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一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法,属于半导体制造领域,方法包括:将一晶圆竖直的送入刻蚀液,并经过一预定制程时间后,将所述晶圆竖直送出所述刻蚀液;其中,于所述晶圆完全进入所述刻蚀液后,使所述晶圆以所述晶圆的中心为轴旋转一预定角度;装置包括:传送装置、转动装置、第一控制装置、第二控制装置。上述技术方案的有益效果是:晶圆的上下部分互换,当制程时间结束以后,传送装置传送晶圆离开刻蚀液容器时,晶圆表面先浸入刻蚀溶液的下半部分先于后浸入刻蚀溶液的上半部分结束刻蚀制程,使得上下半部蚀刻量互补,有效改善了晶圆表面蚀刻的均匀度,减少了报废的风险。

著录项

  • 公开/公告号CN110364421B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉新芯集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201910647531.2

  • 发明设计人 褚海波;

    申请日2019-07-17

  • 分类号H01L21/02(20060101);H01L21/67(20060101);H01L21/677(20060101);

  • 代理机构31272 上海申新律师事务所;

  • 代理人俞涤炯

  • 地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

  • 入库时间 2022-08-23 13:10:12

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