场效应管

摘要： 一盏欧普LED集成吊顶灯,通电后灯不亮。该灯的恒流源采用高精度原边反馈LED恒流控制芯片BP3126(U1),其实绘电路如图1所示。AC220V市电经BD1桥式整流,再经由EC1、L2、EC2组成的π型滤波器滤波,在EC2上得到300V直流电压,通过开关变压器T1主绕组一路加到U1⑤.⑥脚(内部场效应管漏极),另一路经启动电阻R3.R4加到U1③脚(Vce,工作电压6.5V~16V,低于6.5V欠压保护,高于16V过压保护),对EC3充电。

摘要： 超宽禁带半导体金刚石材料在高温、高压电路中具有重要的应用潜力.本研究采用微波等离子体化学气相沉积生长的单晶金刚石衬底制备了原子层沉积(atomic layer deposition, ALD)的Al_(2)O_(3)栅介质的氢终端金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)器件,并与负载电阻互连,成功制备了金刚石反相器. 4μm栅长的氢终端金刚石器件实现了最大113.4 m A/mm的输出饱和漏电流,器件开关比高达109,并在不同负载电阻条件下均成功测得金刚石反相器的电压反转特性,反相器的最大增益为10.

摘要： 史塞克动力系统由主机、脚踏开关、动力手柄、驱动附件等部件组成,被广泛应用于口腔科、骨科、神经外科等科室的手术,是一类实现术中切割、钻孔、刨削等功能的设备。史塞克动力系统具有转速调节范围大、操作简单、使用受限小等优点[1]。在骨科手术中,史赛克动力系统起到检查及治疗作用,不仅创伤轻、切口小,而且愈合后切口较为美观,深受广大患者喜爱。此类手术的顺利完成,很大程度上依赖于史赛克动力系统的正常高效工作[2]。我院有两台史塞克动力系统,使用频率高,总体运行情况良好,本文解析我院史塞克动力系统在日常使用中的两例故障,以供同行参考借鉴。

摘要： 石墨烯由于高迁移率、高导热性、柔韧性好和机械强度高等优异性能使其成为构筑新型纳米电子器件的重要材料,已成为电子信息、生物医学、显示等领域的研究热点。当石墨烯材料及其电子器件放置于含有辐照因素的场景中时,会因为与高能光子和带电粒子等相互作用而改变晶格结构或积累电荷,使石墨烯材料及电子器件的性能发生变化。本文主要综述了典型辐照因素对石墨烯及器件的主要效应及研究进展,旨在总结不同辐照在石墨烯及其电子器件中引发的物理效应,归纳其微观-宏观性质变化,为加深石墨烯材料及器件的辐照效应的理解,推动其在辐照场景中的实际应用奠定基础。

摘要： TCLL32F1B型液晶电视,采用三合一主板,其背光电路如图1所示。通电后,开关电源输出的12V电压通过电阻RB816加到集成电路UB801(OB3351TQP)9脚,开关电源输出的35V电压通过储能电感LB801加到场效应管QB801的漏极.

摘要： 针对国内脉冲恒流源幅值较小、重复频率较低等问题,设计了基于电流闭环反馈控制的恒流电路,建立了相应的数学模型,并采用Pspice仿真验证了电路的功能,最终研制了1台600 A重复频率工作的脉冲恒流电源。电源采取储能放电配合高速开关的工作模式,使用功率场效应三极管作为线性调整开关,可大范围自动恒流,适用于激光二极管负载。输出的脉冲电流幅值最高600 A,上升时间小于40μs,电压幅值最高320 V,脉宽100~600μs可调,工作重复频率最高200 Hz。电源体积较小,结构紧凑,效率可达90%以上。

摘要： 简述中波广播发射机使用数量最多的功放模块构成、基本工作方式、故障判断方法,对功放模块中易损场效应管的几种检测方法及在存取、更换环节应注意事项进行说明。

摘要： 据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司(以下简称“重庆万国”)已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件。目前该IGBT元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。IGBT元件是绝缘栅双极型晶体管的英文名缩写,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管,组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

摘要： 佛山市蓝箭电子股份有限公司(以下简称“蓝箭电子”)于9月7日创业板首发过会。两年前,公司曾想在科创板挂牌,但在注册阶段撤回申请。资料显示,蓝箭电子从事半导体封装测试业务,为半导体行业及下游领域提供分立器件和集成电路产品。公司主要产品为三极管、二极管、场效应管等分立器件产品及AC-DC、DC-DC、锂电保护IC、LED驱动IC等集成电路产品。

摘要： 提出了一种超快速识别家用电器漏电、短路保护电路,包括电源基准电路、综合时间延长电路、开关控制电路和漏电、短路识别电路。采用快速恢复场效应管作为开关元器件,提升电路分断时间。制作特殊的差分电流互感器,作为快速识别漏电部件。对开关控制电路的驱动信号进行时间延迟,在延迟时间内试探故障是否解除。采用软件对电路进行仿真验证,仿真结果表明,在电路发生漏电、短路时,能够快速地识别故障和分断主回路,时间控制在15 ms以下。

摘要： 全固态中波发射机的核心就是通过利用多个末级功放模块的功率合成来达到额定的发射机功率输出，而每个末级功放模块的功率输出又是通过多只大功率场效应功放管功率合成来达到的。全固态PDM中波发射机末级功放是采用场效应管作为功率元件，由于场效应管的各种性能和参数的原因，加上长期处于大电流工作状态，同时在发射机功放模块处于温度较高的环境下工作，导致了场效应管往往会在温度过高、开机浪涌电压冲击及雷击的情况下易击穿损坏，所以全固态中波发射机的末级功放成了故障率较高的部位。因大多时候功放模块出现故障时，都是功放管损坏引起的，所以检修时拆下功放小板直接测量其输出端(P1、P2)的正反向阻值是否相等，这样，就能够很快地找出有故障的管子，为抢修赢得了时间。更换焊接前需将场效应功放管的栅极接地，采用绝缘手套拿取场效应功放管，焊接前场效应功放管底部需涂上导热硅脂。为了减少焊接的时间，避免焊接的时间过长造成温度过高从而烫坏电路板的覆铜及其他的元器件，采用了35 w的电烙铁，每次的焊接时间掌握在4s左右。场效应功放管焊接完成后需进行通电检查。

摘要： 三极管和场效应管的工作原理由于涉及器件内部复杂的载流子微观运动，长期以来一直是模电教学的难点之一．笔者根据实际教学需求，结合多年课堂教学经验，设计制作了三极管和场效应管工作原理的Flash动画演示课件;本文主要讨论课件的设计思路、相关软件．制作流程以及笔者的经验体会，对类似课件的设计制作具有一定的参考和借鉴作用．

摘要： 该后级音频功率放大器由分立元件组成,末级使用大功率同极性场效应管或同极性双极型管,使用有源伺服电路,整机为直流放大器,频响好、指标高、听感好.

摘要： 分析了高开关频率SPWM 逆变器对门极驱动电路的要求，研究了一种基于磁耦合的场效应管驱动电路，该电路能够在占空比大范围变化和工作频率较高的情况下保证驱动波形符合要求。该电路提供了完全的电气隔离，毋需辅助电源。着重叙述了其工作原理和关键参数的设计。实验表明，该电路克服了传统磁耦和光耦驱动的不足，具有较好的实用性。

摘要： 为了实现对工程中的浪涌电流的抑制，设计了浪涌电流抑制电路。rn 要求最大浪涌电流不超过正常工作电流的1.5倍或2A，取其较大者。上升斜率不大于1000A／s。首先，分析了浪涌电流产生的原因以及传统的输入浪涌电流的抑制方法，由于工程的特殊，器件选型要求高，专用器件很难满足环境要求，传统的方法又有一定的局限性，本文利用场效应管的开关特性，自主设计了电源斜坡启动电路，满足项目要求的浪涌抑制电路。rn 本文对该电路的设计进行了详细的说明。最后，给出了实际测试结果。实际测试表明：加入抑制浪涌电流电路之后系统的启动电流仅为1.8A，上升斜率不大于为30A／s，峰值输入浪涌电流只略高于正常工作时最大的输入电流。

摘要： 为了设计离子注入4H-SiC MESFET(金属半导体场效应管)器件，研究了其分析模型。通过蒙特卡罗分析模型TRIM计算注入的分布规律。给出了离子注入4H-SiC MESFET器件的注入沟道深度a、器件的关断电压Vp和输出特性的计算模型。讨论了注入离子激活率β、SiC晶片外延层掺杂浓度NA、温度T等参数对沟道深度a 的影响。最后给出了设计的多重离子注入4H-SiC MESFET器件的输出特性的模拟结果以及温度T对漏电流Ids的影响。本模型对制备离子注入SiC MESFET器件的制备者在流片前的设计工作阶段有帮助。

摘要： 我院GE LightSpeed Plus 4排CT由于场地原因经过一次搬迁后，出现床板水平运动故障，经过检查分析确认原因在Cradle Latch模块中的场效应管Q5在搬迁过程中受到震动而损坏，更换后机器床板运动即正常。

摘要： 在鱼、水雷等水中兵器声自导系统中，MOSFET场效应管构成的推挽式功率放大器仍在大量使用，简化电路结构并提高其工作的稳定性、扩展工作带宽是比较受关注的问题。采用目前在开关电源应用方面技术比较成熟的集成场效应管驱动器，来提高功放电路的可靠性，以及通过对变压器结构与绕组的优化设计，扩展功放电路的低频与高频频率特性。

摘要： 随着半导体技术的发展,功率MOSFET因其体积小、重量轻、成本低和响应速度快而被越来越广泛地应用于脉冲功率源中。本文根据MOSFET的开关过程,分别从器件本身和驱动电路的两个方面,讨论了影响MOSFET开通时间的主要因素。在此基础上,提出了三种高速隔离型MOSFET驱动电路,给出了实验电路和参数。实验结果表明,MOSFET的开通时间均小于10ns。

摘要： 随着半导体技术的发展,功率MOSFET因其体积小、重量轻、成本低和响应速度快而被越来越广泛地应用于脉冲功率源中。本文根据MOSFET的开关过程,分别从器件本身和驱动电路的两个方面,讨论了影响MOSFET开通时间的主要因素。在此基础上,提出了三种高速隔离型MOSFET驱动电路,给出了实验电路和参数。实验结果表明,MOSFET的开通时间均小于10ns。

摘要： 本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温，就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值，从而实现了场效应管的高效老化。

摘要： 一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管，在制作屏蔽导体的过程中，沟槽侧壁以及外延上表面一直留存氧化层来保护外延层，当氧化层厚度因为制作屏蔽导体被蚀刻消耗后，再次沉积氧化层进行补充，补充后沟槽侧壁的氧化层厚度大于消耗之后的厚度，然后再继续制作屏蔽导体，据此消耗则补充的原则，结合场效应管电压需求进行仿真调试，得到对应电压需求的具有非渐变宽度屏蔽导体及非渐变厚度氧化层的场效应管。本发明提出的屏蔽栅沟槽场效应管结构能够实现较好的外延利用率，在与传统SGT具有相同崩溃电压的条件下，本发明同比可以实现更小的特征电阻，且本发明的结构能够在上下电极之间实现较小的Cgs电容。

摘要： 本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温，就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值，从而实现了场效应管的高效老化。

摘要： 本申请提供AOT场效应管制备方法及AOT场效应管，属于半导体技术领域。该方法包括：对样品的外延层注入P型杂质，形成P‑well层；在P‑well层中注入N型杂质，形成N型源区；在P‑well层中注入P型杂质，形成P+层；在P‑well层上进行沟槽蚀刻，形成栅极沟槽；其中，P+层包覆栅极沟槽的一侧拐角；在栅极沟槽中沉积栅氧化层，形成槽栅；其中，靠近P+层的栅氧化层和栅极沟槽底部的栅氧化层的厚度均大于靠近N型源区的栅氧化层的厚度；对样品进行后端工艺处理，得到AOT场效应管。通过加厚沟槽一侧的栅氧化层，并使P+层包覆槽栅的一侧拐角以保护槽栅，提高了栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。

摘要： 本申请提供一种SPST场效应管制备方法及SPST场效应管，属于半导体技术领域。该方法包括：对样品的外延层注入P型杂质，形成P‑well层；在P‑well层中注入N型杂质，形成N型源区；在N型源区上进行沟槽蚀刻，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中注入P型杂质，形成P型屏蔽区；其中，P型屏蔽区包覆栅极沟槽的底部和栅极沟槽的侧壁，P型屏蔽区的掺杂浓度大于P‑well层的掺杂浓度；在栅极沟槽中沉积栅氧化层和填充层，形成槽栅；对样品进行后端工艺处理，得到SPST场效应管。通过在槽栅的底部和侧壁注入比P‑well层掺杂浓度更高的P型杂质，形成P型屏蔽区保护槽栅，提高了场效应管的抗短路能力。

摘要： 本申请公开了一种场效应管制备方法、装置及场效应管，涉及半导体技术领域，包括：构建元胞主体，其中，元胞主体设置有漂移区，漂移区的两侧间隔设置有Poly层，Poly层的高度高于漂移区的高度；在两个Poly层之间的漂移区的中间区域上淀积第一介质层，并对第一介质层进行刻蚀处理，以在两个Poly层相对的两侧均形成侧墙；将第一Al+离子注入处于两个侧墙之间的第一沟槽区正对的漂移区，以形成第一P+区；对Poly层和侧墙进行平整处理，并在平整后的Poly层、漂移区铺设金属电极，以得到场效应管。本申请能够缩小P+区的注入偏差，使得元胞结构进一步缩小，进而使得SiC‑MOSFET能够进一步小型化。

摘要： 一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管，在制作屏蔽导体的过程中，沟槽侧壁以及外延上表面一直留存氧化层来保护外延层，当氧化层厚度因为制作屏蔽导体被蚀刻消耗后，再次沉积氧化层进行补充，补充后沟槽侧壁的氧化层厚度大于消耗之后的厚度，然后再继续制作屏蔽导体，据此消耗则补充的原则，结合场效应管电压需求进行仿真调试，得到对应电压需求的具有非渐变宽度屏蔽导体及非渐变厚度氧化层的场效应管。本发明提出的屏蔽栅沟槽场效应管结构能够实现较好的外延利用率，在与传统SGT具有相同崩溃电压的条件下，本发明同比可以实现更小的特征电阻，且本发明的结构能够在上下电极之间实现较小的Cgs电容。

摘要： 本发明属于微电子技术领域，公开了一种鳍式场效应管的槽隔离方法及与之相应的场效应管和加工设备；通过改进制造工艺流程，拓展了隔离区的高度，避免了工作区域之间潜在的桥接风险，有利于进一步降低特征图形的尺寸，进而提升产品的性能和晶圆的利用率；通过构造隔离槽并经过两次填充和刻蚀过程，一方面保证了鳍式工作区的结构，另一方面拓展了隔离区的范围；该方法可与双扩散区隔离方式DDB共生产线投产，并利于现有SDB系统升级和维护。

摘要： 本申请公开了一种DP场效应管制备方法及DP场效应管。DP场效应管制备方法包括：对外延片进行刻蚀，以形成槽栅；在所述槽栅的两侧注入P型杂质以形成P阱层；通过推结工艺对所述P阱层进行推结，以使所述P阱层的深度大于所述槽栅的深度；其中，所述P阱层包覆所述槽栅的拐角且所述槽栅两侧的所述P阱层不连通；在所述槽栅的两侧注入N型杂质以形成N型源区。本申请实施例的DP场效应管制备方法，至少具有如下有益效果：通过制备比槽栅更深的P阱层，同时使P阱层包覆槽栅的拐角且槽栅两侧的P阱层不连通，形成DP结构，提高栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。

摘要： 一种多只串联场效应管等效单只场效应管的电路，包括高压直流电源、PMW控制设备、稳压直流电源，还具有信号输入电路、转换电路和输出控制电路；所述稳压直流电源、高压直流电源、PMW控制设备、信号输入电路、转换电路和输出控制电路安装在元件盒内并电性连接。本新型在能在使用两只或以上的场效应管作为驱动电路控制负荷场景下，将多只场效应管等效为单只场管的控制方式，且驱动工作电压为多只场管耐压之和，达到了保证负荷工作电压的驱动性能指标同时，还实现了电路相对简单、可靠、易控制的优点。基于上述，所以本实用新型具有好的应用前景。