湿法刻蚀对ZnO:Al透明导电薄膜结构与性能的影响

摘要

室温直流磁控溅射Al2O3掺杂3wt%的ZnO靶材制备了厚度～1μm,结晶度高、表面平整光滑的ZnO:Al透明导电薄膜。研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO:Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性能的影响。研究结果表明,刻蚀对薄膜的结晶取向性无影响,经盐酸、王水和草酸刻蚀后薄膜的电阻率略有增大,从7.4mΩ·cm分别增大到8.7、8.8和8.6mΩ·cm,透光率略有下降,从80%分别下降到76%、77%和78%。0.5%的盐酸刻蚀可以获得结构良好的陷光结构。rn 薄膜在盐酸中刻蚀速率快,易产生浮胶。在草酸中刻蚀图案清晰,但存在残留。在王水中刻蚀图案清晰且无残留。