光刻胶

摘要： 研究了碱性抛光液的pH、SiO_(2)磨料质量分数、H;O_(2)体积分数和甘氨酸质量分数对3D微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响,得到较佳的抛光液组成为:SiO_(2)5%,H;O_(2)20 mL/L,甘氨酸2.5%,pH=10。采用该抛光液时,铜和光刻胶的去除速率非常接近,满足3D微同轴加工对铜和光刻胶CMP去除速率选择性的要求。

摘要： 设计合成了一种共价键合光致产酸剂(PAG)的单分子树脂(molecular glass)材料HPS-MSF,该材料具有良好的热稳定性和成膜性。以该单分子树脂为主体材料,四甲氧基甲基甘脲(TMMGU)为交联剂进行配方,制备得到负型单分子树脂光刻胶。通过254 nm紫外曝光初步研究了光刻胶的配方、后烘及显影条件。进一步利用电子束光刻对该负型光刻胶进行评价,当TMMGU添加量为15%或30%时,在曝光剂量分别为140μC/cm^(2)和110μC/cm^(2)时,均可以得到线宽为150 nm,周期300 nm的光刻条纹。

摘要： 光刻胶是半导体器件生产过程中至关重要的化学品,国内外均对该产品的研发投入大量人力物力。文章从光刻胶的主要成分树脂为出发点,对光刻胶的种类进行了分类综述。对国内市场的光刻胶研发情况进行了简述,并对促进光刻胶研发进度提出几点建议。

摘要： 以甲基丙烯酰氯和1-金刚烷醇为原料,二氯甲烷为溶剂,采用酯化方法合成了1-金刚烷基甲基丙烯酸酯(ADMA),研究反应温度、反应时间、缚酸剂用量以及原料配比对ADMA收率的影响。结果表明:甲基丙烯酰氯与1-金刚烷醇物质的量比为1.5∶1,阻聚剂吩噻嗪和缚酸剂三乙胺质量分数分别为1.2%、49.4%,反应温度、反应时间分别为30°C、21 h为最佳反应条件,ADMA的收率为86.5%。

摘要： 石大胜华拟12.8亿元投建锂电材料项目12月3日,石大胜华(603026.SH)公告称,拟2.64亿元投资建设5万吨年湿电子化学品项目。项目分二期实施,第一期建设高纯双氧水5000吨/年,高纯氨水5000吨/年,高纯氟化氨5000吨/年,4条5000吨/年光刻胶辅材产线,计划2022年12月投产;第二期建设高纯氢氟酸5000吨/年,2条5000吨/年高纯有机试剂(包括5000吨/年乙醇胺和5000吨/年二乙二醇丁醚)产线,计划2024年8月投产,合计产能50000吨/年。

摘要： 光刻在集成电路制造工艺中占据着非常重要的位置,其中光刻胶的使用必不可少。每种光刻胶的物理和化学特性各有差异,在不同品牌型号光刻机上的表现也会有差异。为更好地匹配不同的光刻机,达成优异的光刻性能表现,使用新款光刻胶时,前处理、软烘、曝光、显影等工艺参数需要进行相应的调整。本文介绍了光刻工艺的基本流程,光刻胶的成分、理化特性及其用途,重点关注显影方式和参数对显影不洁问题的影响,阐述了一款黑色负性光刻胶工艺参数优化的过程,经过多次试验,最终得到了最佳工艺参数:软烘:100°C、120 s;曝光:i-line、150 mj/cm2;显影:扫描显影80 s。

摘要： 超构表面因其体积轻薄易于集成化,有望在某些特定场合取代传统透镜实现多功能光学器件。超构表面的光束偏转角随波长的增加而增大,与传统折射透镜相比产生相反的色散,这种色散又被称为“异常色散”或“负色散”。理论上利用超构表面的负色散和传统折射光学器件的正色散相抵消,可以完全矫正光学系统的色差。由此出发,设计了一种基于光刻胶材料,由Pancharatnam-Berry(PB)相位型超构表面作为第一透镜,传统球面透镜作为第二透镜的消色差超构表面复合透镜,利用时域有限差分数值模拟软件FDTD Solutions探索了该透镜在780~980 nm波段的聚焦性能,证明了消色差光刻胶超构表面复合透镜优异的消色差效果。相对传统的消色差超构表面通过相位补偿来消色差的方法,这种消色差设计简单且高效,为特定波段内的消色差成像提供了一定的借鉴意义。

摘要： 随着半导体产业的技术发展与进步,芯片制造在摩尔定律的推动下也在不断向先进工艺节点推进。与此同时,我们迫切需要开发与之相匹配的光刻材料来满足光刻图形化的快速发展需求。本文从光刻材料的成分和性能出发,介绍了光刻图形化技术所用的从紫外光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光胶、共轭聚合物光刻材料到导向自组装光刻材料,分析了光刻材料的发展现状,最后总结全文并对国内光刻材料的未来发展趋势进行展望。

摘要： 以智慧芽专利数据库中收录的全球126个国家/地区的半导体光刻胶相关专利文献作为研究对象,从专利申请量、申请趋势、专利法律状态、地域分布、主要申请人和技术分布等方面,分析了近50年全球半导体光刻胶领域的发展现状,并利用该领域内排名前十的国外主要申请人的专利进行关键技术识别。研究发现:全球半导体光刻胶专利活动可分为四个阶段,中国专利申请变化趋势与全球变化趋势基本一致,但中国在此领域的发展较晚且专利申请总量低于美日韩等发达国家;美日韩三国在半导体光刻胶领域处于领先地位,其中日本掌握着该领域的核心技术并长期处于垄断地位,而我国与此相比还处于发展阶段;国外代表企业在半导体光刻胶领域的关键技术主要集中在光刻胶成分结构设计及其合成工艺设计与优化上。

摘要： 随着数字化,智能化在各行各业的逐步深入应用,推动了数字经济的快速发展,作为数字化,智能化的基本载体,半导体芯片的需求量在近年来呈现出井喷式的增长,需求市场规模的增长使半导体芯片供给严重不足。使其更严重依赖进口,瓶颈效应进一步突现。在此背景下提高原生产线的生产效率,尽最大努力提升产量便成了我们的客户,光刻胶 - 半导体芯片制造工艺过程中的重要原材料供应商所面临的问题。我们采用转子泵替代原隔膜泵在过滤罐装工艺上做了大胆的探索。并取得一定效果,提升了生产效率。

摘要： 本文阐述了液晶面板用光刻胶的基本性能及工艺,简述了光刻胶的发展的现状及趋势,特别对未来光刻胶的发展趋势进行了较为详细的介绍,以期对中国液晶面板用光刻胶的研发方向有所帮助.

摘要： 利用量子点材料发光峰位连续可调、色纯度高、稳定性好等特性,量子点显示技术能够显著增强显示色域,并且非常高效.量子点彩色滤光片(QDCF)是使用量子点光刻胶(QDPR)通过光刻或喷墨打印等图案化工艺得到的像素化排列的量子点微结构.QDCF技术理论可以接近无损的转换出三原色,光穿透率可以直接变成三倍(同亮度的光源耗电变成三分之一),同时可进一步改善色域,具有非常好的应用前景.本论文中,使用无镉量子点为基础材料,通过对量子点、单体、树脂、散射粒子、溶剂、添加剂等组分的调变,探索开发了红色和绿色QDPR的基础配方,通过光刻工艺得到了QDCF,并对QDCF的背光吸收率和外部量子效率等性能进行了评价.

摘要： 为了使滤光片具有更好的粘合性及耐化学品性,以往需要在高温下进行后烘焙程序,使滤光片进行充分固化.为了在不耐高温的OLED显示器中应用滤光片,因此需要开发出能够在低温下的后烘焙中能够充分固化以显示出良好的粘合性及耐化学品性的光刻胶.论文通过对树脂结构及配方组成等实验因素的摸索,确定了低温固化光刻胶的制备方法,并进行了评价,讨论了各个因素对材料性能的影响.

摘要： 本文简述了光刻技术及光刻胶的发展过程及发展趋势,对光刻技术在集成电路和半导体分立器件的微细加工以及印刷电路板、平板显示器、触摸屏、LED等制作过程中的应用进行了概述.并重点围绕光刻胶在非集成电路制造中的应用,对其反应机理、应用性能等进行了阐述.同时还对光刻胶的市场现状及前景做了一定分析.

摘要： 随着微电子工业的蓬勃发展,集成电路向着更高分辨率的方向迈进,运用底部抗反射涂层有效地消除光刻胶技术中的驻波效应、凹缺效应,提高临界尺寸均一性和图案分辨率,引起了广大研究者的关注.本文简要介绍了光刻胶和光刻技术,底部抗反射涂层的分类、基本原理、刻蚀工艺以及其发展状况.重点对底部抗反射涂层的最新研究进展进行了总结,尤其是碱溶型底部抗反射涂层在光刻胶中的应用研究.最后对底部抗反射涂层的发展前景和方向进行了展望.

摘要： MEMS简称微机电系统,MEMS器件具有体积小、重量轻、能耗低、惯性小以及效率高、精度高、可靠性高、灵敏度高的特点,非常适于制造微型化系统.在工艺上MEMS是以半导体制造技术为基础发展起来的，其中采用了半导体技术中的光刻、腐蚀、薄膜等一系列的技术与材料。MEMS更加侧重于超精密机械加工，因而原材料之一的光刻胶的选择在MEMS加工中至关重要。以MEMS微传感器为例，基于构筑原理的不同，采用性能特点各异的光刻胶。比如：在玻璃表面部分沉积金属，并覆盖镶嵌有反应槽的上盖，所以选用了有一定厚度的正性光刻胶A24562，通过曝光、显影、沉积金属和去胶在部分玻璃表面沉积金属，再于硅片表面通过重复的曝光显影步骤。再比如，当需要具有一定厚度的光刻胶层作为反应池的一部分，所以选用了具有较好曝光均匀性的厚膜负性光刻胶SU-8，通过曝光显影得到指定形状的反应池材料。基于光刻技术的微传感器作为电传感器的一个分支，依靠低成本，高精度，批量生产等特点在生物化学检测领域逐渐崭露头角。

摘要： 成膜树脂是光刻胶的基础,是制约光刻胶发展的关键原料.随着光刻技术的分辨率由90、65和45nm迈向更先进的32nm 或以下时,与之相应的成膜树脂的研发,对光刻胶的分辨率、成像灵敏度等各项性能起着至关重要的作用.本文首先介绍了光刻胶用成膜树脂的来源广、容易提纯等特点，然后分别对负性光刻胶用成膜树脂、正性光刻胶用成膜树脂、化学放大光刻胶用成膜树脂等近几年来研究开发情况进行简要的归纳总结.

摘要： 文中利用双酚A和二乙烯基醚化合物进行反应得到一类新型缩醛聚合物.这些有机化合物可溶于常用的溶剂,具有很好的热稳定性.具有很好的储存稳定性.含有缩醛结构的化合物具有高的酸解活性且在365 nm左右具有很好的光透明性,它们可以与成膜树脂和光产酸剂等组成i-线化学增幅型光致抗蚀剂体系,初步测定了它们的成像性质.

摘要： 以02+ SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在180mtorr压力下刻蚀Glass表面PR胶.通过对TFT不同层的PR胶进行灰化刻蚀,研究干法刻蚀设备灰化能力,并通过在线电学特性测试设备EPM曲线对干法刻蚀设备灰化后的TFT器件电学特性进行测量和评估.在这里说明测试用的Glass,工艺采用TFT 6掩模版光刻工艺技术.实验结果说明干法刻蚀设备可以将PR胶完全去除,但对下面膜层的影响不同.当刻蚀Active和2nd ITO膜层上的PR胶时,电学特性受至的影响很大.当刻蚀PVX膜层上的PR胶时,电学特性受到的影响很小,但是过孔处金属存在过刻现象.通过实验还可以得出:干法刻蚀设备可以对Active和2nd ITO膜层上面的PR胶进行部分去除,在保证Active α-Silicon和2nd ITO不露出的情况下进行,剩余的PR胶可使用湿法剥离设备去除.此方法可以提升湿法剥离设备的产能.

摘要： 以02+ SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在180mtorr压力下刻蚀Glass表面PR胶.通过对TFT不同层的PR胶进行灰化刻蚀,研究干法刻蚀设备灰化能力,并通过在线电学特性测试设备EPM曲线对干法刻蚀设备灰化后的TFT器件电学特性进行测量和评估.在这里说明测试用的Glass,工艺采用TFT 6掩模版光刻工艺技术.实验结果说明干法刻蚀设备可以将PR胶完全去除,但对下面膜层的影响不同.当刻蚀Active和2nd ITO膜层上的PR胶时,电学特性受至的影响很大.当刻蚀PVX膜层上的PR胶时,电学特性受到的影响很小,但是过孔处金属存在过刻现象.通过实验还可以得出:干法刻蚀设备可以对Active和2nd ITO膜层上面的PR胶进行部分去除,在保证Active α-Silicon和2nd ITO不露出的情况下进行,剩余的PR胶可使用湿法剥离设备去除.此方法可以提升湿法剥离设备的产能.

摘要： 本发明涉及一种光刻胶剥离剂组合物、用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法以及制备液晶显示器或半导体器件的方法。在剥离工艺和剥离光刻剂的已知步骤中，该光刻胶剥离剂组合物能够在短时间内在低温下彻底剥离由于过度的光刻工艺造成的变性的光刻胶膜，即使仅通过水而非异丙醇作为中间冲洗溶液进行冲洗也不破坏光刻胶下部的导电膜或绝缘膜，并且其对光刻胶下部的导电金属膜或绝缘膜具有极佳的缓蚀能力。

摘要： 本发明公开了包含以下通式所示的单体的聚合物以及包含该聚合物的光刻胶组合物。由于所述包含饱和环烃基的醇酯基团脱保护反应的活化能较低，因此该聚合物和光刻胶组合物可以改进分辨率和工艺裕度，并且由于其具有稳定的PEB(曝光后烘焙)温度敏感性，因此可产生精细的光刻胶图案，并改进光刻胶层的聚焦深度裕度和线条边缘粗糙度。在上述通式中，R*为氢或甲基，R1为具有1至5个碳原子的饱和烃基，R为具有3至50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或杂多环烃基，以及n为至少等于2的整数。

摘要： 一种光刻胶气相沉积系统包含：真空腔室，真空腔室具有加热元件以及用于固持基板的冷却卡盘，真空腔室具有加热的入口；以及气相沉积系统，气相沉积系统连接至加热的入口，以使前驱物挥发进入真空腔室中，以在由冷却卡盘冷却的基板之上凝结光刻胶。沉积系统产生半导体晶片系统，半导体晶片系统包含：半导体晶片，以及在半导体晶片之上的气相沉积的光刻胶。需要半导体晶片系统的极紫外线光刻系统包含：极紫外线光源；镜，镜用于引导来自极紫外线光源的光；中间掩模台，中间掩模台用于使来自极紫外线光源的光成像；以及晶片台，晶片台用于放置具有气相沉积的光刻胶的半导体晶片。

摘要： 一种光刻版图、光刻胶图形及测量光刻胶图形曝光误差的方法，其中，所述光刻版图包括：第一单元区图形，所述第一单元区图形为矩形；位于所述第一单元区图形四个顶角外侧的四个第一标记图形，所述第一标记图形为“L”形，所述“L”形的两边分别与构成所述第一单元区图形顶角的相邻两边平行；位于所述第一单元区图形的一个顶角和所对应的第一标记图形外侧的第二标记，所述第二标记图形为“十”形，构成所述“十”形的两边分别与所对应的第一标记图形的两边平行。以所述光刻版图形成光刻胶图形时，仅需进行一次测量，即可得到在同一光刻胶层上两次曝光之间的曝光误差，减少了测量步骤，节约了测试时间。

摘要： 本发明公开了一种光刻胶回吸装置、光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法，涉及半导体制造技术领域，其中光刻胶回吸装置包括监测器、通断回吸机构以及控制器，监测器安装在光刻胶涂布设备上，用于监测光刻胶涂布设备中光刻胶喷嘴内的光刻胶液柱；通断回吸机构设置在光刻胶涂布设备的光刻胶管路上，通断回吸机构中的调节组件用于调节光刻胶管路中光刻胶的回吸量，以控制与光刻胶管路连通的光刻胶喷嘴内的光刻胶液柱的位置；控制器分别与监测器和通断回吸机构信号连接，用于接收监测器反馈的信号，以及控制通断回吸机构的开闭。本发明公开的光刻胶回吸装置能够避免光刻胶因距离光刻胶喷嘴的开口过近而发生凝结或滴落。

摘要： 本发明公开了包含右式所示的单体的聚合物以及包含该聚合物的光刻胶组合物。由于所述包含饱和环烃基的醇酯基团脱保护反应的活化能较低，因此该聚合物和光刻胶组合物可以改进分辨率和工艺裕度，并且由于其具有稳定的PEB(曝光后烘焙)温度敏感性，因此可产生精细的光刻胶图案，并改进光刻胶层的聚焦深度裕度和线条边缘粗糙度。在通式中，R*为氢或甲基，R1为具有1至5个碳原子的饱和烃基，R为具有3至50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或杂多环烃基，以及n为至少等于2的整数。

摘要： 提供能够适用于湿浸式刻蚀工艺的光刻胶保护膜、能够形成该保护膜的光刻胶保护膜用组合物、使用该光刻胶保护膜的光刻胶图形形成方法。该光刻胶保护膜用组合物含有含氟聚合物和溶剂(水、醇或含氟溶剂)，上述含氟聚合物具有选自－COOH、－SO

摘要： 提供一种光刻胶液制备方法，该方法既可降低光刻胶液输送成本，又可避免使用按原样直接连接至现有LCD面板生产线的高价小型专用容器，并由此可以在总体上减少光刻胶液的供给成本。在该光刻胶液制备方法中，测定调合罐内液体的浓度或粘度中的至少一种，基于该测定结果通过调节原料液和溶剂的注入量而进行稀释控制，同时将通过稀释控制而得到的产品用光刻胶液在缓冲槽中贮存一定时间使其稳定化。

摘要： 本发明涉及光刻材料技术领域，特别是涉及一种正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺。本发明通过选用聚酰胺作为原料，并在其芳环上修饰羟基，以调整聚酰胺在光刻胶溶剂中的溶解性，且可以提供与交联剂反应的位点。聚酰胺树脂与交联剂的反应产物溶解性下降，被固化于基材表面形成胶膜；光刻过程中，曝光部分的光酸发生剂产生光酸，使得架桥解离，再次变成可以被碱性显影液洗去的聚酰胺和交联剂，从而使未曝光部分的图案得以保留。由于聚酰胺与交联剂形成的架桥作用力较弱，即使是较弱的光酸产生剂也能适用于本发明的方案，从而拓宽了光刻胶成品的应用范围；而且，由于光刻胶结构中引入了聚酰胺，光刻胶成品膜的耐热性能有明显的提升。

摘要： 本发明涉及光刻材料技术领域，特别是涉及聚合物、光刻胶、光刻胶层及光刻工艺。本发明通过采用式I所示的聚合物作为光刻胶原料，并限定其重均分子量在一定范围内，相较于传统的酚醛树脂等树脂原料，其具有更好的耐热性和稳定性，制得的光刻胶层能适用于更苛刻的器件加工条件；其在碱性显影液中的溶解度适中，在光刻胶常用溶剂中溶解度较好，能很好地平衡溶解度的问题，较传统技术能成像更好、更精细，且生产效率更高。