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第五届全国固体薄膜学术会议

召开年：1996
召开地：浙江奉化
出版时间： 1997-01

主办单位：中国电子学会

会议文集：第五届全国固体薄膜学术会议论文集

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1.Bi<,4>Ti<,3>O<,12>铁电薄膜的结构与铁电性
- 刘梅冬
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：用ｓｏｌ－ｇｅｌ技术制备了具有层状钙钛矿型结构的Ｂｉ〈，４〉Ｔｉ〈，３〉Ｏ〈，１２〉铁电薄膜。
- 铁电薄膜;
2.UHV/CVD硅外延层表面形貌和晶体结构分析
- 曹青
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 硅外延层;
3.纳米半导体薄膜的结构特征与纳米电子学进展
- 林鸿溢
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 半导体薄膜;
4.高质量氧化物透明导电膜的电导机制
- 张德恒
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：在用氧化物半导体材料（ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ〈，２〉）制备的透明导电膜中主要缺陷是晶粒的间界和晶粒内的电离杂质和缺陷，在高质量的透明导电膜中，由于大的晶粒尺寸和高的载流子密度，电荷载流子的散射在低温下以电离杂质和缺陷的散射为主。
- 半导体材料;
5.气相外延生长的气体输运和表面反应动力学模型-GeSi气相外延生长
- 梁骏吾
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 气相外延生长;
6.半导体薄膜材料生长中有毒气体的治理
- 闻瑞梅
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 半导体薄膜;
7.MBE的微波电子回旋共振等离子源的原理和设计
- 黄运衡
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：微波电子回旋共振（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ，ＥＣＲ）等离子体源的电离度高，化学活性好。
- 半导体薄膜技术;
8.单晶ZnO薄膜的制备及其性能研究
- 李剑光
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：他们通过采用自行改进的磁控Ｓ枪，利用直流反应磁控技术，首次成功制备出ＺｎＯ类单晶薄膜。
- 氧化锌薄膜;
9.SOI-SIMOX薄膜材料制备及性能
- 卢殿通
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｅｒ）材料近年来的在国内外得到广泛的研究，ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路离实际应用已为期不远，作者利用离子注入制备出ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯｘｙｇｅｎ）薄膜材料，并用背散射（ＲＢＳ），扩展电阻（ＳＲ）和红外吸收（ＩＲ）等，对ＳＩＭＯＸ薄膜进行了测试。
- 固体薄膜;
10.MOCVD法硅上外延生长γ-Al<,2>O<,3>
- 昝育德
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 半导体薄膜;
11.界面态对AlGaAs/GaAsHEMT沟道层电场特性的影响
- 张兴宏
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 异质结;
12.变温沉积非晶硅薄膜及性能研究
- 杜丕一
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：该文就变温沉积非晶硅薄膜及其沉积薄膜的性能进行了研究。
- 非晶硅薄膜;
13.掺氮GaP-LED晶片紫外光激发的PL谱研究
- 王水凤
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 固体薄膜;
14.用于自对准提升硅化物结构的Co/Si多层膜的固相反应研究
- 茹国平
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 多层膜;
15.溶胶-凝胶法制备BaxSr<,1-x>TiO<,3>铁电薄膜的研究
- 王静
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：该文介绍了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＢｚｘＳｒ〈，１－ｘ〉ＴｉＯ〈，３〉（ＢＳＴ）铁电薄膜的工艺参数。
- 铁电薄膜;
16.采用ECR等离子体活化氮源低温生长GaN
- 徐茵
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 氮化镓;
17.等离子体方法聚合二乙胺
- 颜永红
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：首次以等离子体方法将二乙胺单体聚合成聚二乙胺薄膜。
- 等离子体;
18.用多晶硅吸杂和SiO<,2>背封工艺来提高硅片质量并实现产业化
- 沈天慧
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 硅片;
19.离子束辅助沉积合成梯度界面Si<,3>N<,4>/Si红外干涉滤波薄膜
- 江炳尧
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 薄膜;
20.Si(113)表面吸附氢的理论研究
- 吴汲安
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 硅;
21.硅液相外延生长的晶向自动偏离现象
- 江鉴
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 硅;
22.铝多孔介质薄膜的结构与其光学特性的研究
- 梁燕萍
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 多孔介质薄膜;
23.GS-MBE法生长GaP/Si异质结构
- 余金中
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：采用气体源分子束外延（ＧＳ－ＭＢＥ）法，成功地在（１００）Ｓｉ衬底上外延生长出ＧａＰ单晶层，该文在国内首次报道ＧａＰ／Ｓｉ异质结构的制备及其有关特性。
- 异质结构;
24.对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究
- 黄大定
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 半导体薄膜;
25.稀土离子注入Si的高效发光和微结构的研究
- 周必忠
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 发光材料;
26.用Raman光谱分析MBE生长G<,ex>Si<,1-x>膜的组份及应力
- 陈培毅
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：对ＭＢＥ生长的ＧｅｘＳｉ〈，１－ｘ〉合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组份和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内厚子排列发生了弛豫。
- 固体薄膜;
27.采用湿法刻蚀方法清除干法刻制亚微米光栅所引起的表面损伤
- 张静媛
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 光栅;
28.离子束增强沉积合成TiO<,2-x>薄膜的研究
- 张峰
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 半导体薄膜技术;
29.多孔硅薄膜的红光激发上转换荧光特性
- 王兼善
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 多孔硅薄膜;
30.Ni65Co35薄膜各向异性磁阻性能的研究
- 许俊涛
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：该文选用Ｎｉ６５Ｃｏ３５合金靶材，利用射频磁控溅射的方法成膜，采用四探针法测量磁阻率，分别研究了溅射工艺参数（工作气压、偏压、基片温度等）对薄膜磁阻性能的影响，并对影响机理作了理论上的分析；另外还对Ｎｉ６５Ｃｏ３５薄膜的热处理动力学进行了研究，求取了激活能，研究结果表明，溅射工艺参数对Ｎｉ６５Ｃｏ３５薄膜的磁阻率有着较大的影响，适当的溅射参数能有效地提高磁阻率；Ｎｉ６５Ｃｏ３５薄膜退火处理后磁阻率有明显的上升，对应的活活能为１．１５ｅＶ。
- 固体薄膜;
31.Pb(Zr<,x>Ti<,1-x>)O<,3>铁电薄膜掺钇改性的研究
- 李楚容
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 铁电薄膜;
32.磁控溅射SiC/W纳米调制多层膜的超显微硬度研究
- 周平南
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：该文用磁控溅射法在Ｓｉ基底上制备了不同调制波长λ的ＳｉＣ／Ｗ纳米多层膜，对上述纳米薄膜进行了多载荷超显微硬度测试，并研究了薄膜的硬度变化规律，以及基底对硬度测试结果的影响。
- 纳米调制多层膜;
33.GaAs表面的离子束氮化
- 姚振钰
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：采用质量分析的低能氮离子束对ＳＩ－ＧａＡｓ表面作氮化研究，初步结果表明，在选用能量为５００ｅｖ、剂量为１×１０〈’１７〉ｃｍ〈’－２〉的Ｎ〈’＋〉离子作用于室温衬底后，可以得到绝缘性质良好，界而态密度不高的优质氮化层。
- 离子束氮化;
34.GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究
- 田金法
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 固体薄膜;
35.MBE方法生长GaAs、Al<,x>Ga<,1-x>As材料的形貌分析
- 朱东海
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：该文介绍了ＭＢＥ生长实验中ＧａＡｓ，Ａｌ〈，ｘ〉Ｇａ〈，１－ｘ〉Ａｓ材料出现的几种形貌特征，并分析了它们产生的原因。
- 固体薄膜;
36.固体氧化物燃料电池YSZ薄膜Sol-Gel法研究
- 王贤仁
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：固体氧化物燃料电池（ＳＯＦＣ）的基础材料之一－－固体电解质Ｙ〈，２〉Ｏ〈，３〉稳定ＺｒＯ〈，２〉（ＹＳＺ），由于其比电阻高，为降低欧姆极化，通常采用薄膜材料。
- 固体薄膜;
37.旋涂玻璃膜的制备及其在磁微粉防氧化上的应用
- 张英兰
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 薄膜制备;
38.非晶硅薄膜用于液晶光阀光导层的电学性能研究
- 寿瑾珲
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：该文详细研究了液晶光阀光导层用的非晶硅薄的电阻，电容特性。
- 非晶硅薄膜;
39.SbOx薄膜的制备、结构及其气敏特性的研究
- 戴国瑞
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 固体薄膜;
40.用于Gb级DRAM的TiO<,2>薄膜的结构研究
- 茅昕辉
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 二氧化钛薄膜;
41.分子束外延生长AlGaAs/GaAs量子阱中红外和双色红外探测器结构
- 周增圻
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 分子束;
42.X射线双晶衍射方法分析自组织生长的InAs量子点结构
- 陈宗圭
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 固体薄膜;
43.薄膜内应力与温度特性的研究
- 罗庆芳
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 薄膜;
44.PECVD法低温制备新型SiO<,x>N<,y>薄膜材料及其界面特性的研究
- 陈萍生
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 固体薄膜;
45.β-C<,3>N<,4>晶体薄膜的表面增强喇曼研究
- 陈峰
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：用热丝化学气相沉积（ＨＦ－ＣＶＤ）方法成功地合成了β－Ｃ〈，４〉Ｎ〈，４〉晶态膜，通过ＳＥＭ观察到β－Ｃ〈，４〉Ｎ〈，４〉的晶体形貌，通过ＸＲＤ测定其晶格常数ａ＝６．２４Ａ°，ｃ＝２．３６Ａ°，与理论预测值相近，利用ＥＤＸ测定其化学成份，用表面增强喇曼获得了β－Ｃ〈，４〉Ｎ〈，４〉的喇曼振动频率峰位，并与理论预测值进行了比较。
- 晶体薄膜;
46.离子束增强沉积(IBED)制备Pt膜及其工业应用研究
- 张福民
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 薄膜制备;
47.Si液相外延层的一些特殊性
- 张仕国
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 硅液相外延;
48.几个Si{hhk}<,h＜K>高指数晶面的原子结构
- 邢益荣
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 固体薄膜;
49.电子流量域分辨技术与时域分辨技术在薄绝缘膜可靠性分析中的应用
- 谭长华
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 固体薄膜;
50.聚合物共混薄膜的蓝光发射
- 黄劲松
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 聚合物共混薄膜;
51.纳米硅薄膜的制备和特性
- 吴瑶敏
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 纳米硅薄膜;
52.纳米级CoSi<,2>薄膜高温稳定性研究
- 刘京
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：以四探针薄层电阻测试为主要手段，研究了Ｃｏ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｓｉ、Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ不同结构经快速热退火（ＲＴＡ）技术形成的ＣｏＳｉ〈，２〉的高温热稳定性，尝试了形成具有良好的高温稳定性的ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜的方法。
- 固体薄膜;
53.低温热处理对LEC-SI-GaAs中缺陷浓度和电学性质的影响
- 张砚华
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 固体薄膜;
54.用于GaN生长的蓝宝石衬底化学抛光研究
- 王晓晖
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 半导体材料;
55.Ⅲ族氮化物及其器件进展
- 陆大成
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- Ⅲ族氮化物;
56.UHV/CVD硅外延层扩展电阻与过渡区特性
- 叶志镇
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 硅外延层;
57.高密度电子封装材料界面物理的研究
- 王佑祥
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 封装材料;
58.金刚石膜的应用研究
- 顾长志
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 半导体薄膜;
59.掺氧半绝缘多晶硅(SIPOS)膜钝化技术及应用
- 刘红侠
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：掺氧半绝缘多晶硅膜具有半绝缘性和电中性，用ＳＩＰＯＳ膜进行表面钝化可屏蔽外电场和表面电荷的影响。
- 多晶硅;
60.镍钛记忆合金薄膜的制备与结构
- 徐东
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 记忆合金薄膜;
61.LPCVDLTO工艺研究
- 王嵩宇
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：该文以热力学与统计物理的理论为基础，对ＬＰＣＶＤＬＴＯ（低温氧化）工艺出现的问题进行了数理分析，从而确定了分子热运动的平均自由程与流量比及淀积压力之间的关系，并用其指导实际工作，从根本上解决反应气流不稳定这一技术难题。
- 二氧化硅膜;
62.聚乙烯基咔唑(PVK)薄膜中电子迁移率的测定
- 陈佰军
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 聚乙烯基咔唑薄膜;
63.缓冲层对GaN外延层质量影响的初步分析
- 段树坤
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 氮化镓;
64.GeSi/Si异质外延层中扩展位错对系统能的影响
- 万学元
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 半导体薄膜;
65.电荷泵技术的初步研究
- 史保华
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：该文根据电荷泵技术，用简易设备对ｎ－ＭＯＳ器件进行了初步研究，得到了不同条件下的Ｉ〈，ｃｐ〉曲线。
- 电荷泵;
66.Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜
- 张伟
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：该文首次报导了在硅衬底上用反应蒸发法沉积ＡｌＮ薄膜的技术，实验发现在衬底温度为４７０℃－８５０℃的范围内均可得到单晶薄膜，Ｘ射线衍射分析表明，薄膜只在２θ＝５８．９出现一个衍射峰，其生长晶面为（１１２０），是Ａ１Ｎ的解理面。
- 外延生长;
67.UHV/CVD硅低温外延
- 叶志镇
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 硅;
68.CVD法阳光控制硅镀膜玻璃的制备及性能研究
- 韩高荣
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
摘要：以ＳｉＨ〈，４〉作为原料气在Ｎ〈，２〉保护气氛下，采用常压化学气相沉积方法在普通浮法玻璃基板上沉积一层硅薄膜制备阳光控制硅镀膜玻璃。
- 镀膜玻璃;
69.电泳沉积法制备Y<,2>O<,3>稳定ZrO<,2>固体电解质薄膜
- 王贤仁
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年
- 电解质薄膜;
70.界面态对AlGaAs/GaAs HEMT沟道层电场特性的影响
- 张兴宏;杨玉芬
- 《第五届全国固体薄膜学术会议》 | 1996年