离子注入AlN单晶的荧光谱分析

摘要

对自成核生长的(0001)AlN单晶进行了高浓度Si、Zn离子注入掺杂。利用阴极荧光(CL)和光荧光(PL)谱分析了单晶的缺陷和发光特性。PL结果显示离子注入后AlN的带边发光峰变为位于200nm～254nm之间的宽峰,高温退火后注入产生的损伤缺陷消失,荧光强度显著增大,说明大量注入的杂质原子成为替位原子。CL结果表明一个位于457nm峰与Al空位有关。霍尔测试表明退火后样品的电阻率仍很高,说明杂质在AlN单晶中的电学激活效率较低。