氮化硼

摘要： 实验将MXene/PVDF(聚偏氟乙烯)(A)作为介电增强相,将BN(氮化硼)/PVDF(B)作为击穿增强相,交替涂膜制成三明治(ABA型)结构PVDF复合电介质材料.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)对复合电介质薄膜的结构、形貌以及填料的分散状态进行了表征,并着重研究了材料的介电性能及储能特性.结果表明:三明治结构电介质材料能协调介电与击穿之间的矛盾,起到协同增强电介质材料储能密度的效果.其中,A2.5B2A2.5型PVDF复合电介质材料的介电常数达25.1(100Hz下),是纯PVDF的2.5倍,介电损耗仍保持较低水平(tanδ=0.03);此外,与MXene/PVDF2.5wt％ 单层膜相比,其击穿强度提升了2倍(110.28MV·m-1),储能密度提高了201％(1.35J·cm-3).

摘要： 自石墨烯问世以来,各种新型二维材料也被陆续发现和研究,它们独特的二维平面结构、巨大的比表面积区别于其他的体相材料,使该类材料表现出各种独特优良的性能,并被应用于电子工业、医疗、环境、航空航天、日常生活等领域。本文阐述了石墨烯、氮化硼、MXenes二维材料的制备工艺、特点及一些二维材料的应用,并展望了二维材料的未来前景。

摘要： 为了提高填料分散性以改善聚合物基复合介电材料的性能,进而扩展其在电子电气领域的应用,采用乳液聚合法在钛酸钡(BT)粒子表面包覆聚苯胺(PANI),制得PANI@BT粒子,然后与氮化硼(hBN)共混得到多维杂化填料PANI@BT-hBN,将PANI@BT和PANI@BT-hBN分别与聚偏氟乙烯(PVDF)溶液共混获得复合材料,对比研究两种填料的结构形貌、在PVDF中的分散性以及复合材料的力学性能、介电性能和击穿场强。结果表明,PANI@BT粒子具有核壳结构,hBN的引入能够明显改善PANI@BT在聚合物基体内的分散性。随着填料含量的增加,复合材料的介电常数增大,当填料质量分数为50%时,PVDF/PANI@BT-hBN的介电常数在100 Hz时达到169,较PVDF/PANI@BT复合材料提高了103.6%。当填料质量分数为10%时,PVDF/PANI@BT-hBN复合材料的击穿场强达到最大值145.2 kV/mm,比PVDF/PANI@BT复合材料提高66.9%。PVDF/PANI@BT-hBN复合材料的拉伸强度和断裂伸长率随填料含量的增加而先增大后减小,且相较于PVDF/PANI@BT复合材料均有所提高。

摘要： 六方氮化硼纳米片(BNNSs)具有极大的比表面积与优异的物理机械性能,是一种理想的纳米填料。但由于BNNSs极易团聚,难以均匀地分散在高分子基体中,大大限制了其应用。共价功能化是目前解决团聚问题的主要方法,然而由于BNNSs表面化学惰性,使得对其进行共价功能化很困难。设计了一种通过非破坏性还原反应实现BNNSs共价功能化的新途径,首先通过萘钠还原体系使得BNNSs表面活化带负电随后与卤代烷烃反应,制备出了接枝率高、结构完整的共价功能化六方氮化硼纳米片(g-BNNSs)。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、热失重分析(TGA)和X射线光电子能谱(XPS)结果证实,烷基链成功地接枝到BNNSs上。TGA、透射电镜(TEM)分别对g-BNNSs的接枝率和结构完整性进行了表征。扫描电镜(SEM)观察到g-BNNSs在低密度聚乙烯(LDPE)中的分散性和相容性极佳。静态力学拉伸测试表明g-BNNSs在质量分数1.0%的低填充量下,LDPE的屈服强度、杨氏模量、断裂强度分别提高了149%,167%和119%。

摘要： 立方氮化硼作为一种性能优越的超硬材料,在现代加工制造领域发挥着重要作用。我国在立方氮化硼生产、应用推广及立方氮化硼出口方面不断取得进步,已经成为立方氮化硼生产强国。从诞生、发展、科研创新历程及产业集群等方面分析评述了我国立方氮化硼产业发展情况,并对其发展前景进行了展望,提出了建议。

摘要： 采用两步法将片状氮化硼(BN)和两种尺寸的球形氧化铝(纳米级Al_(2)O_(3):Nano-Al_(2)O_(3);微米级Al_(2)O_(3):Micro-Al_(2)O_(3))引入到尼龙6/聚丙烯(PA6/PP)合金中制备高导热的BN/Nano-Al_(2)O_(3)/Micro-Al_(2)O_(3)/PA6/PP复合材料。借助加工过程中的剪切力以及PP相的体积排斥作用,发现BN片和Al_(2)O_(3)球在PA6相中均匀地分散、取向和连接,小尺寸的Nano-Al_(2)O_(3)插入BN片间的缝隙中,而大尺寸的Micro-Al_(2)O_(3)嵌入并改变BN片的取向,二者共同辅助BN形成了三维导热网络,并减少了各向异性。与质量分数为25%的BN复配,当Nano-Al_(2)O_(3)和Micro-Al_(2)O_(3)质量分数分别为7.5%(即Nano-Al_(2)O_(3)-7.5和Micro-Al_(2)O_(3)-7.5)时,BN/Nano-Al_(2)O_(3)-7.5/Micro-Al_(2)O_(3)-7.5/PA6/PP复合材料的热导率达到最大,面内热导率为1.46 W/(m·K),面外热导率为1.39 W/(m·K)。在LED灯散热实验中,复合材料能使LED工作温度显著降低,说明其具有很好的应用性。

摘要： 综述了当下以氮化硼(BN)为主要填料的高导热聚合物复合材料,所面临的BN填料在基体中的团聚现象以及BN颗粒与基体之间较高的界面热阻等问题。为解决上述问题,主要通过改性氮化硼表面使其功能化、杂化填充粒子和构建三维氮化硼互连导热网络等三个较为常见的方式,实现较低BN填充量下复合材料的高导热率。

摘要： 层状堆叠材料,如石墨烯、氮化硼等,具有优秀的热稳定性、出色的导电性、巨大的比表面积等优点,在催化等多个领域表现出良好的应用前景,备受关注。作为层状堆叠材料的典型代表之一,氮化硼的结构对其性能影响显著,尤其是比表面积的大小。目前,文献中报道的氮化硼常具有较小的比表面积,这在很大程度上限制其进一步应用。本文全面介绍氮化硼的制备方法,尤其是具有高比表面积的氮化硼,同时对氮化硼在催化中的应用进行讨论,以期加深对氮化硼的认识,并为持续拓展其深入应用提供导引。

摘要： 化学气相沉积法生长的单层石墨烯具有卓越的力学、热学和电学特性,成为新一代纳米器件的首选材料。对石墨烯电子特性的理论研究有利于推动纳米器件的发展与应用。本文基于密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的方法,系统地研究了石墨烯及石墨烯/氮化硼的电子结构特性。结果表明,在高对称K点,带隙为零。在50~400 K范围内,由于费米面的电声子散射作用,单层石墨烯的迁移率随着温度增加呈现显著下降趋势。此外,通过对不同层间距的石墨烯/氮化硼结构的能带、态密度、电子密度等特性分析,发现随着层间距增加,能带间隙减小,导带与价带间的能量差减小。随着原子个数的增加,石墨烯/氮化硼超胞结构与原胞结构的带隙开度变化规律一致,这对石墨烯基器件的结构设计具有一定的指导意义。

摘要： 采用聚磷酸铵(APP)对氮化硼进行表面改性,并进一步制备出聚磷酸铵改性氮化硼(BN@APP)/水性聚氨酯(WPU)复合材料。结果表明,当BN@APP的添加量为0.75%时,BN@APP/WPU复合材料的拉伸强度是未改性WPU拉伸强度的2.2倍,这是因为BN@APP具有较大的比表面积以及与基体产生较强的相互作用。随着BN@APP添加量的增大,BN@APP/WPU复合材料的热释放速率峰值和火焰蔓延指数逐渐降低,表明材料的火灾安全性能不断提升。当BN@APP的用量为1%时,BN@APP/WPU复合材料的热释放速率峰值和热释放总量分别比未改性WPU下降24.5%和6.9%,表明BN@APP具有较高的阻燃效率。BN@APP能够显著提升聚氨酯基体的成炭性能,在燃烧过程中的聚氨酯表面形成有效的阻隔层,抑制材料的热降解以及可燃性热解产物的逸出,从而使阻燃性能提升。

摘要： 随着科技的发展,对材料的新性能的要求也越来越迫切.对于绝缘材料而言,在电子领域的使用要求材料具有较好的导热性能.本文综述了以氮化硼为导热填料,聚酰亚胺为基底制备导热绝缘复合材料的研究进展.研究发现填料尺寸、填料处理和复合填料对聚酰亚胺/氮化硼复合材料性能有较大影响.

摘要： 采用十八烷基三甲基溴化铵(OTAB)阳离子表面活性剂对氮化硼(BN)微米片进行有机化改性,研究了表面改性对BN/环氧树脂复合材料导热性能的影响.当OTAB浓度为0.6g·L-1时,改性BN表面的OTAB吸附量达到饱和.表面改提高了环氧树脂对BN的浸润性,降低了BN的导热系数.SEM观察及黏度测试结果表明:表面改性改善了复合材料的界面性能及体系相容性.表面改性提高了复合材料的导热性能,但其影响程度随填充量变化.在低填充量(填料体积分数0～11.7％)时,填料成"孤岛"状分布在基体中,相互间基本无接触,由于界面热阻的降低,改性BN填充复合材料的导热系数随填充量增加的速度大于未改性BN;而在高填充量(填料体积分数13.7％～20.9％)时,填料之间开始发生接触,由于表面吸附的OTAB阻碍了BN微米片之间的热传递,使改性BN填充复合材料的导热系数随填充量增加的速度小于未改性BN.

摘要： 本文通过对国内外六方氮化硼生产工艺的介绍与分析,结合国内外六方氮化硼的应用及市场情况,对我国氮化硼今后的发展趋势进行了预测,并提出了展望.

摘要： 采用高温共聚焦显微镜原位观察了铸坯在1000°C、950°C和900°C保温时氮化硼(BN)的析出行为,结果表明:1000°C保温时不析出BN,950°C和900°C保温时都有BN析出,且保温温度越低BN的析出数量越大、尺寸越小;BN容易沿着大角度晶界、奥氏体晶界和围绕MnS析出物或其它夹杂物周围析出.根据原位观察结果,本文提出了减少BN析出以改善铸坯角部裂纹的建议:采用二冷缓冷提高矫直温度,同时提高钢液洁净度、降低钢中S含量以减少BN围绕MnS等夹杂物的析出.

摘要： 对氮化硼表面依次进行活化、偶联剂接枝的表面处理,并采用双行星真空搅拌机制备了BN/SiR复合材料.研究了不同处理工艺对BN表面官能团、接枝量的影响,BN改性对界面相容性、导热系数以及热稳定性的影响,同时研究了BN表面偶联剂接枝量对复合材料导热性能的影响,结果表明,随BN用量增加、改性工艺、表面接枝量都会对导热系数有很大影响,当质量填充份数为150份时,BN/SiR复合材料、BN(CA1)/SiR复合材料、BN(KH570-2)/SiR复合材料导热系数分别为0.787W/(m·K)、1.036W/(m·K)、0.933W/(m·K),为纯硅胶材料的6.78倍、8.93倍、8.04倍.

摘要： 采用粉末压片法制样,用已知样自制标样绘制工作曲线,开发了用X射线荧光光谱法测定聚四氟乙烯中的氮化硼含量的方法,该方法直接测定聚四氟乙烯喷口材料中的氮化硼,无需处理样品,测试结果与配比相符,回收率在98％～102％范围,标准偏差小于1.0％.

摘要： 氮化硼(BN)粒子具有独特的层状结构、极高的面内热导率,以及耐高温热氧化、高绝缘电阻等综合性能,是制备高导热高绝缘聚合物的一类重要无机填料.本文讨论了近年来微、纳米BN粒子填充的导热聚合物的研究进展,从改善聚合物热导率角度重点探讨了不同成型加工方式及表面改性对聚合物导热、绝缘性能的影响.氮化硼纳米管及纳米片是同时改善聚合物热导率、绝缘电阻及击穿性能的最有前景的高性能导热粒子,为解决目前导热聚合物所面临的高导热与高电击穿强度之间的矛盾提供了最佳解决方案.纳米BN/聚合物是高绝缘导热复合材料未来重点发展方向.

摘要： 研究了导热填料种类、用量、及其复配在高导热加成型有机硅灌封胶中的应用.结果表明,使用表面改性α-Al2O3,受制于其填充量,不适合制备导热能力大于1.1W/(m·K)的有机硅灌封胶;其与表面处理过的氮化硼(BN)配合使用,可大大提高灌封硅胶的导热能力,但对其流动性有一定影响;球形氧化铝可有效提高填充量,大小粒径配合使用效果更佳,制备了导热2.08W/(m·K),具有良好工艺性能的灌封硅胶.

摘要： 本文针对环氧树脂基体导热性能差的问题,以粉体填充的方式将h-BN粉末添加到环氧树脂基体中,通过调节h-BN粉末的含量,制备出一系列具有较高热导率的EP/h-BN复合材料.系统分析了h-BN含量对复合材料的表面形貌、导热性能、介电性能和力学性能的影响.结果表明:随着BN含量的增加,复合材料断面形貌越来越粗糙.当h-BN添加体积含量为38％时,复合材料的导热系数从0.25W/(m·k)上升到0.63W/(m·k),其导热系数提高了155％,介电常数也会增加,但上升的范围非常小,弯曲强度则有不同程度的下降.

摘要： 本文在5.6GPa、1500°C条件下自蔓延烧结Al-Ti-cBN体系PcBN材料,通过SEM、XRD、Raman和TEM分析了烧结样品的晶界键合机理.结果表明:在高压作用下cBN晶粒发生了塑性变形,形成位错缠积,cBN颗粒接触处能量较高的畸变区发生再结晶和晶粒长大,形成再结晶cBN与原始cBN晶粒的结合;cBN在高温下发生逆转化形成hBN并溶于AlN熔体中,而后cBN晶核从A1N的过饱和溶液中析出并形成新的cBN晶粒,出现纳米级cBN之间的自身结合.

摘要： 本发明涉及立方氮化硼、制造立方氮化硼的方法、含有立方氮化硼的砂轮、和烧结立方氮化硼压制体。具体地说，本发明涉及一种制造立方氮化硼的方法，其中在存在催化剂物质的情况下，将六方氮化硼置于立方氮化硼保持热力学稳定的条件下，由此使六方氮化硼进行相变以形成立方氮化硼，其中所述催化剂物质含有锂源、镁源和碳源。即使从六方氮化硼转变成立方氮化硼的相变率提高，也能改进立方氮化硼的性能。

摘要： 所述立方氮化硼烧结体的制造方法包括：通过将有机物附着至立方氮化硼原料粉末上，从而制备有机立方氮化硼粉末的步骤；混合有机立方氮化硼粉末和包含WC、Co和Al的结合剂原料粉末，从而制备粉末混合物的步骤，该粉末混合物由大于等于85体积％且小于100体积％的有机立方氮化硼粉末和余量的结合剂原料粉末形成；以及烧结粉末混合物以获得立方氮化硼烧结体的步骤。

摘要： 一种立方氮化硼烧结体，包含大于等于85体积％且小于100体积％的立方氮化硼颗粒；并且余量为结合剂。结合剂包含WC、Co和Al化合物，并且当使用TEM‑EDX以分析包括立方氮化硼颗粒彼此相邻的界面的界面区域时，在部分或全部的界面上存在氧，并且存在氧的区域的宽度D为0.1nm至10nm。

摘要： 本发明的课题在于提供一种氮化硼凝集颗粒，其作为功率半导体器件的散热片的导热性填料是合适的，该氮化硼凝集颗粒的导热的各向同性、耐崩解性、与树脂的混炼性优异。该氮化硼凝集颗粒(下文中称为“BN凝集颗粒”)是氮化硼一次颗粒(下文中称为“BN一次颗粒”)凝集而成的，其特征在于，对利用10mmΦ的粉末压片成型机以0.85ton/cm2的成型压力进行成型而得到的压片状试样进行粉末X射线衍射测定，所得到的BN一次颗粒的(100)面与(004)面的峰面积强度比((100)/(004))为0.25以上，并且，按照表面平滑的方式将该BN凝集颗粒填充至深度0.2mm的载玻片并进行粉末X射线衍射测定，所得到的由BN一次颗粒的(002)面峰求出的BN一次颗粒的平均微晶直径为以上，通过该BN凝集颗粒可解决本发明的课题。

摘要： 一种立方氮化硼烧结体工具，具备：工具母材、设置于工具母材表面上的接合层、以及经由接合层而接合于工具母材的立方氮化硼烧结体。立方氮化硼烧结体具有与接合层接合的接合面，该接合面中的至少一个面上存在有包含选自由六方氮化硼、硼、氧化硼以及氮氧化硼所组成的组中的至少一种的改性部。改性部具有0.1μm以上50.0μm以下的厚度。

摘要： 本发明涉及立方氮化硼、制造立方氮化硼的方法、含有立方氮化硼的砂轮、和烧结立方氮化硼压制体。具体地说，本发明涉及一种制造立方氮化硼的方法，其中在存在催化剂物质的情况下，将六方氮化硼置于立方氮化硼保持热力学稳定的条件下，由此使六方氮化硼进行相变以形成立方氮化硼，其中所述催化剂物质含有锂源、镁源和碳源。即使从六方氮化硼转变成立方氮化硼的相变率提高，也能改进立方氮化硼的性能。

摘要： 一种制造立方氮化硼的方法，其中在存在催化剂物质的情况下，将六方氮化硼置于立方氮化硼保持热力学稳定的条件下，由此使六方氮化硼进行相变以形成立方氮化硼，其中所述催化剂物质含有锂源、镁源和碳源。即使从六方氮化硼转变成立方氮化硼的相变率提高，也能改进立方氮化硼的性能。

摘要： 本公开文本的一个方面提供块状氮化硼粒子，其是六方晶氮化硼的一次粒子聚集而成的，其中，截面中的上述一次粒子的面积比例的平均值为45％以上，截面中的上述一次粒子的面积比例的标准偏差小于25，抗碎强度为8.0MPa以上。

摘要： 所述立方氮化硼烧结体的制造方法包括：通过将有机物附着至立方氮化硼原料粉末上，从而制备有机立方氮化硼粉末的步骤；混合有机立方氮化硼粉末和包含WC、Co和Al的结合剂原料粉末，从而制备粉末混合物的步骤，该粉末混合物由大于等于85体积％且小于100体积％的有机立方氮化硼粉末和余量的结合剂原料粉末形成；以及烧结粉末混合物以获得立方氮化硼烧结体的步骤。

摘要： 一种立方氮化硼烧结体，包含大于等于85体积％且小于100体积％的立方氮化硼颗粒；并且余量为结合剂。结合剂包含WC、Co和Al化合物，并且当使用TEM‑EDX以分析包括立方氮化硼颗粒彼此相邻的界面的界面区域时，在部分或全部的界面上存在氧，并且存在氧的区域的宽度D为0.1nm至10nm。