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金刚石

金刚石的相关文献在1979年到2023年内共计28667篇,主要集中在化学工业、金属学与金属工艺、无线电电子学、电信技术 等领域,其中期刊论文5096篇、会议论文486篇、专利文献27714篇;相关期刊1270种,包括超硬材料工程、金刚石与磨料磨具工程、磨料磨具通讯等; 相关会议225种,包括第八届中国金刚石相关材料及应用学术研讨会、2009中国超硬材料行业技术发展论坛、庆祝中国人造金刚石诞生45周年大会暨第五届郑州国际超硬材料及制品研讨会等;金刚石的相关文献由25066位作者贡献,包括李成明、方海江、唐永炳等。

金刚石—发文量

期刊论文>

论文:5096 占比:15.31%

会议论文>

论文:486 占比:1.46%

专利文献>

论文:27714 占比:83.24%

总计:33296篇

金刚石—发文趋势图

金刚石

-研究学者

  • 李成明
  • 方海江
  • 唐永炳
  • 徐西鹏
  • 魏俊俊
  • 刘金龙
  • 陈良贤
  • 龚闯
  • 朱嘉琦
  • 陈超
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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    • 张向红; 王艳辉; 臧建兵; 张金辉
    • 摘要: 采用真空微蒸发镀覆工艺制备不同镀层厚度的镀铬金刚石,对铬镀层的物相组成和镀层厚度进行分析和表征。结果表明:改变镀覆温度和保温时间,可控制镀铬金刚石的镀层厚度。镀层的物相组成可通过镀覆质量增加来控制:质量增加10%的铬镀金刚石,其镀层只出现Cr_(3)C_(2)相;质量增加为20%时,有少量Cr_(7)C_(3)出现。从金刚石基体到铬镀层,镀层结构由低Cr比例的碳化物向高Cr比例的碳化物逐渐过渡,即为Cr_(3)C_(2)/Cr_(7)C_(3);在金刚石尺寸确定的情况下,使用理论分析镀层厚度与镀覆质量增加的关系,如质量增加10%和65%的金刚石对应的铬镀层厚度分别为0.77μm和4.76μm,此结果与试验观察相吻合。
    • 邢雨菲; 任泽阳; 张金风; 苏凯; 丁森川; 何琦; 张进成; 张春福; 郝跃
    • 摘要: 超宽禁带半导体金刚石材料在高温、高压电路中具有重要的应用潜力.本研究采用微波等离子体化学气相沉积生长的单晶金刚石衬底制备了原子层沉积(atomic layer deposition, ALD)的Al_(2)O_(3)栅介质的氢终端金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)器件,并与负载电阻互连,成功制备了金刚石反相器. 4μm栅长的氢终端金刚石器件实现了最大113.4 m A/mm的输出饱和漏电流,器件开关比高达109,并在不同负载电阻条件下均成功测得金刚石反相器的电压反转特性,反相器的最大增益为10.
    • 王光祖; 张相法; 位星
    • 摘要: 立方氮化硼作为一种性能优越的超硬材料,在现代加工制造领域发挥着重要作用。我国在立方氮化硼生产、应用推广及立方氮化硼出口方面不断取得进步,已经成为立方氮化硼生产强国。从诞生、发展、科研创新历程及产业集群等方面分析评述了我国立方氮化硼产业发展情况,并对其发展前景进行了展望,提出了建议。
    • 牛杰; 何文雪; 邹鑫
    • 摘要: 以采用微波等离子CVD法合成金刚石现场设备的数据采集和通信为研究内容,设计基于Modbus/TCP协议与RS-485通信协议的数据采集与通信系统。系统以西门子S7-1200PLC为控制内核,微波发生器GMP G4以及质量流量计FCST1000作为硬件核心。通过分析Modbus/TCP协议的报文结构以及RS-485通信协议的数据传输帧格式,在西门子TIA portal软件中进行程序设计,实现PLC对微波电源以及质量流量计的数据采集与通信。经现场运行表明,该系统稳定可靠,能够满足设计要求。
    • 徐雪霞; 张哲; 王同贺; 赵岩; 丁海民
    • 摘要: 增强相与铜基体润湿性差导致机械性能低,成为限制铜基复合材料应用的技术瓶颈。为了解决上述问题,本文提出了一种金刚石增强铜基复合材料的制备策略。首先,利用钛和金刚石(D)反应将金刚石引入Cu熔体中,成功制备出Cu-Ti-Si-D复合材料,对其进行了微观结构分析,并探究了复合材料的性能,发现由于Si的存在,严重影响了复合材料的导电率。为了减轻Si的影响,在Cu-Ti-Si-D的基础上制备了Cu-Ni-Ti-Si-D复合材料。研究发现,Ni可以同时和Si以及Ti_(5)Si_(3)反应生成Ni-Ti-Si相,在金刚石@TiC核壳颗粒及Ni-Ti-Si相协同作用下,提高了复合材料的硬度和导电率。
    • 冯家驹; 范亚明; 房丹; 邓旭光; 于国浩; 魏志鹏; 张宝顺
    • 摘要: 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人员的广泛关注并有望应用于电力电子系统中,但其高功率密度和高频特性给封装技术带来极大挑战。传统硅基电力电子器件封装中寄生电感参数较大,会引起开关振荡等问题,使GaN的优良性能难以充分发挥;另外,封装的热管理能力决定了功率器件的可靠性,若不能很好地解决器件的自热效应,会导致其性能降低,甚至芯片烧毁。本文在阐释传统封装技术应用于氮化镓功率电子器件时产生的开关震荡和热管理问题基础上,详细综述了针对以上问题进行的GaN封装技术研究进展,包括通过优化控制电路、减小电感L_(g)、提高电阻R_(g)抑制dv/dt、在栅电极上加入铁氧体磁环、优化PCB布局、提高磁通抵消量等方法解决寄生电感导致的开关振荡、高导热材料金刚石在器件热管理中的应用、器件封装结构改进,以及其他散热技术等。
    • 龙伟民; 秦建; 路全彬; 刘大双; 吴爱萍
    • 摘要: 金刚石感应钎涂过程对钢基体组织和性能有较大影响,钎涂后热处理是提高基体性能的重要手段,但对涂层也有较大影响。采用高温金相显微镜、SEM、XRD、硬度试验等分析测试手段,研究了钎涂后热处理工艺对感应钎涂镍基合金组织演变及硬度的影响规律。结果表明,钎涂后的NiCrSiB钎涂层组织主要由Ni固溶体、CrB、Ni_(3)Si、Ni_(3)B和Ni-Ni_(3)Si共晶组成;淬火处理后,Ni_(3)Si-Ni固溶体共晶数量减少,尺寸减小,CrB出现一定程度的长大,且整体Ni_(3)Si含量降低;回火处理后,NiCrSiB钎涂层组织晶界附近共晶数量又增多,CrB进一步长大,促进少量的Ni_(3)Si组织生成。在钎涂状态下涂层硬度较高,经淬火后显微硬度整体下降,再经回火处理后显微硬度有所回升。以农机装备用旋耕刀为具体对象,研发了钎涂联合热处理提升旋耕刀整体性能的新技术。
    • 张向红; 王艳辉; 臧建兵; 张金辉
    • 摘要: 为研究在镀铬金刚石/铝硼硅玻璃复合材料中Cr镀层对金刚石氧化反应的抑制作用,将不同镀层厚度的镀铬金刚石和铝硼硅玻璃在相同工艺下烧制成试样,检测试样的体积膨胀率和抗折强度,观察其断面形貌;同时分析烧结后金刚石单颗粒抗压强度和金刚石-结合剂界面的成分。结果表明:Cr镀层具有消耗和隔绝氧元素的双重保护作用,能有效抑制金刚石的氧化。同时,镀层厚度对金刚石氧化反应影响显著:镀层太薄,不能在高温烧结过程中持续保护金刚石;镀层太厚,会由于应力匹配问题产生裂纹或成片剥落,使金刚石暴露在有氧环境中,反而失去保护作用。对于粒度号为140/170的金刚石,最佳镀层厚度为1.58μm。
    • 摘要: 提出了一种利用金刚石芯片近表面氮空位中心进行的傅里叶光谱实验,通过检测核自旋的自由进动,而不是应用多脉冲量子传感协议,明确识别没有谐波的NMR类型。通过在自由进动过程中设计不同的哈密顿量,可以选择性地测量超精细耦合参数以及核拉莫尔频率,精度高达五位小数。所提出的技术有助于绘制沉积在金刚石传感器芯片上的分子的核坐标,从而对其原子结构进行成像。
    • 郝鑫; 尹思宇; 张宗达; 丁洁; 田振男; 白振旭
    • 摘要: 氮空位(NV)色心是一种具备优良光学性能和自旋特性的金刚石发光缺陷,由于其在超分辨成像技术、量子测量、量子信息等领域的巨大应用前景,近年来吸引了许多科研工作者的关注。目前,人们已经通过多种方法制备浓度和空间位置可控的高品质NV色心,并推动了其在量子传感和量子信息等领域的应用。NV色心的电子自旋哈密顿量与多种物理量有关,因此能够通过读取NV色心的电子自旋态实现量子精密测量;此外,NV色心作为一种电子自旋相干时间长、性能稳定的固态自旋量子体系,可以实现安全高效的量子信息处理。近年来,量子测量的灵敏度随着NV色心制备工艺的进步而快速提升。介绍了NV色心的结构和基本特性,并对其制备和应用进行了总结和展望。
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