Тепловые процессы в мощном высокоскоростном InGaAs/InP p–i–n-фотодиоде с балочными выводами

摘要

Методом компьютерного моделирования исследованы тепловые процессы в высокоскоростном фотодиоде с балочными выводами и малой фоточувствительной областью. Установлено, что основной отвод тепла от активной светочувствительной области фотодиода происходит через анодный контакт. Показано, что в результате изменения толщины и ширины анодного контакта, а также при наличии остаточного слоя подложки InP толщиной 2 мкм можно повысить мощность, рассеиваемую прибором, в ~7,5 раза при сохранении прежней температуры активной области прибора, работающего в непрерывном режиме.