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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

召开年：2008
召开地：广州
出版时间： 2008-11-30

主办单位：中国电子学会;广州市科协

会议文集：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

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1.ICP刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响
- 邓俊静;齐胜利;陈志忠;田朋飞;郝茂盛;张国义
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2008年
摘要：采用了不同条件的等离子体(O2,Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,然后通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现：经O2等离子体刻蚀后,样品的Ga/N降低,PL谱的蓝带发生蓝移,这说明刻蚀减小了p-GaN中与Mg相关的自补偿作用,使得更多的Mg原子起到受主作用；另外,样品经O2等离子体处理后在表面形成了一层严重影响接触欧姆特性的氧化层,但此氧化层可经Cl2等离子体得到有效的去除。
2.优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2008年
摘要：基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数凋制沟道中二维电了气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅长0.5μm栅漏间距2μm的GaN HEMT器件,获得了场板长度与绝缘层厚度优值分别为1μm和0.5μm,其沟道电子峰值温度比无场板时下降了47%。并研究确定了场板长度优值与栅漏距以及绝缘层厚度与漏压的数学关系模型。此成果可为无电流崩塌的场板结构GaN HEMT器件设计提供理论指导。
3.InN薄膜的分子束外延生长及其p型掺杂
- 王新强;吉川明彦
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2008年
摘要：本文利用分子束外延方法,存MOCVD生长的GaN模板上生长出高质量、超甲坦的In极性InN薄膜,10μm×10μm见方的表面平整度(rms)值约为1μm。在此基础上,利用金属Mg作为p型掺杂剂进行了p型掺杂的研究工作。实验上发现了高Mg掺杂下的极性反转行为,观察到Mg掺杂对InN薄膜的晶体质量和发光性质的显著影响,通过测试不同Mg掺杂组分下InN的光荧光谱得到了Mg在InN的激活能,通过电化学CV的方法证明了p型InN的存在并得到p型InN的掺杂范围。
4.InN薄膜变温光致发光与光学吸收研究
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2008年
摘要：利用变温吸收光谱、光致荧光谱,对采用MOCVD(金属有机物气相沉淀法)制备的InN薄膜的光学性质进行了研究。rn 吸收光谱和光致发光谱的结果表明高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.69eV附近,与现阶段丰要报道值O.7eV一致。变温吸收光谱验证了InN带隙随温度升高的收缩效应。通过对变温光致发光光谱的S型变化的分析,证明低温下材料中的杂质导致的局域态载流子参与了光学跃迁,而随温度升高光学跃迁机制发生转变。拟合得到不同载流了浓度下的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,载流子浓度增加使杂质电子相瓦作用增强,导致局域化能量增大。
5.离子注入AlN单晶的荧光谱分析
- 李巍巍;赵有文;董志远;杨俊;胡炜杰
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2008年
摘要：对自成核生长的(0001)AlN单晶进行了高浓度Si、Zn离子注入掺杂。利用阴极荧光(CL)和光荧光(PL)谱分析了单晶的缺陷和发光特性。PL结果显示离子注入后AlN的带边发光峰变为位于200nm～254nm之间的宽峰,高温退火后注入产生的损伤缺陷消失,荧光强度显著增大,说明大量注入的杂质原子成为替位原子。CL结果表明一个位于457nm峰与Al空位有关。霍尔测试表明退火后样品的电阻率仍很高,说明杂质在AlN单晶中的电学激活效率较低。
6.大功率白光LED封装与应用
- 刘胜;罗小兵;刘宗源;王恺
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2008年
摘要：新型半导体照明应用对大功率白光LED的性能与成本提出了更高的要求。本文对大功率白光LED封装中的光学设计、热管理、可靠性与成本控制等四个关键因素的发展现状进行了回顾,提出晶圆级封装与应用导向型封装可能成为大功率LED封装的两个主要发展趋势。同时,本文对大功率白光LED应用中的光学设计、散热设计、驱动控制设计与加速可靠性评估等四个关键因素的发展现状也进行了回顾,并对将来技术发展趋势进行了展望。本文提出了大功率白光LED多物理景全过程协同设计的新型设计方法,以指导大功率白光LED的优化设计。
7.氮化镓结型器件的EBIC和CL研究
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2008年
摘要：本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统的测试分析。通过对EBIC的数据拟合得到不同GaN材料层的少了扩散长度。P区GaN中少子扩散长度为0.1μm左右,N区GaN中少子扩散长度约为0.6μm,非故意掺杂GaN中少子扩散长度大于1μm。通过对同一位置获得的SEM、EBIC、CL图像的比较,发现耗尽区的EBIC电流信号最强,而CL荧光信号较弱,二者信号强度大小呈互补关系。根据耗尽区的内建电场模型对这种现象做出很好的解释。
8.采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2008年
摘要：利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机物化学汽相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角,面内扭转角,横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性。我们将(0001)晶向定义为0度方向。与之垂直的方向为90度方向,分别按0度和90度两个不同方向进行x射线衍射的研究。0度方向和90度方向螺位错密度分别为1.97×1010cm-2,7.193×109cm-2,0度方向螺位错密度较大；0度和90度方向刃位错密度分别为3.23999×1010cm-2,7.35068×1010cm-2,90度方向刃位错密度较大。两个方向位错密度的差异显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。
9.高特征温度P型掺杂1.3μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器
- 季海铭;曹玉莲;杨涛;马文全;曹青;陈良惠
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2008年
摘要：为了研制输出与温度无关可直接调制的1.3微米光通信系统光源,我们生长并制作了P型掺杂1.3 μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器。条宽2.5μm、腔长1200μm的边发射激光器在室温脉冲条件下测得的激射波长为1325nm,阈值电流为13mA,输出功率达到30mW以上。为了研究器件的热稳定性,我们测试了器件在10℃-90℃温度范围内阈值电流密度随温度的变化情况。rn 1200μm腔长的激光器在10℃-60℃范围内的特征温度达到246K,表明对有源区进行P型调制掺杂有利于量子点激光器温度特性的提高。
10.MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808nm无铝量子阱激光器
- 李沛旭;夏伟;李树强;张新;汤庆敏;任忠祥;徐现刚
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2008年
摘要：设计制作了非对称宽波导结构的无铝量子阱激光器,降低了内部损耗,实现了低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,制作了100μm条宽,1500μm腔长的808nm激光器器件,镀膜后阈值电流230.5mA,斜率效率1.31W/A。连续电流条件下,得到最大输出功率超过8W,并且计算得到内吸收系数为1.7cm-1。
11.带有复合式集电区的超高速InP/InGaAs DHBT
- 程伟;金智;苏永波;刘新宇
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2008年
摘要：为了消除InP/InGaAs DHBT BC之间的导带势垒尖峰,抑制电流阻挡效应,我们设计了一种含InGaAsP复合式集电区结构的InP DHBT。利用传统三台面工艺和BCB平坦化工艺,制作的发射极尺寸1.6×15μm2的DHBT,其电流增益截止频率(ft)达到了242GHz,击穿电压(BVceo)超过5V。最大电流密度达到了2.1mA/μm2,这是国内已知的电流增益截止频率最高的HBT器件。这种高速,高电流密度和高击穿电压的InP DHBT器件,非常适合于超高速数字电路的应用。