公开/公告号CN110364421B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-25
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉新芯集成电路制造有限公司;
申请/专利号CN201910647531.2
发明设计人 褚海波;
申请日2019-07-17
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/67(20060101);H01L21/677(20060101);
代理机构31272 上海申新律师事务所;
代理人俞涤炯
地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
入库时间 2022-08-23 13:10:12
机译: 一种在湿法刻蚀和湿法刻蚀过程中以相同形状提高刻蚀速度的方法
机译: 一种用于III族氮化物和器件的补充电导率选择性湿法刻蚀制造方法
机译: 一种基于含氟溶液的湿法刻蚀工艺制造低氧含量的低氧含量二硼化锆粉的方法