传感器芯片

摘要： 纳芯微全新推出的NSM2015/NSM2016系列霍尔效应电流传感器芯片是完全集成的高隔离电流传感器解决方案,具有极低的原边导通电阻,在无需外部隔离元件的条件下能提供足够精确的电流测量,可广泛应用于汽车、工业、商业和通信系统中的交流或直流电流检测。纳芯微凭借其突破性的隔离技术及信号调理设计能在严苛要求的汽车和工业等领域提供高达5000 Vrms的电隔离能力,同时保证原副边之间极佳的磁耦合效果。内部采用差分霍尔检测,可以抵御外部杂散磁场的干扰。

摘要： 提出了一种利用金刚石芯片近表面氮空位中心进行的傅里叶光谱实验,通过检测核自旋的自由进动,而不是应用多脉冲量子传感协议,明确识别没有谐波的NMR类型。通过在自由进动过程中设计不同的哈密顿量,可以选择性地测量超精细耦合参数以及核拉莫尔频率,精度高达五位小数。所提出的技术有助于绘制沉积在金刚石传感器芯片上的分子的核坐标,从而对其原子结构进行成像。

摘要： 2022年疫情时有发生,使汽车行业难以避免陷入了“倒春寒”。即便如此,今年却是自动驾驶的高光之年,政策的落地、资本的青睐、企业的加码,无一不推动着这个行业快速发展。6月6日,人工智能视觉芯片设计公司肇观电子宣布,C轮融资已获得由工银资本管理有限公司担任管理人的上海工融科创基金数亿元领投。同日,融合视觉传感器芯片公司锐思智芯宣布,公司已于今年初完成近2亿元A轮融资,本轮融资由巡星投资(OPPO旗下投资公司)和同创伟业联合领投,虹软科技、舜宇光学产业基金、耀途资本、深圳天使母基金、联想创投、清科创投跟投。

摘要： 安芯股份、芯旭半导体等企业年产200万GPP芯片(小尺寸晶圆)项目填补安徽省内空白;华宇电子建成安徽全省首条SIP系统级封装生产线,超元半导体大尺寸晶圆(存储芯片)测试技术填补安徽省内空白;信安电子的陶瓷滤波器、微泰导航的传感器芯片等在安徽省内均独具特色……在向来以生态环境优良、自然资源丰富著称的池州市,一个从无到有的百亿芯片梦正在被撬动,并已形成从IC设计、晶圆制造、封装测试到电子元器件及智慧应用的“芯、屏、器、核”智能终端全生态产业链。

摘要： 芯华章创立于2020年3月,我们的主要任务和目标是研究独立自主的EDA(电子设计自动化)工具。芯片、集成电路都是通过EDA设计出来的。新基建是数字经济发展的基础,在新基建发展过程中,集成电路是新基建的基础,新基建的“新”建立在大量集成电路的应用基础上,如5G基站、基站芯片、光通信芯片、传感器芯片、控制芯片、人工智能、云计算,而这些技术都离不开GPU、CPU。充电桩、高铁也会用到电源管理芯片。因此,集成电路是新基建的基础。

摘要： 拥有准确、迅速、低价且轻便的新冠病毒及其抗体检测工具才能实现经常性的大规模检测。但是,实现这种工具需要很长时间,果真如此吗?胭脂谷微器件公司(Rogue Valley Microdevices)公司的联合创始人兼首席执行官杰西卡•戈麦斯(Jessica Gomez)说,生物传感器芯片可能是一条捷径。

摘要： 高性能耳温枪、额温枪等非接触式测温工具是当前对大规模人员进行发热筛查的主要工具之一,其核心部件MEMS(微机电系统)红外温度传感器长期主要依赖进口。近日,中国兵器工业集团电子院华东光电集成器件研究所通过技术攻关,已完成传感器芯片各类单项试验,性能指标精度达到0.1°C,抗干扰能力优于目前市场主流产品(性能指标精度为0.3°C)。

摘要： 传感器作为进口电子元器件中品种最多的领域,其芯片的进口量不计其数.本文以芯片的自主生产制造以及研发经验为基线,针对军用领域探测、控制系统应用使用的主要核心芯片方面遇到的各种实际问题以及未来发展可能遇到的潜在问题,进行梳理归纳、分析和总结,为相关决策提供参考依据;从传感器专业的敏感视角出发,进行跟踪、分析、判断,对未来可能对我们形成威慑的潜在问题提出预警,旨在让更多的入了解传感器以及传感器核心芯片后续发展需要注意的问题,提前谋划,使传感器技术在自主的道路上发展更稳健.

摘要： 全球领先的高性能传感器解决方案供应商、移动市场3D脸部识别领域领导者艾迈斯半导体(ams AG)推出两款新型位置传感器——AS5147U和AS5247U,可降低系统成本,同时提高安全关键型汽车功能(如动力转向、主动减振器控制和制动)的电气化水平,有助于实现更安全、更智能、更环保的汽车。这两款新型位置传感器能够为汽车行业带来多种性能优势,并可降低系统成本。艾迈斯半导体AS5147U是一款智能旋转磁性位置传感器芯片,可用于转速高达28000 rpm的电机。新型AS5247U是一款双堆叠式裸片,可提供要求最苛刻的ASIL D级功能性安全应用所需的冗余。

摘要： 主要论述了传感器芯片在SoC设计中的模拟和仿真应用。通过使用RVM验证方法学和相关的仿真平台，对传感器芯片进行软件模拟，然后对仿真结果进行分析，从而保证外接的摄像头能够正常工作。主要目的就是为了说明如何进行传感器芯片的模拟以及对仿真结果的分析，使用的平台搭建方法是RVM参考验证方法学，使用的工具是Synopsys公司的Exceed工具，模拟使用的语言是VERA语言。

摘要： 通孔互联是目前3D圆片级封装中可行的技术,相比传统的平面互联.通孔互联技术具有高互联密度、小封装尺寸、低阻抗的优点.通孔互联技术包括三个基本步骤:(1)形成晶圆上的通孔,(2)形成导通的通路,(3)通路与旁路间的绝缘.最常规的形成导通通路的方法是通过电镀填充通孔,随之而来地要解决两个问题,第一,在高深宽比通孔结构中的种子层覆盖沉积问题,第二,电镀工艺非常耗时.这限制了该技术的应用,增加了成本.提出了一种新的通孔互联技术,利用通孔上下孔径差异产生的毛细作用,产生吸力将熔化后的焊球,吸入通孔,从而形成互联.该技术可以与现有标准工艺融合,不需要侧壁沉积和电镀工艺形成通路,从而提供了一个简易、快速、低成本的圆片级互联技术.

摘要： 通孔互联是目前3D圆片级封装中可行的技术,相比传统的平面互联.通孔互联技术具有高互联密度、小封装尺寸、低阻抗的优点.通孔互联技术包括三个基本步骤:(1)形成晶圆上的通孔,(2)形成导通的通路,(3)通路与旁路间的绝缘.最常规的形成导通通路的方法是通过电镀填充通孔,随之而来地要解决两个问题,第一,在高深宽比通孔结构中的种子层覆盖沉积问题,第二,电镀工艺非常耗时.这限制了该技术的应用,增加了成本.提出了一种新的通孔互联技术,利用通孔上下孔径差异产生的毛细作用,产生吸力将熔化后的焊球,吸入通孔,从而形成互联.该技术可以与现有标准工艺融合,不需要侧壁沉积和电镀工艺形成通路,从而提供了一个简易、快速、低成本的圆片级互联技术.

摘要： 通孔互联是目前3D圆片级封装中可行的技术,相比传统的平面互联.通孔互联技术具有高互联密度、小封装尺寸、低阻抗的优点.通孔互联技术包括三个基本步骤:(1)形成晶圆上的通孔,(2)形成导通的通路,(3)通路与旁路间的绝缘.最常规的形成导通通路的方法是通过电镀填充通孔,随之而来地要解决两个问题,第一,在高深宽比通孔结构中的种子层覆盖沉积问题,第二,电镀工艺非常耗时.这限制了该技术的应用,增加了成本.提出了一种新的通孔互联技术,利用通孔上下孔径差异产生的毛细作用,产生吸力将熔化后的焊球,吸入通孔,从而形成互联.该技术可以与现有标准工艺融合,不需要侧壁沉积和电镀工艺形成通路,从而提供了一个简易、快速、低成本的圆片级互联技术.

摘要： 通孔互联是目前3D圆片级封装中可行的技术,相比传统的平面互联.通孔互联技术具有高互联密度、小封装尺寸、低阻抗的优点.通孔互联技术包括三个基本步骤:(1)形成晶圆上的通孔,(2)形成导通的通路,(3)通路与旁路间的绝缘.最常规的形成导通通路的方法是通过电镀填充通孔,随之而来地要解决两个问题,第一,在高深宽比通孔结构中的种子层覆盖沉积问题,第二,电镀工艺非常耗时.这限制了该技术的应用,增加了成本.提出了一种新的通孔互联技术,利用通孔上下孔径差异产生的毛细作用,产生吸力将熔化后的焊球,吸入通孔,从而形成互联.该技术可以与现有标准工艺融合,不需要侧壁沉积和电镀工艺形成通路,从而提供了一个简易、快速、低成本的圆片级互联技术.

摘要： 通孔互联是目前3D圆片级封装中可行的技术,相比传统的平面互联.通孔互联技术具有高互联密度、小封装尺寸、低阻抗的优点.通孔互联技术包括三个基本步骤:(1)形成晶圆上的通孔,(2)形成导通的通路,(3)通路与旁路间的绝缘.最常规的形成导通通路的方法是通过电镀填充通孔,随之而来地要解决两个问题,第一,在高深宽比通孔结构中的种子层覆盖沉积问题,第二,电镀工艺非常耗时.这限制了该技术的应用,增加了成本.提出了一种新的通孔互联技术,利用通孔上下孔径差异产生的毛细作用,产生吸力将熔化后的焊球,吸入通孔,从而形成互联.该技术可以与现有标准工艺融合,不需要侧壁沉积和电镀工艺形成通路,从而提供了一个简易、快速、低成本的圆片级互联技术.

摘要： 对于具有传感器壳体(16)的电子传感器或传感器装置、尤其是加速度传感器，在该传感器壳体中装有具有组件壳体(1)的芯片组件(2)，提出了，该组件壳体(1)具有侧向向外伸出的端子引脚(4)，这些端子引脚在其自由端部上分别具有一个逐渐变细部(3)。还设有至少一个金属的载体条(7)，该载体条在第一端部区域中被构造为插头触点(8)及在第二端部区域中对于至少一个端子引脚(4)分别具有一个弹簧夹紧接触部位(9)，该弹簧夹紧接触部位形成一个用于相应的端子引脚(4)的柔性的压入区。

摘要： 对于具有传感器壳体(16)的电子传感器或传感器装置、尤其是加速度传感器，在该传感器壳体中装有具有组件壳体(1)的芯片组件(2)，该组件壳体(1)具有侧向向外伸出的端子引脚(4)，这些端子引脚在其自由端部上分别具有一个逐渐变细部(3)。还设有至少一个金属的载体条(7)，该载体条在第一端部区域中被构造为插头触点(8)及在第二端部区域中对于至少一个端子引脚(4)分别具有一个弹簧夹紧接触部位(9)，该弹簧夹紧接触部位形成一个用于相应的端子引脚(4)的柔性的压入区。

摘要： 本发明涉及一种气体传感器芯片，包括片状的陶瓷基板、电极导电带、电阻加热器以及气敏涂料，所述电极导电带、电阻加热器以及气敏涂料通过丝网印刷的方法印制在所述陶瓷基板上，该气体传感器芯片可以有效地降低功耗，并由于是采用丝网印刷的方法，所以可以显著的提高该气体传感器的生产效率和产品性能的一致性，本发明同时还公开了一种采用上述气体传感器芯片的气体传感器。

摘要： 本发明涉及一种MEMS气体传感器芯片、传感器及传感器的制备方法，属于气体检测技术领域，解决了现有技术价格昂贵、响应时间长、环境稳定性差的问题。MEMS气体传感器芯片包括气体敏感单元、温度敏感单元、敏感结构衬底和温度控制单元。MEMS气体传感器，包括MEMS气体传感器芯片和控制电路；控制电路又包括微控制器、N型MOSFET、P型MOSFET、正负电源。微控制器对温度敏感单元采集的实际温度与预设温度进行比较，根据比较结果输出控制信号，控制N型MOSFET和P型MOSFET的通断，进而控制流经温度控制单元的电流方向和大小，改变敏感结构衬底表面的温度。本发明MEMS气体传感器操作简单、通用性强，可同时测量多种气体的浓度，节省了成本，而且响应时间短、环境稳定性好。

摘要： 本发明涉及压力传感器，该压力传感器具有膜，该膜具有传感器芯片，该传感器芯片具有包括传感器元件的测量桥。其中，该膜通过载体或作为壳体的一部分紧固在壳体中，并且该膜上能够施加工作介质。该压力传感器的特征在于，因紧固和/或安装压力传感器而产生的机械应力不影响测量结果和/或测量信号。为此，至少两个传感器芯片彼此间隔开并以一定角度彼此偏置，并且至少位于该膜的当施加压力时弯曲的一侧上。该测量桥以这样的方式被设计和/或连接到控制器，使得因紧固该膜而产生的并因此作用在该膜上的至少一个力被补偿或将被补偿。

摘要： 提出一种光学传感器领域中的用于校准例如表征和校准光学传感器芯片的装置。为了以高精确度解决传感器数据的复杂性，光学传感器例如光学传感器不作为已校准的单元提供。而是，传感器响应数据可以在限定的或标准化的环境中例如在生产线上被记录并具有高精度。此高标准传感器响应数据能够在每个装置的基础上获得，并因此用明确的芯片标识号(芯片ID)标记。利用专用的校准算法补偿传感器数据，该算法能够量身定制以适合光学传感器或光学传感器芯片。为了检索传感器响应数据和校准算法，例如，两者都能够借助芯片ID而可用。

摘要： 在现有技术的传感器芯片上传感器区的范围中会沉积流动介质的污物并使该传感器区持续污染，这导致对膜的测量性能的不良影响。在根据本发明的传感器芯片(1)上设有一个附设加热器(39)，它在上游相对传感器区(17)以一明显的距离设置。这将导致：流动介质的污物沉积在附设加热器(39)的区域中，即不再能到达传感器区(17)。

摘要： 按照现有技术，在传感器芯片中，由于从传感器芯片旁边流过的介质中的脏物，会在传感器区域内产生沉积。本发明传感器芯片(1)至少在传感器区域(17)的上游具有至少一个等位面(44，47，50，53)，该等位面通过与流动介质中的脏物的相互电作用阻止传感器区域(17)内的沉积。

摘要： 本发明提供了一种影像传感器芯片、影像传感器芯片的制备方法、影像传感器以及生物活体影像监控系统。影像传感器芯片，包括芯片层和像敏单元阵列，像敏单元阵列形成于芯片层上且与芯片层电性连接，每个像敏单元包括：钼电极，形成于芯片层顶面的绝缘材料层上；p型铜铟镓硒层，形成于钼电极上；缓冲层，形成于铜铟镓硒层上；本征氧化锌i‑ZnO层，形成于缓冲层上；导电透明层，形成于i‑ZnO层上；以及微透镜，形成于导电透明层上；其中，钼电极通过钨通孔与芯片层电性连接。影像传感器芯片、影像传感器以及生物活体影像监控系统，能够在近红外光环境下取影像。可以应用在侦测皮肤底层血管。

摘要： 本发明涉及一种气体传感器芯片，包括片状的陶瓷基板、电极导电带、电阻加热器以及气敏涂料，所述电极导电带、电阻加热器以及气敏涂料通过丝网印刷的方法印制在所述陶瓷基板上，该气体传感器芯片可以有效地降低功耗，并由于是采用丝网印刷的方法，所以可以显著的提高该气体传感器的生产效率和产品性能的一致性，本发明同时还公开了一种采用上述气体传感器芯片的气体传感器。