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程伟; 金智; 苏永波; 刘新宇;
中国电子学会;
广州市科协;
复合式集电区; 电流阻挡效应; 数字电路; 磷化铟; 双极晶体管; 击穿电压;
机译:基极或集电极中带有应变InAs / InGaAs多量子阱吸收层的InP / InGaAs异质结光电晶体管的响应特性
机译:保险人在带有Quantum Yams Ingaas的双频IngaAsp / InP激光器中的太赫兹范围的差异频率
机译:f_t和f_(max)为185 GHz的超高速InP / InGaAs SHBT
机译:带有偶极掺杂的InGaAs / InP吸收器-收集器接口的高速InP / InGaAs单旅行载流子光电二极管
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:强大的高速InGaAs / InP p – i – n光电二极管(带有光束端子)中的热过程
机译:用于ULp应用的Inp / InGaas HBT和Inalas / InGaas HBT的比较
机译:InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
机译:Alingaas / InGaASP / InP边缘发射半导体激光器,包括多个单片激光二极管
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