MOCVD

摘要： 阐述9N超纯氨气的纯化器设计,应用于光电子领域及MOCVD设备,包括纯化器工艺设计、纯化器外观设计、纯化器仪控设计,采用两塔吸附方式,可实现现场及远端控制。

摘要： 文章根据氨气的相关特性和气体输送系统特点,对大流量超高纯氨气输送系统的工作原理、输送机理和系统设计进行了分析,针对现有技术存在的问题,对大流量超高纯氨气输送系统进行优化设计,可达到避免系统二次污染、确保流量稳定性和系统可靠性的目的。

摘要： We demonstrate a high-operating-temperature(HOT)mid-wavelength InAs/GaSb superlattice heterojunction in-frared photodetector grown by metal-organic chemical vapor deposition.High crystalline quality and the near-zero lattice mis-match of a InAs/GaSb superlattice on an InAs substrate were evidenced by high-resolution X-ray diffraction.At a bias voltage of-0.1 V and an operating temperature of 200 K,the device exhibited a 50%cutoff wavelength of~4.9μm,a dark current dens-ity of 0.012 A/cm^(2),and a peak specific detectivity of 2.3×10^(9) cm·Hz^(1/2)/W.

摘要： Beta-gallium oxide(β-Ga_(2)O_(3))thin films were deposited on c-plane(0001)sapphire substrates with different mis-cut angles along<>by metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD).The structural properties and surface morphology of as-grownβ-Ga_(2)O_(3)thin films were investigated in detail.It was found that by using thin buffer layer and mis-cut substrate technology,the full width at half maximum(FWHM)of the()diffraction peak of theβ-Ga_(2)O_(3)film is decreased from 2°on c-plane(0001)Al_(2)O_(3)substrate to 0.64°on an 8°off-angled c-plane(0001)Al_(2)O_(3)substrate.The surface root-mean-square(RMS)roughness can also be improved greatly and the value is 1.27 nm for 8°off-angled c-plane(0001)Al_(2)O_(3)substrate.Room temper-ature photoluminescence(PL)was observed,which was attributed to the self-trapped excitons formed by oxygen and gallium vacancies in the film.The ultraviolet-blue PL intensity related with oxygen and gallium vacancies is decreased with the increas-ing mis-cut angle,which is in agreement with the improved crystal quality measured by high resolution X-ray diffraction(HR-XRD).The present results provide a route for growing high qualityβ-Ga_(2)O_(3)film on Al_(2)O_(3)substrate.

摘要： Photoelectrochemical(PEC)water splitting is regarded as the most promising method to generate“green hydrogen”,and zinc oxide(ZnO)has been identified as one of the promising candidates for PEC water splitting owing to its straddling band alignment with the water redox level.However,its PEC performance is limited due to its wide bandgap and anticipated by photocorrosion in an aqueous medium.In this work,we present strategic improvements in the PEC water splitting performance of ZnO nanowires(NWs)by nitrogen(N)-doping along with photostability by the core–shell deposition of a NiOOH cocatalyst.Highly crystalline hierarchical ZnO NWs were fabricated on Si NWs(ZnO-Si HNWs)using a metal organic chemical vapor deposition approach.The NWs were then N-doped by annealing in an NH_(3) atmosphere.The N-doped ZnO-Si HNWs(N:ZnO-Si HNWs)showed enhanced visible light absorption,and suppressed recombination of the photogenerated carriers.As compared to ZnO-Si HNWs(0.045 m A cm^(-2) at 1.23 V vs RHE),the N:ZnO-Si HNWs(0.34 m A cm^(-2) at 1.23 V vs RHE)annealed in NH^(3) ambient for 3 h at 600°Cshowed 7.5-fold enhancement in the photocurrent density.NiOOH-deposited N:ZnO-Si HNW photoanodes with a photostability of 82.21%over 20000 s showed 10.69-fold higher photocurrent density(0.48 m A cm^(-2) at 1.23 V vs RHE)than ZnO-Si HNWs.

摘要： 本文通过对化合物半导体外延工序常用的MOCVD设备的生产工艺与设备组成、主要供应商、安全性保证措施进行了介绍,可以对MOCVD的生产车间的工程设计以及生产的安全运行提供一定的参考与帮助作用。

摘要： 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备深度嵌入信息技术,是高端芯片、新型传感器、工业控制计算机、智能仪器仪表与控制系统、工业软件、互联网技术、信息安全技术等的集成应用.通过对MOCVD装备的互联互通能力、自感知能力、自适应能力、自诊断能力、数据收集能力等五个方面的智能化水平进行研究,使其具备自感知、自诊断、自适应、自决策等功能.

摘要： 第二代高温超导带材制备中提升超导层的沉积速率有助于降低带材成本.本文基于自主设计的MOCVD系统在LaMnO3/epi-MgO/IBAD-MgO/Y2O3/Al2O3/哈氏合金模板基带上沉积Y(Gd)BCO高温超导薄膜.通过改变前驱体进液速率实现沉积速率的调控,采用多种分析测试方法研究Gd0.5 Y0.5 Ba2 Cu3 O7-δ(Y(Gd)BCO)薄膜结构与性能.在加热温度和气氛等工艺条件保持不变的前提下,调节沉积速率为520 nm/min时,制备得到约250 nm厚的Y(Gd)BCO超导层结构性能良好,在0 T,77 K的条件下,临界电流密度(Jc)可达到3.5 MA/cm2,临界电流(Ic)为89 A/cm,面内、面外半高宽值分别为2.36°和1.69°.即使提高沉积速率到1000 nm/min,虽然Y(Gd)BCO薄膜表面出现了a轴晶粒,但是Jc仍能保持在一个较优的水平.实验结果表明,MOCVD方法可以实现高温超导薄膜的高速率沉积.

摘要： 金属有机化学气相沉积(MOCVD)作为一种常见的金属材料制备方法,可在远低于金属熔点或分解温度的条件下制备各种金属薄膜、异质结构,这受到了研究者们的广泛青睐.而前驱体的热特性在很大程度上决定了铂薄膜的结构与性质.合适的MOCVD前驱体需要具有良好的挥发性、汽化时的热稳定性、在空气中稳定和易于制备的高产率.本文重点介绍了几种使用较广、性能优异的含铂材料制备的有机金属铂前驱体.

摘要： 金属有机化学气相沉积(MOCVD)作为一种常见的金属材料制备方法,可在远低于金属熔点或分解温度的条件下制备各种金属薄膜、异质结构,这受到了研究者们的广泛青睐。而前驱体的热特性在很大程度上决定了铂薄膜的结构与性质。合适的MOCVD前驱体需要具有良好的挥发性、汽化时的热稳定性、在空气中稳定和易于制备的高产率。本文重点介绍了几种使用较广、性能优异的含铂材料制备的有机金属铂前驱体。

摘要： 本文在InP基底上用MOCVD外延技术成功生长了InGaAsP四元系双异质结外延膜层结构,并在此基础上制作了单载流子传输的双异质结光晶体管.双晶衍射XRD显示外延层晶格失配度小于1e-4,应变层符合设计厚度;微区光荧光普显示所设计的1.3Q、1.55Q四元系InGaAsP外延层实现了准确的带隙控制;高倍光学显微镜照片显示用RIE刻蚀技术实现了准确的光晶体管脊波导结构制作.

摘要： 本文在InP基底上用MOCVD外延技术成功生长了InGaAsP四元系双异质结外延膜层结构,并在此基础上制作了单载流子传输的双异质结光晶体管.双晶衍射XRD显示外延层晶格失配度小于1e-4,应变层符合设计厚度;微区光荧光普显示所设计的1.3Q、1.55Q四元系InGaAsP外延层实现了准确的带隙控制;高倍光学显微镜照片显示用RIE刻蚀技术实现了准确的光晶体管脊波导结构制作.

摘要： 本文在InP基底上用MOCVD外延技术成功生长了InGaAsP四元系双异质结外延膜层结构,并在此基础上制作了单载流子传输的双异质结光晶体管.双晶衍射XRD显示外延层晶格失配度小于1e-4,应变层符合设计厚度;微区光荧光普显示所设计的1.3Q、1.55Q四元系InGaAsP外延层实现了准确的带隙控制;高倍光学显微镜照片显示用RIE刻蚀技术实现了准确的光晶体管脊波导结构制作.

摘要： 本文在InP基底上用MOCVD外延技术成功生长了InGaAsP四元系双异质结外延膜层结构,并在此基础上制作了单载流子传输的双异质结光晶体管.双晶衍射XRD显示外延层晶格失配度小于1e-4,应变层符合设计厚度;微区光荧光普显示所设计的1.3Q、1.55Q四元系InGaAsP外延层实现了准确的带隙控制;高倍光学显微镜照片显示用RIE刻蚀技术实现了准确的光晶体管脊波导结构制作.

摘要： 本文在InP基底上用MOCVD外延技术成功生长了InGaAsP四元系双异质结外延膜层结构,并在此基础上制作了单载流子传输的双异质结光晶体管.双晶衍射XRD显示外延层晶格失配度小于1e-4,应变层符合设计厚度;微区光荧光普显示所设计的1.3Q、1.55Q四元系InGaAsP外延层实现了准确的带隙控制;高倍光学显微镜照片显示用RIE刻蚀技术实现了准确的光晶体管脊波导结构制作.

摘要： 本文在InP基底上用MOCVD外延技术成功生长了InGaAsP四元系双异质结外延膜层结构,并在此基础上制作了单载流子传输的双异质结光晶体管.双晶衍射XRD显示外延层晶格失配度小于1e-4,应变层符合设计厚度;微区光荧光普显示所设计的1.3Q、1.55Q四元系InGaAsP外延层实现了准确的带隙控制;高倍光学显微镜照片显示用RIE刻蚀技术实现了准确的光晶体管脊波导结构制作.

摘要： GaN基蓝绿光LED广泛应用于全色显示、背光光源及固态照明等，具有非常巨大的市场，其大规模产业化技术也由此显得极为重要。主要针对GaN基蓝绿光LED材料外延中的衬底使用、有源区中极化效应、InGaN合金的晶体质量和p型GaN的生长等方面的技术问题进行分析，并介绍了相应的解决方案。

摘要： GaN基蓝绿光LED广泛应用于全色显示、背光光源及固态照明等，具有非常巨大的市场，其大规模产业化技术也由此显得极为重要。主要针对GaN基蓝绿光LED材料外延中的衬底使用、有源区中极化效应、InGaN合金的晶体质量和p型GaN的生长等方面的技术问题进行分析，并介绍了相应的解决方案。

摘要： GaN基蓝绿光LED广泛应用于全色显示、背光光源及固态照明等，具有非常巨大的市场，其大规模产业化技术也由此显得极为重要。主要针对GaN基蓝绿光LED材料外延中的衬底使用、有源区中极化效应、InGaN合金的晶体质量和p型GaN的生长等方面的技术问题进行分析，并介绍了相应的解决方案。

摘要： GaN基蓝绿光LED广泛应用于全色显示、背光光源及固态照明等，具有非常巨大的市场，其大规模产业化技术也由此显得极为重要。主要针对GaN基蓝绿光LED材料外延中的衬底使用、有源区中极化效应、InGaN合金的晶体质量和p型GaN的生长等方面的技术问题进行分析，并介绍了相应的解决方案。

摘要： 本发明公开了一种MOCVD组合喷淋头，包括固定轨道及多个单一反应源喷淋头；所述固定轨道用于固定多个所述单一反应源喷淋头；所述单一反应源喷淋头包括机动组件、扩散腔、输气管及喷嘴阵列；反应气体通过所述输气管进入所述扩散腔，并在所述扩散腔内扩散后，通过所述喷嘴阵列到达待沉积衬底的表面；所述单一反应源喷淋头通过所述机动组件连接于所述固定轨道，并通过所述机动组件沿所述固定轨道在垂直于所述待沉积衬底的表面的方向上移动。本发明调控MOCVD反应腔体内流场、控制不同类型的反应的反应进度的目的，提高MOCVD生长多元合金薄膜的均匀性与品质。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的MOCVD设备。

摘要： 本发明提供一种MOCVD处理装置以及用于MOCVD的气体供应装置，用以改善气体浪费和颗粒污染。其中的气体供应装置包括气体喷淋头(14)，气体喷淋头内设置有：第一气体扩散区(15)、第二气体扩散区(17)，第一气体扩散区包括相互气体隔离的两个扩散室(A1与A2)，第二气体扩散区包括相互气体隔离的两个扩散室(B1与B2)；多个气体通道，分别与第一气体扩散区的两个扩散室、第二气体扩散区的两个扩散室相连通，用于将各扩散室内的气体导入反应腔内；所述第一气体扩散区的两个扩散室中的至少一个以及第二气体扩散区的两个扩散室中的至少一个所容纳的气体种类能够在第一气体与第二气体之间切换。

摘要： 本发明提供一种用于MOCVD设备的旋转系统及MOCVD设备，该旋转系统包括：桶状壳体，与反应腔本体连接，且桶状壳体用于封堵反应腔本体的底部敞口，桶状壳体包括顶板及周向侧壁，周向侧壁上具有环形槽，环形槽将桶状壳体的上半部周向侧壁分隔为上半部内侧壁和上半部外侧壁；磁悬浮电机，包括定子及转子，定子套置在桶状壳体的周向侧壁外则，转子嵌设在周向侧壁的环形槽内，且上半部外侧壁为定子与转子之间的隔板；旋转筒，用于设置在反应腔本体的中空腔体内，且旋转筒与转子同步旋转；托盘，用于设置在反应腔本体的中空腔体内，且托盘位于所述旋转筒顶部，托盘与旋转筒同步旋转；加热组件，用于设置在反应腔本体的中空腔体内，且加热组件位于托盘的下方。

摘要： 本发明涉及一种MOCVD设备的加热系统及MOCVD设备，所述加热系统包括加热盘（2）、热辐射防护组件、陶瓷支撑组件、导电组件和绝缘支撑筒（6），热辐射防护组件包括基板（4）和设置在基板（4）上的反射板（3），加热盘（2）通过陶瓷支撑组件支撑在反射板（3）的上方，导电组件包括导电支撑板（5）、铜排（7）和电极（8），铜排（7）与电极（8）相连且电极（8）的上端与导电支撑板（5）相连，基板（4）通过绝缘支撑筒（6）支撑在导电支撑板（5）的上方，导电支撑板（5）通过穿过基板（4）和反射板（3）的接线柱与加热盘（2）相连。其能够满足MOCVD设备对加热系统的要求，实现其温场均匀、稳定的目标。

摘要： 本发明揭示了一种MOCVD放气装置及具有其的MOCVD装置。MOCVD放气装置包括含氧气体管路及自动控制系统，所述自动控制系统控制所述含氧气体管路中通入含氧气体的通入量。本发明增加含氧气体管路及相关的自动控制系统，实现工艺程序自动控制及工艺Run数提升，机台稼动率很大程度的提升/工艺品质的提升。并且，通过Hydride管道放气与Alkyl管路放气的双重选择，从而有效降低Alkyl管道因Coating物造成的气体流量计MFC的损坏。进一步地，还可实现有氧退火及阻止非故意掺杂导致的晶格质量下降和缺陷增多等。

摘要： 本发明涉及一种基座组件及包括其的MOCVD装置，所述基座组件通过上基座和下基座的双层结构来减少支承面上的温度偏差。根据本发明的一实施例的基座组件包括：基座，具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面；以及下基座，支承所述上基座，所述上基座和所述下基座涂布有彼此不同种类的物质。根据本发明的基座组件以及包括其的MOCVD装置，通过减少支承基板的支承面上的温度不均匀性，能够在基板上生长具有更均匀特性的薄膜，并使用通过MOCVD工艺生长的基板，能够在制作元件时获得高产率。

摘要： 本申请涉及一种MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室。MOCVD腔体结构包括：天棚；石墨基座，位于天棚的下方，天棚与石墨基座之间形成气体流道，石墨基座的上表面设有多个凹槽，凹槽的侧壁上设有进气口；多个石墨盘，分别设置于对应的凹槽内，进气口位于石墨盘上方；多个盖板，分别可开闭的设置于对应的石墨盘上方，盖板关闭时遮盖对应的石墨盘；第一气路，穿过天棚连通气体流道；第二气路，穿过天棚连通凹槽侧壁上的进气口。本申请的MOCVD腔体结构可用于在一次生长过程中实现多种外延结构的生长，提高研发的效率。

摘要： 本实用新型揭示了一种MOCVD放气装置及具有其的MOCVD装置。MOCVD放气装置包括含氧气体管路及自动控制系统，所述自动控制系统控制所述含氧气体管路中通入含氧气体的通入量。本实用新型增加含氧气体管路及相关的自动控制系统，实现工艺程序自动控制及工艺Run数提升，机台稼动率很大程度的提升/工艺品质的提升。并且，通过Hydride管道放气与Alkyl管路放气的双重选择，从而有效降低Alkyl管道因Coating物造成的气体流量计MFC的损坏。进一步地，还可实现有氧退火及阻止非故意掺杂导致的晶格质量下降和缺陷增多等。

摘要： 本实用新型提出了一种在MOCVD装置中使用的晶圆，所述晶圆包括晶圆本体和热导涂层，所述晶圆本体的背面涂覆有热导涂层。本实用新型还提出了一种MOCVD装置，所述装置包括加热丝、石墨盘和晶圆，所述石墨盘位于所述加热丝的上方，所述晶圆位于所述石墨盘的片坑中。本实用新型所提出的晶圆背面涂有导热涂层，该热导涂层可将石墨盘所传递的热量快速扩散至整个晶圆本体，使晶圆本体表面的受热更加均匀，以提升所生产电子器件整体性能的稳定性。

摘要： 本实用新型提供一种用于MOCVD系统的晶片托盘组件及MOCVD系统，所述晶片托盘组件包括晶片托盘、辅助连接件、加热部件以及支撑轴，所述晶片托盘位于所述辅助连接件的顶部，且所述晶片托盘与所述辅助连接件固定连接；所述辅助连接件的底端具有凹向与所述晶片托盘的凹槽，所述凹槽的横截面面积随着远离所述晶片托盘的距离的增大而逐渐增大；所述支撑轴的顶部具有凸起部，所述凸起部与所述凹槽相配合，以使所述辅助连接件与所述支撑轴可同步旋转；所述加热部件布置在所述晶片托盘的底部以及所述辅助连接件的周向外侧。该晶片托盘组件确保了晶片托盘的与支撑轴连接位置处的温度与其周边区域的温度保持一致，保证了晶片托盘的温度均匀性。