迁移率

摘要： 研究一类食饵具有Allee效应且捕食者具有人工控制迁移的食饵-捕食者系统,该系统具有平方根项的功能性反应函数。首先通过定性分析,证明解的有界性,分析平衡点的存在性,得到系统平衡点的局部稳定性的充分条件。接着讨论平衡点的Hopf分岔存在性,并通过计算第一李雅普诺夫系数,研究平衡点Hopf分岔的稳定性和方向。最后通过数值模拟验证所得结论的正确性,结果表明Allee效应和人工控制迁移率对食饵种群和捕食者种群的生存与灭绝具有重要意义。

摘要： 化学气相沉积法生长的单层石墨烯具有卓越的力学、热学和电学特性,成为新一代纳米器件的首选材料。对石墨烯电子特性的理论研究有利于推动纳米器件的发展与应用。本文基于密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的方法,系统地研究了石墨烯及石墨烯/氮化硼的电子结构特性。结果表明,在高对称K点,带隙为零。在50~400 K范围内,由于费米面的电声子散射作用,单层石墨烯的迁移率随着温度增加呈现显著下降趋势。此外,通过对不同层间距的石墨烯/氮化硼结构的能带、态密度、电子密度等特性分析,发现随着层间距增加,能带间隙减小,导带与价带间的能量差减小。随着原子个数的增加,石墨烯/氮化硼超胞结构与原胞结构的带隙开度变化规律一致,这对石墨烯基器件的结构设计具有一定的指导意义。

摘要： 为研究醇类香料单体在加热卷烟中的转移规律,将28种醇类香料单体添加到加热卷烟烟芯中,建立了加热卷烟烟芯中醇类香料单体的检测分析方法,并分析了醇类香料单体在加热卷烟抽吸前后的转移行为。结果显示:贮存期间,28种醇类香料单体的烟芯持留率为7.13%~91.70%、降温段迁移率为0~9.10%、滤嘴迁移率为0~30.76%、散失率为1.83%~81.65%。抽吸过程中,28种醇类香料单体的向主流烟气粒相物转移率(MS转移率)为2.29%~34.02%、烟芯残留率为1.17%~24.01%、滤嘴截留率为8.27%~29.46%。互为同系物的醇类单体遵守随着分子量增大、沸点增高,烟芯持留率、向主流烟气粒相物转移率增加,散失率减小的规律。互为同分异构体的醇类单体遵循物质结构稳定性越好、沸点越高,烟芯持留率和向主流烟气粒相物转移率越高,散失率越小的规律。香叶醇、橙花醇、肉桂醇的烟芯持留率高、散失率小、向主流烟气粒相物转移率高,适用做加热卷烟香精调配香原料。

摘要： 石墨炔自2010年首次合成后,就成为了碳材料界的新宠儿。氮原子与碳原子尺寸相近,掺杂时相对容易,将氮原子掺杂到石墨炔中,可以很好的增强其催化性能和电化学性能,因而被广泛应用于电池、催化、光电等领域。本文探讨了氮的不同掺杂位置、掺杂浓度以及自旋状态对石墨炔的结构和性能的影响,采用Crystal 2014计算软件和密度泛函理论从石墨炔的结构参数、热力学稳定性、电荷分布、电子性质、杨氏模量、迁移率这几个方面作了详细的探讨,证实了氮掺杂的石墨二炔体系依然能保持较为良好的载流子迁移率状态。

摘要： 针对目前水资源污染难以定位管控问题,提出一种重金属污染物检测方法。结合水体流速、溶解因子、污染物的迁移率以及土壤的积水含量,计算该介质在各检测点上的吸附数值。以此数值为判定标准,建立等位线浓度定位区域,将各组检测样本放置于各个等位线附近,通过污染转移效应和介质参数判定污染物存在的等位线,完成重金属污染检测。仿真实验证明,所提方法对既定区域内水平及竖直位置的污染点检测定位准确、距离计算结果精准,算法具有较高的实用性及可参考性。

摘要： 因薄膜晶体管迁移率过低,普遍认为无法将平板探测器应用于CT机。现有的研究方向是寻找更高迁移率的探测器材质,但收效甚微。该研究为解决薄膜晶体管迁移率这一限制平板CT机应用的核心难题提出了一种新的方案:将薄膜晶体管内的各种TFT功能外移,彻底克服薄膜晶体管迁移率对CT机的限制,使得平板探测器的读取速度变得非常快,可完美地满足CT机的扫描速度要求。这将为平板探测器应用于CT机提供了新的研究思路。

摘要： 红外透明导电薄膜是指同时具有高红外透射率和高电导率的功能薄膜材料,其在电磁屏蔽涂层、红外光电探测器、人体红外治疗、红外发光二极管等领域有重要应用。尽管研究者已经报道了许多关于透明导电膜的综述,但是以往研究者主要关注可见光波段的透明导电,忽视了红外波段透明导电研究的系统总结和评述。本综述主要关注了N型金属氧化物和非氧化物以及P型金属氧化物、硫化物和卤化物。首先依据德鲁德自由电子理论模型分析了金属化合物红外透明性能与导电性能难以兼容的物理起源,然后归纳总结了金属化合物的制备、结构和光电性质,揭示了现有N型金属化合物普遍存在导电性高但红外透射率低的问题,P型金属化合物普遍存在红外透射率高但导电性低的问题。针对这些性能方面的瓶颈问题,讨论了薄膜制备、缺陷控制、能带化学调制以及新材料设计等方面的改性思路和可行性方法。最后展望了金属化合物未来发展方向以及仍需解决的难题,以期为设计和制备高性能的红外透明导电薄膜提供参考。

摘要： 双沟道AlGaN/GaNHEMT器件在电子限域性、电流运输等方面优于单沟道结构,且能更好地缓解电流崩塌,提高设备的运行能力,在高功率应用中具有重要意义.本文对n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN/i-Al_(x)Ga_(1–x)N/GaN结构中的电荷状态以及运输性质进行研究.通过求解一维薛定谔方程和泊松方程,获得其电势、电场和电子分布,分析了双沟道中二维电子气状态与合金无序散射、位错散射的关系.结果表明,在第一沟道中,当Al_(x)Ga_(1–x)N的Al组分和厚度提升时,二维电子气密度逐渐减小,合金无序散射的减弱使迁移率增大,位错散射增强致迁移率变小,总迁移率主要由合金无序散射决定.在第二沟道中,当Al_(x)Ga_(1–x)N的Al组分和厚度提升时,二维电子气密度随之增大,由于较低的势垒高度以及高渗透电子的作用,第二沟道中的合金无序散射影响更大,合金无序散射迁移率随Al_(x)Ga_(1–x)N层的Al组分和厚度的增加而减少且变化趋势逐渐趋于平缓,位错散射作用的减弱导致迁移率的提升.总体上,第一沟道势阱中受到的位错散射低于第二沟道势阱.随着背势垒厚度的增加,第二沟道中主导的散射机制逐渐从位错散射转为合金无序散射.

摘要： 以二苯甲酮-4,4′-二甲酸(BDA)为共聚单体,通过缩合聚合制备了一系列具有不同组成的聚(二苯甲酮-4,4′-二甲酸/己二酸癸二醇酯)(PDBA)高分子光引发剂。核磁共振氢谱(1 H NMR)及差示扫描量热分析(DSC)结果显示,当BDA摩尔含量不大于30%时,PDBA的熔点随着BDA含量的增加而降低,且其值介于45.6~77.4°C之间。核磁共振氢谱、红外吸收光谱(FTIR)和凝胶渗透色谱(GPC)证明产物为主链含二苯甲酮基这一光引发基团共聚酯。紫外吸收光谱显示,BDA摩尔含量20%的共聚物PDBA-20与二苯甲酮(BP)具有类似的紫外吸收行为,而其迁移率显著低于BP。在引发聚乙二醇二丙烯酸酯(PEGDA)紫外固化和超高分子量聚乙烯(UHMWPE)紫外交联时,PDBA-20表现出与BP基本相似的引发活性。

摘要： 目的:解决接装纸表面口感随时间减弱的卷烟加香技术难题。方法:基于超高效液相色谱建立了同时快速测定两种甜味剂的方法,对接装纸表面甜味剂的含量变化进行分析。采用诱导迁移试验分析甜味剂的迁移情况。利用扫描电镜、透气度测定仪和表面吸水量测定仪分析镀铝接装纸表面孔隙、透气度及表面吸水量。结果:诱导迁移试验表明接装纸中甜味剂由纸张表面逐渐向纸张内部迁移。扫描电镜、透气度测定仪和表面吸水量测定仪结果表明镀铝接装纸表面具有孔隙,因而透气度高且表面吸水能力强,因此甜味剂更容易在镀铝接装纸中迁移。诱导迁移42 d后,安赛蜜和糖精钠在接装纸中的迁移率分别为48.47%和49.65%。结论:镀铝接装纸表面存在的孔隙和裂缝,使其具备高透气度及较强吸水特性,且在接装纸两侧存在浓度差,因而有利于甜味剂的迁移。

摘要： 目前AMOLED技术的发展非常迅猛,而AMOLED所用背板主要分为低温多晶硅和氧化物半导体两类.氧化物半导体由于工艺简单,设备投资较低正在越来越受到重视.氧化物半导体材料中目前已经量产的主要是组份比例为1∶1∶1∶4的IGZO,器件的迁移率往往受限在10-20cm2/V*s.本文针对组份改变的IGZO进行了探讨,通过调整IGZO成分比例,制备了底栅结构的薄膜晶体管,实现了40-60cm2/V*s的迁移率.与此同时,通过调整IGZO和栅极绝缘层的成膜工艺改善了器件的稳定性与可靠性.

摘要： 随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对Ge迁移率的影响进行了研究。本文中所有样品均在V90气态源分子束外延设备上进行材料生长，其中As和P由AsH3和PH:经1000°C高温裂解获得，其束流大小由压力控制;In,Al,Ga都使用固态源，束流大小由温度进行精确控制。测试结果表明，随着InAIP中In组分的增大，Ge的张应变量随之增大，表明在InAIP虚拟衬底上生长Ge可以对其张应变量进行很好地控制;原子力显微镜测试结果表明即使Ge的张应变量达到2.0％，仍然能够保持二维生长和高质量的表面;霍尔测试结果表明Ge迁移率随着张应变量的增大而增大，显示出其在未来集成电路应用的良好前景。

摘要： 补偿薄膜场效应晶体管(TFT)的电学特性是提高电性差异补偿是提高主动矩阵式有机发光显示器(AMOLED)亮度均匀性的关键举措之一,在本论文中,可以高精度地获取每个像素的TFT的阈值电压和迁移率,通过这些高精度的TFT电学特性,提供了一种补偿方法可以显著地提高AMOLED的亮度均匀性.

摘要： 本论文研究了在IGZO成膜过程中Ar/O2流量比对氧化物半导体薄膜晶体管性能的影响.并测试了器件的转移特性曲线及偏压应力稳定性.研究结果表明:Ar/O2流量比将影响IGZO膜层的特性,氧流量较小会使器件呈现导体特性.制备了具有良好特性的a-IGZO TFT器件,其迁移率为21.2cm2/V.s、Vth为1V、亚阈值摆幅仅为0.12V/dec、开关比为5.0×107,并且器件具有良好的偏压稳定性.

摘要： 新型芳香单元是获得高性能共轭聚合物半导体材料的基础.本文合成了二噻吩并咔唑、萘并二并噻吩、异靛蓝并异靛蓝三类芳香稠环单元以及基于它们的共轭聚合物,研究了这些聚合物的半导体性质.此外,还合成了四氟代二噻吩乙烯单元,发现该单元具有很高的C-H直接芳基化反应活性,通过C-H直接芳基化缩聚,制备了以吡咯并吡咯二酮(DPP)和异靛蓝(IID)为受体单元的双极传输型高迁移率共轭聚合物.

摘要： 主要内容石墨烯的迁移率和光学特性石墨烯/砷化镓电池结构石墨烯/砷化镓电池工艺石墨烯/砷化镓电池性能石墨烯的迁移率和光学特性极高的载流子迁移率～2×105cm2/Vs室温下电阻率最低10-6Ωcm促进光生载流子的横向输运,减少串联电阻,提高填充因子.

摘要： 本年度在具有高迁移率和高光电转换效率的新型光电功能组装体的设计、结构优化、器件制备等方面,取得了一些重要进展:聚合物半导体场效应晶体管因其柔性,廉价等优势,有望广泛应用于射频标签,柔性显示器,电子纸,电子皮肤,传感器等有机电路.选取两种结构相似的共轭聚合物制备了高质量的聚合物单晶纳米线组装体,两种纳米线分别呈现出"edge-on"和"face-on"两种截然不同的构型.两种构型的纳米线都得到了＞5cm2V-1s-1的场效应迁移率,表明两种构型都有利于电荷传输.此外,噻唑桥连的DPP聚合物纳米线展现出良好的均衡双极性电荷传输(5.47cm2V-1s-1和5.33cm2V1s-1),是已报导的双极性场效应晶体管中最好的结果之一.

摘要： 二维硫化钼器件的性能主要取决于硫化钼本身的质量,而制作器件离不开摹制图案.现在主流的摹制硫化钼图案的方法主要是光刻,然而,采用光刻的办法会有残胶污染,很难得到洁净的表面,器件的性能也有所降低,所以开发一种新的洁净的摹制二硫化钼图案的办法具有重要意义.文章介绍了一种采用界面工程的思路来摹制二硫化钼图案,利用金薄膜与二维硫化钼之间的黏附力大于二氧化硅衬底与二硫化钼之间的黏附力来揭取与金薄膜相接触的二硫化钼,从而达到摹制洁净二硫化钼图案的目的.通过这种方法得到的硫化钼的迁移率和开关比相对于传统加工方法都有提高.这种技术为提高二硫化钼的光电器件性能起到了促进作用.

摘要： 发现了对化合物半导体调控p型与n型的一直被半导体研究者们忽略的规则,这一规则将原本看上去无关的载流子浓度、p型与n型调控与材料的绝对化学式直接联系起来:可以表示为在不存在反位替代的情况下,材料的p型与n型仅由其绝对化学式决定(图1举例说明);或者说,在绝对化学式确立后,掺杂原子和空位缺陷的具体情况不影响材料的最终pn型,但会影响材料的载流子浓度和迁移率.

摘要： 文中设计并合成了3个苯基萘类液晶化合物,通过红外和核磁对其结构进行了表征,采用差示扫描量热仪(DSC)和热台偏光显微镜(POM)研究了它们的液晶行为.另外,利用渡越电流法测定了3种化合物的载流子迁移率.结果表明,3种化合物均为热致型液晶,且不同端基对液晶相范围及迁移率大小有一定的影响.不含强极性端基的化合物液晶温度低、液晶相范围宽,有一定的迁移率,而带有强极性端基的化合物情况则相反.

摘要： 一种高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管。所述制造方法包括：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；定义隔离区，在隔离区内填充SiO2；制备第一级栅极窗口；在晶圆表面沉积栅介质层后，再次在第一级栅极窗口内制备第二级栅极窗口；沉积栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域，由此形成具有2层金属场板的帽形栅结构；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。

摘要： 本发明涉及氮化物系高电子迁移率晶体管的制造方法和氮化物系高电子迁移率晶体管。提供一种用于制造氮化物系高电子迁移率晶体管的PEC蚀刻技术。氮化物系高电子迁移率晶体管的制造方法具有如下工序：在基板上的俯视下为元件区域之外的区域设置导电性构件的工序；在基板上形成掩膜的工序，所述掩模在源凹部被蚀刻区域和漏凹部被蚀刻区域中的至少一者具有开口；通过在使设置有导电性构件且形成有掩膜的基板与蚀刻液接触的状态下对基板照射光，从而进行光电化学蚀刻，形成源凹部和漏凹部中的至少一者的工序，所述蚀刻液包含接收电子的氧化剂；以及，形成元件分离结构的工序。

摘要： 本发明描述了高电子迁移率晶体管器件及制作高电子迁移率晶体管的方法，该高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有环形栅极、设置在环形栅极内的漏极区以及设置在环形栅极周围的环形源极区。环形栅极和环形源极区可以形成完整的圆圈。

摘要： 本发明涉及高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管。所述制造高电子迁移率晶体管的方法包括以下步骤：以700°C或以上且900°C或以下的第一炉温度，通过低压化学气相沉积法，在由氮化物半导体组成并且包括阻挡层的半导体叠层的表面上形成第一SiN膜；以700°C或以上且900°C或以下的第二炉温度且炉压力为1Pa或以下，通过炉中的水分和氧气，在第一SiN膜上形成界面氧化层；以700°C或以上且900°C或以下的第三炉温度，通过低压化学气相沉积法，在界面氧化层上形成第二SiN膜。

摘要： 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括沟道半导体结构(160)，其包括层的堆叠体，该层的堆叠体按照层的材料的极化幅度的顺序布置在彼此顶部上，以在由堆叠体中各对层形成的异质结处形成多个载流子沟道。层的堆叠体包括第一层和第二层。第一层的极化幅度大于在堆叠体中布置在第一层下方的第二层的极化幅度，并且第一层的宽度小于第二层的宽度以形成沟道半导体结构的阶梯轮廓。HEMT包括包含重掺杂半导体材料的源极半导体结构(140)和包含重掺杂半导体材料的漏极半导体结构(150)。HEMT包括源极(110)、漏极(120)以及调制载流子沟道的导电率的栅极(130)。栅极具有阶梯形状，该阶梯形状具有跟踪沟道半导体结构的阶梯轮廓的趋势和竖直部。

摘要： 将在由氧化铝等绝缘体构成的板状部件(11)的表面利用涂布法、蒸镀法等形成恒定膜厚的电阻膜层(12)的4个带电阻膜层部件贴合，由此形成方筒状的漂移管(10)。分别将来自漂移电压产生部(8)的规定电压施加至该漂移管(10)的两端的电阻膜层(12)，由此在漂移管(10)内的脱溶剂区域(2)以及漂移区域(3)沿着中心轴(C)形成具有直线状的电位梯度的加速电场。离子因该加速电场而漂移，根据离子迁移率被分离。带电阻膜层部件本身能够低成本地制作，漂移管(10)的组装工序也简单，因此能够以低廉的成本提供漂移管(10)。此外，电阻膜层(12)的膜厚的均匀性较高，因此，也消除了分析精度和分辨率的偏差，能够实现高精度、高分辨率。

摘要： 本发明公开了一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，选用半绝缘GaAs作为衬底层，在所述衬底层上依次逐层生长GaAs缓冲层、AlGaAs/GaAs超晶格层、未掺杂的AlGaAs层、第一掺杂层、第一AlGaAs隔离层、InGaAs沟道层、第二AlGaAs隔离层、第二掺杂层、AlGaAs势垒层、掺杂帽层，InGaAs沟道层包括依次逐层生长的第一InGaAs沟道层、第二InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层，第一InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层中的In组分均小于第二InGaAs沟道层中的In组分。本发明能够减少电子迁移率受界面散射的影响和降低中间InGaAs沟道层中由于晶格失配而产生晶体缺陷的风险。本发明还提供了一种具有上述外延材料的赝配高电子迁移率晶体管。

摘要： 一种高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管。所述制造方法包括：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；定义隔离区，在隔离区内填充SiO2；制备第一级栅极窗口；在晶圆表面沉积栅介质层后，再次在第一级栅极窗口内制备第二级栅极窗口；沉积栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域，由此形成具有2层金属场板的帽形栅结构；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。

摘要： 一种高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管，包括漏极半导体层、源极半导体层以及多个栅极半导体层，其中，漏极半导体层包括漏极主干层和多个间隔并列布置的漏极延伸层；源极半导体层包括源极主干层和多个间隔并列布置的源极延伸层，漏极半导体层的漏极延伸层的延伸侧与源极半导体层的源极延伸层的延伸侧相对布置；通过将栅极半导体层设置于相邻的两个源极延伸层之间，且环绕布置于漏极延伸层的外周，使得高电子迁移率晶体管结构在不增加整体面积的情况下，增大了栅极‑源极的相对面积，即提高了有效传导静电的面积，提高了ESD防护能力，解决了传统的高电子迁移率晶体管中存在有效传导静电的面积较小且静电释放防护能力差的问题。

摘要： 本实用新型公开了一种高电子迁移率晶体管外延结构及高电子迁移率晶体管。所述高电子迁移率晶体管外延结构包括在N面极性的半绝缘GaN衬底上依次形成的界面处理层、势垒层、隔离层、沟道层和接触层，其中，至少所述界面处理层与所述势垒层接触的表面还具有多个纳米级图形结构，且所述纳米级图形结构与所述界面处理层为同质结构。本实用新型提供的高电子迁移率晶体管外延结构具有更高的频率特性；以及，GaN衬底以及半绝缘特性能够通过前期制备完成，可以避免后期生长高阻外延层带来的不利影响；并且同质外延不存在异质衬底上高密度位错缓冲层的问题，在外延前进行适当的界面处理，可完全阻断漏电通道的产生。