干法刻蚀

摘要： 开口面积比是微通道板(MCP)重要的性能指标,在MCP输入面进行扩口,对于MCP的探测效率、噪声因子等参数有显著的提升作用,在微光夜视仪、粒子探测器等军用、民用领域具有巨大的应用潜力。采用湿法腐蚀进行微通道板扩口,面临工艺一致性差、选择性腐蚀造成锥度尺寸难以达标等难题,实质性批量应用非常困难。针对扩口MCP难以制作和应用的问题,提出一种采用干法刻蚀进行MCP扩口的方法,阐述了干法刻蚀进行MCP扩口原理及可行性。通过建立理论模型研究干法刻蚀工艺参数如刻蚀角度、刻蚀时间等对于MCP开口面积比、通道内刻蚀深度、通道内壁刻蚀锥度等性能参数的影响,计算出合适的工艺参数范围,为开展实验研究奠定了基础。

摘要： 针对基于外延层转移技术的InP HBT与Si COMS异质集成工艺中的器件互连问题,本文系统性地开展了ICP干法刻蚀BCB(苯并环丁烯)工艺研究.重点研究了射频功率、腔室压强和刻蚀气体SF6/O2体积比等条件对刻蚀速率、刻蚀通孔洁净度和通孔侧壁形貌的影响.在此基础上通过相关刻蚀工艺的合理优化,实现了孔深5μm、深宽比1:1、侧壁光滑、高垂直度的BCB通孔制备,相关研究为后续InP HBT等化合物半导体器件与Si CMOS器件间高密度的集成和高可靠的互连提供坚实的技术支撑.

摘要： 利用飞秒激光辅助刻蚀技术,在蓝宝石表面实现了周期、占空比及高度可调的光栅结构。解决了飞秒激光加工硬脆材料时表面质量较差、碎屑堆积导致的加工精度降低和难以制备深结构的问题。蓝宝石光栅结构的粗糙度从78 nm(激光直写后)降低到了7 nm(干法刻蚀后),实现了周期为800 nm光栅,以及深宽比为4的蓝宝石微结构的制备。飞秒激光辅助刻蚀技术能够制备蓝宝石表面高平滑光栅,并对光栅各级次衍射效率进行提升。

摘要： 在硅衬底上用磁过滤阴极真空弧(FCVAD)沉积系统沉积类金刚石(DLC)膜,以镍颗粒做掩膜,在电感耦合等离子体(ICP)系统中刻蚀DLC膜进而得到DLC纳米棒.经场发射检测,DLC纳米棒阵列的开启电场低至1.990 V·μm-1,阈值电场为4.312 V·μm-1,测量到的最大电流密度达到20.248 mA·cm-2时所需的外加电场为4.563 V·μm-1.XPS和拉曼光谱确定了sp2相区域尺寸的增加,可增强场发射性能.

摘要： 研究工艺对CIS图像传感器(CMOS image sensor)的影响.通过隔离注入的优化、沉积薄膜膜质的优化、干法刻蚀工艺的优化及热制程的优化可减少硅氧界面载流子与声子群的散射,可大大减少Si-SiO2界面附近陷阱,从而降低CIS传感器的暗电流(Dark Current,DC).实验数据表明,暗电流可改善30％～82.5％,可适用于不同像素尺寸(0.7～18μm)的CIS产品.

摘要： 为了研究氮化镓刻蚀倾角、选择性和形貌与刻蚀参数之间的关系,对氮化镓的干法刻蚀工艺进行了优化.通过研究不同掩膜种类下的选择比、刻蚀形貌,记录了自偏压,测量了刻蚀速率.通过改变包括气体流量、不同气体比例、射频功率、温度、自偏压等干法刻蚀工艺参数,研究了倾斜侧壁氮化镓的刻蚀工艺.结果表明,采用氯基气体可以对氮化镓材料进行刻蚀,刻蚀侧壁及底部形貌光滑;采用氧化硅做掩膜可以获得垂直的侧壁形貌;增大钝化气体比例可以获得倾斜侧壁的氮化镓刻蚀形貌.

摘要： HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容,以实现高像素密度(PPI)显示.本文对如何改善以顶层ITO为像素电极(Pixel Top)设计的有机膜产品的公共电极ITO与数据线间短路(DCS)不良进行了工艺优化研究.首先,通过显微镜、聚焦离子束对HADS有机膜产品DCS不良发生机理进行了分析,进而提出了第一钝化绝缘层刻蚀工序省略、保留第一钝化绝缘层至公共电极与像素电极间第二钝化绝缘层刻蚀时进行"一步刻蚀"的工艺流程变更改善方案.针对新工艺流程验证中TFT栅极过孔处第一钝化绝缘层出现的底切不良,通过调整等离子增强化学气相沉积成膜参数改善第一钝化绝缘层膜质,并选取最优成膜条件进一步调整干法刻蚀参数改善刻蚀形貌,获得了优良的栅极过孔刻蚀坡度角.优化后的"一步刻蚀"工艺进行的TFT基板,其栅极过孔第一钝化绝缘层坡度角小于40°,与栅极绝缘层间无明显刻蚀台阶.量产验证有机膜缺失导致的DCS发生率降为0.通过优化工艺,在降低产品不良率的同时还减少了工艺步骤,提升了产能.

摘要： 为了进一步提高MEMS矢量水听器灵敏度,把硅纳米线作为压敏单元,将硅纳米线工艺引入到MEMS矢量水听器制备过程中,利用其所具有的巨压阻效应来提高MEMS矢量水听器的灵敏度.本文提出了一种自上而下的微加工工艺方法,将TMAH(四甲基氢氧化铵)各向异性腐蚀和干法刻蚀法结合来制备出硅纳米线,其中TMAH腐蚀形成屋檐结构,干法刻蚀形成氧化硅掩模图形以及硅纳米线.该制备方法与半导体工艺相兼容,能够实现与MEMS水声传感器的集成.

摘要： 对比干法刻蚀和湿法腐蚀,说明干法刻蚀在半导体电子工艺中的重要性.以DIENER等离子去胶机为例,介绍干法刻蚀的工艺和设备.

摘要： 本文介绍了CI基气体电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀系统对金属TiAlTi薄膜的影响.通过调节ICP干法刻蚀设备的功率、气体流量、压力等工艺参数及光刻的曝光条件,解决了干法刻蚀过程中出现的微观侧壁副产物、侧壁异物与宏观基板表面副产物沉积等异常.最终可以在一个刻蚀程序中同时解决上述三种问题,为各项目工艺开发提供有益指导.

摘要： 在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,用Ni金属作为掩膜刻蚀SiC或介质易形成接近垂直的台阶,而采用光刻胶掩膜刻蚀SiC或介质则易形成缓坡台阶。本论文通过对Ni金属掩膜下采用ICP刻蚀SiC或介质的研究,得到了干法刻蚀SiC或介质的条件,形成的台阶接近垂直,刻蚀后的SiC表面光滑,SiC或介质与Ni的刻蚀比大于10:1。用于自主外延的SiC片制作的相关器件得到了良好结果。

摘要： 研究了在阵列工程,对UV2A设计机种在ITO退火后,需利用ITO图形变化转为ASV机种,并投入成盒工程,从而减少产品损失.研究表明:常规湿法刻蚀无法刻蚀退火后ITO膜;本文在实验中,利用干法蚀刻方式,用Cl2、BCl3气体可对退火后ITO膜进行反应,BCl3气体流量越大刻蚀速率越快.干法刻蚀CD loss小,选择比较好.

摘要： 本文提出了一种基于硅基MEMS工艺的THz圆极化四元阵列天线,对MEMS干法刻蚀技术和湿法刻蚀技术进行了综合应用.通过对角锥喇叭单元进行锥形排布,降低天线副瓣.一个外置的圆极化栅使阵列具有较好的圆极化特性——在中心频率0.45THz处,3dB圆极化带宽达到7.8％.同时进一步降低了副瓣,提升了天线的辐射特性.这种高增益的圆极化阵列天线,对于THz成像系统具有很高的应用价值.

摘要： 为了提高Si基LED器件性能,同时降低器件制备成本,本研究设计并制备了一种新型的Si/SiO2图形化衬底.通过在Si(111)晶片上生长1μm厚度的SiO2介质,并结合胶回流和干法刻蚀两种工艺将SiO2介质刻蚀成周期性六方排列的半球形光子晶体阵列.在干法刻蚀过程中,通过调节刻蚀气体组分、刻蚀功率、气体流量、腔体压强等工艺参数成功地实现了理想的刻蚀形貌.这种图形化衬底在生长GaN基外延层时,可以有效地释放Si与GaN品格失配所产生的应力,进而获得较高质量的GaN基外延薄膜.

摘要： 为了提高Si基LED器件性能,同时降低器件制备成本,本研究设计并制备了一种新型的Si/Si02图形化衬底.通过在Si晶片上生长1μm厚度的Si02介质,并结合胶回流和干法刻蚀两种工艺将Si02介质刻蚀成周期性六方排列的半球形光子晶体阵列.在干法刻蚀过程中,通过调节刻蚀气体组分、刻蚀功率、气体流量、腔体压强等工艺参数成功地实现了理想的刻蚀形貌.这种图形化衬底在生长CaN基外延层时,可以有效地释放Si与GaN晶格失配所产生的应力,进而获得较高质量的GaN基外延薄膜.

摘要： 首先对各种干法刻蚀技术的原理和特点进行了总结和分析。在此基础上，针对目前作为GaN类材料主要刻蚀方法的ICP刻蚀从理论方面进行了详细的论述。ICP刻蚀对GaN基LED的损伤主要由较高的刻蚀功率、偏压和等离子体密度等引起，这些损伤可导致LED器件性能及可靠性的降低。通过分析损伤形成的机理，寻找出降低损伤的方式，可通过以下4种方式来降低损伤：合理调节刻蚀参数，在保证刻蚀速率的前提下，选择较低的功率、偏压和等离子体密度等;将经过刻蚀的材料在高温条件下退火;对等离子体刻蚀损伤的材料进行湿法刻蚀和在等离子体中处理来降低。

摘要： 长久以来多晶硅太阳能电池的制绒工艺一直都是采用HF/HNO3的酸刻蚀系统，制绒反射率为20％左右，这已逐步成为多晶硅电池发展的瓶颈工艺;而RIE(反应离子制绒)工艺采用SF6和O2以及Cl2的干法刻蚀系统，通过对工艺参数的控制可以实现1％～20％反射率，这在很大程度上增加了电池的光吸收，但RIE制绒在制绒的同时会产生一定的损伤层，需要通过HF/HNO2的去损伤处理才能实现电池效率的提升。本文主要针对RIE制绒的去损伤工艺及后续电池生产工艺进行分析，通过对不同浓度配比的HF/HNO3去损伤工艺及针对RIE制绒的扩散，表面钝化工艺进行优化，实现多晶电池效率提升的目标。

摘要： 氮化镓(GaN)及其相关的化合物半导体材料在光电子器件以及高频高功率器件领域已经取得了成功的应用，这得益于氮化镓优良的材料性能，例如：高禁，带宽度、高电子饱和速率和高击穿电压等。近年来，有关氮化镓机械性能以及压电、压阻等特性的研究揭开了其在MEMS传感器领域的应用前景。氮化镓突出的热稳定性及化学稳定性弥补了硅基传感器工作温度低、化学稳定性差的缺点，特别适合制造用于航天、航空、军事、勘探等领域需要在特殊恶劣环境下工作的传感系统。另外，基于AIGaN/GaN的高电子迁移率晶体管(H=EMT)对于应变、温度、表面离子状况等环境参数的高度敏感性，使基于HEMT的传感器和处理电路的单片集成成为可行的解决方案，并使最终实现单片集成的高灵敏度传感器与高频高功率处理电路及无线发射系统成为可能。本文提出了一种兼容体硅工艺的单掩膜版硅上氮化锡镓的MEMS微结构加工工艺，采用干法刻蚀和释放技术实现硅上氮化镓的复杂悬浮结构。

摘要： 以SiH4及O2为反应气体,采用PECVD成膜方式生成的SiO2薄膜在TFT器件中起到保护金属的作用.实际应用过程中SiO2薄膜残留问题导致产品良率受到影响,本文对其残留原因进行了深入研究和改善.

摘要： 本发明提供了一种干法刻蚀机台及干法刻蚀方法，所述干法刻蚀机台包括用于对基板进行刻蚀的制程腔，所述制程腔包括底板、升降部件、转动部件和承载部件，所述承载部件上设置有基板固定装置，进行干法刻蚀时，调整升降部件和转动部件，使基板的刻蚀面朝下，刻蚀用等离子体从底板上的气孔中释放并向上扩散至刻蚀面，该干法刻蚀机台可防止刻蚀过程中制程腔顶部和侧壁的杂质掉落至刻蚀面而影响刻蚀质量；本发明还提供了一种干法刻蚀方法，包括使用上述干法刻蚀机台对基板进行干法刻蚀的步骤，该方法可避免刻蚀过程中制程腔顶部和侧壁的杂质掉落至刻蚀面而影响刻蚀质量。

摘要： 本发明提供一种用于干法刻蚀的承载装置和干法刻蚀设备，包括相对设置的上部电极和下部电极，以及设置于所述下部电极上面向所述上部电极的一面的待刻蚀基板，所述下部电极的面积不小于待刻蚀基板的面积。本发明的有益效果是：增大了基板的有效使用面积，提升基板边缘刻蚀率的有效性。

摘要： 本发明涉及到液晶显示装置生产的技术领域，公开了一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀装置。该承载装置包括：基台；设置于所述基台并用于支撑基板的多个干刻电极；套装于每个干刻电极并将所述干刻电极与所述基板隔离的保护膜，且所述保护膜的韦氏硬度低于所述基板的韦氏硬度。在上述技术方案中，基板直接与保护膜接触，由于保护膜的韦氏硬度低于基板的韦氏硬度，因此，在基板与保护膜之间出现滑动时，保护膜不会划伤基板，提高了基板在刻蚀时的安全性，降低了刻蚀后的不良率，进而提高了基板刻蚀后的质量。

摘要： 本发明提供一种电极及其制备方法，包括该电极的干法刻蚀设备。本发明通过将电极进行分体设计，电极包括电极基体和贴合于该电极基体上表面和侧面的保护层；所述的保护层具有与电极基体相匹配的结构。当电极工作一段时间后保护层上附着的反应物及副产物即将影响到对玻璃基板的刻蚀时，可将该保护层部分更换；而不必拆卸电极进行陶瓷清洗或剥离维修，避免了高强度的电极维护作业；同时通过将保护层设计为具有弹性的膜层可以改善玻璃基板与凸起间的摩擦碰撞防止玻璃基板背部压伤性不良。

摘要： 本发明提供了一种干法刻蚀设备的下部电极基台及干法刻蚀设备，所述下部电极基台包括：基台基板；基台基板上的多个支撑结构，包括第一支撑部分和第二支撑部分，在第一状态，第一支撑部分的支撑面高于第二支撑部分的支撑面，第二支撑部分的支撑面层叠在第一支撑部分的支撑面下方；在第二状态，第二支撑部分的支撑面高于第一支撑部分的支撑面，第一支撑部分的支撑面层叠在第二支撑部分的支撑面下方；用于控制第一支撑部分和第二支撑部分在第一状态和第二状态之间切换的切换机构。本发明所提供的干法刻蚀设备的下部电极基台，可以减少由于支撑面上沉积异物而导致的压印不良，且不会产生衬底基板损伤问题。

摘要： 本发明公开了一种能增加射频放电强度的干法刻蚀射频放电增强方法。本发明还提供了一种用于执行所述干法刻蚀射频放电增强方法中步骤的计算机可读存储介质，以及一种能增加射频放电强度的干法刻蚀设备。本发明提供干法刻蚀射频放电增强方法，采用射频源激发产生等离子体，在发生射频辉光放电同时，引入脉冲放电。来增强射频放电强度，进而改善干刻工艺和提高产能。

摘要： 本发明公开了一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备，包括上部电极主体和用于套合所述上部电极主体的辅助装置；所述上部电极主体包括母材，所述母材上设有多个第一通气孔；所述辅助装置包括基板，所述基板上设有第二通气孔；所述基板覆盖所述母材表面，所述第二通气孔向外延伸至所述第一通气孔内，所述基板表面及所述第二通气孔表面具有绝缘膜。本发明中通过在上部电极主体上套合辅助装置，在干法刻蚀过程中消耗辅助装置上的绝缘膜，而对上部电极主体的母材没有损耗，可以使上部电极主体上的通气孔的孔径保持长久的稳定形态，保证干法刻蚀工艺稳定，确保了上部电极主体的反复使用性，延长了上部电极的使用寿命。

摘要： 本发明提供了一种干法刻蚀机台及干法刻蚀方法，所述干法刻蚀机台包括用于对基板进行刻蚀的制程腔，所述制程腔包括底板、升降部件、转动部件和承载部件，所述承载部件上设置有基板固定装置，进行干法刻蚀时，调整升降部件和转动部件，使基板的刻蚀面朝下，刻蚀用等离子体从底板上的气孔中释放并向上扩散至刻蚀面，该干法刻蚀机台可防止刻蚀过程中制程腔顶部和侧壁的杂质掉落至刻蚀面而影响刻蚀质量；本发明还提供了一种干法刻蚀方法，包括使用上述干法刻蚀机台对基板进行干法刻蚀的步骤，该方法可避免刻蚀过程中制程腔顶部和侧壁的杂质掉落至刻蚀面而影响刻蚀质量。

摘要： 本发明提供一种用于干法刻蚀的承载装置和干法刻蚀设备，包括相对设置的上部电极和下部电极，以及设置于所述下部电极上面向所述上部电极的一面的待刻蚀基板，所述下部电极的面积不小于待刻蚀基板的面积。本发明的有益效果是：增大了基板的有效使用面积，提升基板边缘刻蚀率的有效性。

摘要： 一种干法蚀刻机台的晶圆定位装置和干法刻蚀设备，包括盖体和压盘；该盖体通过若干连接件连接压盘，该压盘中部设有通孔以压于晶圆表面边缘，其特征在于：该连接件与压盘之间还套设有偏心环。本实用新型通过偏心环来限制压盘动作时的不良性大幅晃动，能有效避免压盘偏移造成的蚀刻均匀性不佳，甚至引发破片等风险。