光电探测器

摘要： 本文通过能带工程设计并构筑基于全无机CsPbBr;钙钛矿纳米晶体与二维非层状硒硫化镉异质结的高性能光电探测器.异质结光电探测器展现出超高的明暗电流比值、高的响应度和大的探测率.通过稳态荧光光谱、时间分辨荧光光谱及开尔文探针显微镜等表征手段研究了异质结界面处的载流子传输动力学和传输机制.异质结光电探测器性能的增强归因于钙钛矿纳米晶体与二维非层状硒硫化镉之间有效的载流子传输能力.

摘要： 近年来,基于层状材料的光电探测器由于其独特的光电性能和巨大的应用潜力而备受关注。本文通过机械剥离单晶的方法获得了ZrSe;纳米带,并对其光电性能进行了研究。实验发现,ZrSe;纳米带在405 nm和980 nm波长下具有良好的光电响应。在偏置电压为5 V时,405 nm激光照射下的响应时间低于0.03 s,而980 nm激光照射下的响应时间也可以达到0.45s。结果表明,基于ZrSe;纳米带的光电探测器在可见光到近红外光范围内具有一定的应用潜力。

摘要： 随着现有社会的不断发展,对光电探测器的需求不断提高,但现有传统材料探测器的发展已进入瓶颈期,亟需新材料的出现,使光电探测器得到进一步的发展。石墨烯等新型二维材料相比于传统材料,具有可做成原子级尺寸、能带可调、具有柔韧性等突出优点。可满足当今社会对光电探测器性能,尺寸等方面更高需求。因此二维材料光电探测器被广泛研究,取得了丰硕的研究成果。然而二维材料光电探测器存在明显优势的同时,也存在着明显的不足之处。这将限制其在更多领域的应用,需要通过一些手段来一进步优化探测器的性能。本文着重介绍现有二维光电探测器的研究进展,并介绍采用光场增强的方式对探测器的性能进行提高,可对相关人员提供参考。

摘要： 黑硅作为一种新型光电材料,在光伏太阳能电池、光电探测器、CMOS图像传感器等领域被广泛研究,其中黑硅的光电探测技术备受关注,近些年来也取得了重要的研究进展。本文首先简单介绍了黑硅材料的结构,然后讨论了基于飞秒激光刻蚀法、湿法腐蚀、反应离子刻蚀法等方法制备的黑硅材料的性质。其次概述了基于以上方法制备的不同黑硅光电探测器的结构及性能,并讨论了黑硅器件在不同领域的应用。最后对黑硅光电探测技术进行了分析与展望,探讨了黑硅材料及器件未来的发展方向。

摘要： 介绍了一种基于石英音叉的增强型光电探测器,给出其本征频率和谐振频率的测试方法,通过对比分析了其性能和用途,具有体积小、成本低、无波长响应带宽限制等优点。

摘要： 光电探测器因可将光信号转换为电信号而被广泛地应用于视频成像、光通信、生物医学成像和运动检测等方面。但由于所采用的传统光电探测器材料对其性能带来的局限性和日益增长的新需求之间的矛盾,使得寻找新的材料迫在眉睫。近年来新兴的二维材料为制备更高性能的探测器提供了全新的材料研究平台,其中石墨烯以其独特的电学、光学与热学特性成为下一代高性能光子学最有希望的候选材料之一。本文系统地综述了不同光响应机制下石墨烯基光电探测器研究现状,并在此基础上对当下不同石墨烯基光电器件发展前景进行了细致的讨论和展望。

摘要： 为解决传统电磁式电压互感器在高电压等级设计的技术瓶颈,提出一种基于全光纤技术的电子式电压互感器。对该装置从一次侧和二次侧分别进行结构设计。将一次侧从屏蔽装置、传感模块、保偏光纤3部分进行功能介绍;将二次侧分解为光路系统和电路系统,光路系统由光源、光电探测器、环形器、Y波导调制器和保偏耦合器组成,电路系统由光电探测器、模/数转换器、数字信号处理器、可编程门阵列、数/模转换器、驱动电路组成,并分别给出原理结构图。对软件系统采用代码编写器平台编辑,从干涉光检测、模/数转换、数字信号处理、输出二次电压值、数/模转换、调制器驱动、干涉光转换等方面对电路系统给出软件流程图。通过与传统220 kV电磁式电压互感器进行误差比对试验和测量重复性试验,证明该互感器性能可靠。

摘要： 钙钛矿材料因其独特的光学和电学特性,例如高载流子迁移率、高光致发光效率、高消光系数、带隙可调等,而成为光电子领域研究的热门。然而,大多数钙钛矿材料都包含铅元素,铅的毒性问题在一定程度上阻碍了钙钛矿光电子器件的大规模产业化应用。为了突破这一限制,可以用毒性较小的化学元素,例如锡、铋、锑等,来代替钙钛矿中的铅元素。本文综述了一些有代表性的无铅钙钛矿材料的特性及它们在太阳电池、光电探测器、发光二极管等光电子器件中的应用研究进展,并对此方向未来的发展做出了展望。

摘要： 二维材料光电探测器作为新型光电探测器,具有带隙可调、易于制备柔性器件等诸多优点。进一步丰富了光电探测器的应用前景。与此同时,二维材料光电探测器也需要一定程度的优化,例如解决二硫化钼难以实现双极性调控的问题。本文着重介绍科研人员通过利用离子导体,铁电材料,局域栅等电场方式以及施加应力的力场方式对二维材料光电探测器进行增强。从而解决二维材材制备的探测器存在的一些问题,并分析现有研究的不足之处,并对其未来发展进行展望。为相关研究人员提供一定程度的参考。

摘要： 二维材料由于其原子级厚度和诸多独特物理性质受到了学术界与工业界的广泛关注,其中由石墨烯和过渡金属硫属化合物(TMDCs)堆叠而成的范德华尔斯垂直异质结更是在光电器件领域展现出巨大的应用前景。通过化学气相沉积法制备出高质量石墨烯薄膜和单层二硒化钼,然后采用湿法转移技术将两者转移并堆叠,形成垂直异质结,并采用拉曼光谱(Raman)、光致发光光谱(PL)以及原子力显微镜(AFM)对制备的样品进行表征,最后利用无掩模光刻技术制备光电器件并对其进行光电性能测试。实验结果发现MoSe_(2)/graphene异质结器件与单层MoSe_(2)光电器件相比,光电流和光响应度增强两个数量级以上,显示出该结构对于提升光电探测性能的优越性。

摘要： 本文提出一种快速的硅基CMOS光电探测器.采用纵向结构实现对光电探测器中二极管响应速度的提升,通过在光电二极管正面和背面加金属电极,可使入射光产生的光生载流子迅速转化为光电流.在对光电二极管的外延层厚度进行仿真比较后,得出光电二极管的响应度的峰值波长在780nm,在905nm时响应度为0.21A/W;此外,在频率特性方面,其-3dB带宽大于400MHz,上升时间小于10ns,相比于横向光电二极管,其上升时间减少了3/4,可以更快速地对入射光做出响应.

摘要： 量子点,又可称为纳米晶,由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光.基于量子效应，量子点在太阳能电池、发光器件、光学生物标记等领域具有广泛的应用前景。另外，碳纳米管（又名巴基管）是一种具有特殊结构（径向尺寸为纳米量级，轴向尺寸为微米量级，管子两端基本上都封口）的一维量子材料。文中探讨了基于Ⅳ-Ⅵ族窄带隙量子点（如PbS）及碳纳米管的太阳电池和新型光电探测器方面的研究进展。将量子点以及碳纳米管掺入有机聚合物材料中，或将量子点负载到碳纳米管上得到的复合物作为有源层，我们制备了新型结构的有机太阳电池和光电探测器件，得到了性能优异的器件。这种简单的掺杂方法以及垂直晶体管结构为得到高性能的光电探测器件提供了思路，也为微纳器件在军事和民用领域的发展提供了可能。

摘要： 本文使用时域测量方法对60GHz高速光电探测器的频率响应进行了测量.为获得准确测量结果,本文修正了时域测量过程中取样示波器的时基漂移、时基失真与时基抖动,以及取样示波器与光电探测器之间的阻抗失配对测量结果的影响.比对分析修正前与修正后结果,发现修正后的光电探测器时域信号具有更高的信噪比并且更加平滑,修正后的频率响应在50GHz的带内平坦度为2.7dB、在50GHz处幅度相对于低频时降低2.7dB,而修正之前的频率响应带内平坦度为4.0dB、在50GHz处幅度相对低频时降低3.2dB,修正后光电探测器频率响应明显优于修正之前情形.

摘要： 本文以AlGaInAs四元系为例，介绍GSMBE材料生长和器件研制工作常规量子型光电探测器本质上仍是一种具有宽谱响应的器件，对于能量大于其禁带宽度的光子均可以有响应。光电探测器在长波端一般表现出锐截止特征，其截止波长入。取决于材料的禁带宽度Eg，接近截止波长时响应急剧下降，此后探测器将无任何响应;在短波端光电探测器常呈现缓截止的特征，即响应随波长变短响应缓慢下降，下降速率根据材料和器件设计会有所变化，但一般不具有明显的截止波长。通过合理的设计，光电探测器的响应光谱范围和形状可以在一定范围内进行裁剪使之适应特定的探测要求，并充分抑制宽谱响应可能带来的干扰。以AlGaInP四元系及AlInP，InGaP三元系为例，选取合适的材料组分可以对探测器的响应波长进行裁剪使之满足特定要求。

摘要： 光纤光频传递具有传递精度高、应用范围广等优势,在光纤时间频率传递的三种方法中具有良好的技术优势,目前光纤光频远距离传递和光纤光频多用户网络式传递具有广阔的前景.但是在光纤光频传递的过程中,存在一些因素限制着光纤光频传递的性能.本文介绍了光纤光频传递的原理以及光纤光频传递的相位噪声补偿方法,应用拉普拉斯算子对光纤光频传递的过程进行了建模.通过对环路滤波传递函数的分析,讨论了链路传输延时和光电探测器噪声对光纤光频传递链路的影响.这些对以后进行的光纤光频传递实验具有十分重要的指导意义.

摘要： 对CH3NH3PbI3而言，相变会对PL发光光谱影响较大，制备了叉指型MAPbCl3薄膜紫外光电探测器，而且这种CH3NH3PbCl3薄膜探测器比单晶探测器展现出更好的性能通过改变CH3NH3PbBrXCl3-x中Cl/Br化学配比，实现能带调控，可获得发光峰位在470nm左右的溴氯混合钙钛矿材料。

摘要： 本文从光电探测器件的选择,微弱信号的检测放大方向出发设计了激光测距仪的接收系统,该系统选用APD作为光电探测器,提高了对微弱信号的检测能力,同时具有自动增益控制(AGC)功能,降低了近距测量中信号输出幅值过大而导致饱和失真的而引起的测量误差,提高了测距精度,降低了近距盲距.

摘要： 由于光电探测器的温度敏感性和光谱响应的非均匀性，旋转遮光带总辐射表测量的水平面总辐照度不够准确。本文旨在提出一种多元回归模型来修正这种由于温度和光谱而造成的误差。定义水平面参考总辐照度与旋转遮光表测量的水平面总辐照度之比为修正因子，该模型就建立在通过仪器温度、空气质量和太阳天顶角来估计该修正因子之上。模型的性能评估分别从短期和长期两个方面展开，以统计指标相关系数R2，平均偏差MBD，均方根误差RMSD和t-统计量为依据。这些统计测试指标显示旋转遮光表测量的水平面总辐照度在修正后与高质量的水平面总辐照度参考值具有可比性，证明了文中提出的模型是有效的。

摘要： 在信号电流比本底电流低的情况下,为了实现Φ20mm×300μm PIN探测器的有关性能测量,采用本底反向电流叠加、抵消的电流补偿法,提高PIN探测器系统信噪比2个量级以上;本文介绍这种反向电流补偿法提高PIN探测器系统测量信噪比的实现原理和途径,提供应用实例.

摘要： 在信号电流比本底电流低的情况下,为了实现Φ20mm×300μm PIN探测器的有关性能测量,采用本底反向电流叠加、抵消的电流补偿法,提高PIN探测器系统信噪比2个量级以上;本文介绍这种反向电流补偿法提高PIN探测器系统测量信噪比的实现原理和途径,提供应用实例.

摘要： 本申请涉及消防火灾探测技术领域，公开一种用于光电感烟探测器的定位支架，包括：支架本体顶面为凸起结构，凸起结构具有多个倾斜角度不同或相同的倾斜面；一个或多个第一定位部，设置于支架本体一侧的倾斜面；第二定位部，设置于支架本体另一侧倾斜面，一个或多个第一定位部的顶端均朝向第二定位部的顶端。将多个探测光源整合到一个定位支架上，便于制造时生产安装，也便于使用时的维修和更换，同时，在支架本体上设置有多个定位部，可以根据不同使用需求，安装不同数量的探测光源，以提高探测器的准确性和实用性。本申请还公开一种光电感烟探测器。

摘要： 本发明公开了一种应用于日盲光电探测器的AlN/Al

摘要： 本发明适用于光探测器技术领域，提供了一种紫外光电探测器的制备方法及紫外光电探测器，该制备方法包括：在预设衬底上依次生长缓冲层、P型欧姆接触层、倍增层、电荷层、吸收层以及N型欧姆接触层；光刻刻蚀倍增层、电荷层、吸收层以及N型欧姆接触层，分别在P型欧姆接触层上、电荷层上以及吸收层上形成台面结构；在P型欧姆接触层以及N型欧姆接触层上分别淀积形成接触电极；在P型欧姆接触层上、电荷层上以及吸收层上形成的台面结构的表面进行钝化膜淀积钝化，并光刻刻蚀接触电极上的钝化膜以露出电极，获得紫外光电探测器。本发明中P型欧姆接触层的接触面积大大增加，可有效减小接触电阻。

摘要： 本发明公开了一种遇水显色有机光电探测器封装结构及其制备方法和光电探测器，属于薄膜封装技术领域，包括衬底和有机光电探测器，所述有机光电探测器生长在所述衬底上，在所述有机光电探测器上生长有封装保护层，所述封装保护层为无机隔绝层和有机隔绝层交替叠层设置，所述有机光电探测器上首先生长有无机隔绝层，以有机层隔绝层为最后一层，且在每层无机隔绝层和有机隔绝层之下均设置有遇水显色区域。本发明的封装薄膜无机‑有机层叠层结构具有较好的隔绝水氧功能，而吸水显色区域既可以吸收水汽保持干燥，又可以通过吸水显色来了解封装后器件水汽渗透问题，可以逐一分析每层封装薄膜的渗水情况。

摘要： 本发明涉及光子探测技术领域，特别是涉及一种光电探测器、光电探测器的制备方法、光电探测器阵列和光电探测终端。本申请实施例中提供了一种光电探测器，包括衬底和形成于该衬底之上的光学谐振腔：所述光学谐振腔可包括：光吸收层，具有相对的光线入射外表面和底部外部表面，以及位于所述光线入射表面与所述底部表面之间的外侧壁；陷光结构层，覆盖于所述光线入射表面；以及光反射结构层，覆盖于所述光吸收层的所述底部外表面和/或所述外侧壁上；其中，所述光反射结构层用于反射透过所述陷光结构层射入所述光学谐振腔中的外部光线，以增加该外部光线在所述光吸收层中的传播光程，进而有效提升光电探测器的光子吸收效率。

摘要： 本发明适用于光电子技术领域，提供了一种光电探测器芯片、光电探测器芯片电路及光电探测器，该光电探测器芯片由预设光电探测器芯片和集成在预设光电探测器芯片上的汇聚透镜构成，汇聚透镜用于将入射光信号汇聚到预设光电探测器芯片的光电转换感光面上。由于入射光信号由汇聚透镜汇聚后可以经过更短且损耗更小的光程传递到预设光电探测器芯片的光电转换感光面上，因此，本发明能够使出射相同功率的更多的光传递到光电探测器芯片的光电转换感光面上，进而实现光电探测器芯片光电转换效率的提升。而且本发明相对于采用马鞍架/角铁等方式将光学透镜与预设光电探测器芯片耦合，定位精度更高、耦合难度更小且器件的一致性更好。

摘要： 本发明公开了一种应用于日盲光电探测器的AlN/Al

摘要： 本发明公开了钙钛矿光电探测器、钙钛矿光电探测器阵列及其制备方法，钙钛矿光电探测器包括依次层叠设置的导电基底、钙钛矿光电二极管层、阻挡二极管层和顶部电极；钙钛矿光电探测器阵列包括依次层叠设置的导电基底、钙钛矿光电二极管层、阻挡二极管层和顶部电极；所述导电基底刻蚀有多条沿着第一方向等间距设置的底部电极，多条底部电极组成底部电极阵列，所述顶部电极沿着第二方向等间距设有多条，多条顶部电极组成顶部电极阵列，所述底部电极阵列与顶部电极阵列垂直交叉设置。本发明首次提出一种由钙钛矿光电二极管集成阻挡二极管的新型钙钛矿光电探测器结构；本发明用简单的结构实现了钙钛矿光电探测器的阵列集成，其能够抑制电串扰问题。

摘要： 本公开的实施例公开了光电探测器的前端电路、光电探测器阵列、激光雷达和应用于激光雷达的测距方法。该光电探测器的前端电路的一具体实施方式包括淬灭模块及主动恢复模块，其中，主动恢复模块包括振荡单元，振荡单元适于在探测信号和反馈信号共同的作用下，产生脉冲振荡信号至主动恢复模块的输出端。从而，通过主动恢复模块所包括的振荡单元产生的脉冲振荡信号，将光电探测器恢复至可再次探测光子的工作状态。

摘要： 本实用新型涉及光子探测技术领域，特别是涉及一种光电探测器、光电探测器阵列和光电探测终端。本申请实施例中提供了一种光电探测器，包括衬底和形成于该衬底之上的光学谐振腔：所述光学谐振腔可包括：光吸收层，具有相对的光线入射外表面和底部外部表面，以及位于所述光线入射表面与所述底部表面之间的外侧壁；陷光结构层，覆盖于所述光线入射表面；以及光反射结构层，覆盖于所述光吸收层的所述底部外表面和/或所述外侧壁上；其中，所述光反射结构层用于反射透过所述陷光结构层射入所述光学谐振腔中的外部光线，以增加该外部光线在所述光吸收层中的传播光程，进而有效提升光电探测器的光子吸收效率。