元(A1)、和源自下述式(a2)所示的化合物的结构单元(A2)组成的组中的至少1种结构单元，结构单元B包含：选自由源自下述式(b11)所示的化合物的结构单元、源自下述式(b12)所示的化合物的结构单元、和源自下述式(b13)所示的化合物的结构单元组成的组中的至少1种结构单元(B1)；和，选自由源自下述通式(b21)所示的化合物的结构单元、和源自下述通式(b22)所示的化合物的结构单元组成的组中的至少1种结构单元(B2)，结构单元(B1)与结构单元(B2)的摩尔比[(B1)/(B2)]为45/55～75/25。本发明提供：能形成透明性和光学各向同性优异、延展性也优异的薄膜的聚酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂组合物、以及聚酰亚胺清漆和聚酰亚胺薄膜。(式中，R

摘要： 本发明提供聚酰亚胺粉体、聚酰亚胺清漆、聚酰亚胺膜和聚酰亚胺多孔膜。具有来自至少一种芳香族二胺化合物的结构单元和来自两种以上四羧酸的结构单元的聚酰亚胺粉体，在N,N‑二甲基乙酰胺中可溶解5重量％以上，酰亚胺化率为90％以上，其中，来自2,2’‑双(三氟甲基)‑4,4’‑二氨基联苯的结构单元占来自至少一种芳香族二胺化合物的全部结构单元的50摩尔％以上，来自4,4’‑(1,1,1,3,3,3‑六氟丙烷‑2,2‑二基)双邻苯二甲酸酐的结构单元占来自两种以上四羧酸的全部结构单元的30～70摩尔％，来自3,3’,4,4’‑联苯四羧酸二酐的结构单元占来自两种以上的四羧酸的全部结构单元的30～60摩尔％。

摘要： 本发明涉及一种聚酰亚胺前体组合物，其特征在于，含有聚酰亚胺前体和咪唑系化合物，咪唑系化合物的含量相对于聚酰亚胺前体的重复单元1摩尔少于4摩尔。

摘要： 本发明涉及聚酰亚胺前体和聚酰亚胺，其中，来自四羧酸成分的结构包含至少一种为下述化学式(A‑1)～(A‑4)中的任一者所示的结构的重复单元。