光刻胶
光刻胶的相关文献在1972年到2023年内共计3920篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、化学工业、工业经济
等领域,其中期刊论文448篇、会议论文55篇、专利文献178945篇;相关期刊191种,包括微细加工技术、电子工业专用设备、集成电路应用等;
相关会议44种,包括中国感光学会2016年学术年会暨第九届四次理事会、2015全国非银盐成像材料及光刻胶发展论坛、中国感光学会第九次会员代表大会暨2014年学术年会等;光刻胶的相关文献由5300位作者贡献,包括彭洪修、刘兵、毛智彪等。
光刻胶—发文量
专利文献>
论文:178945篇
占比:99.72%
总计:179448篇
光刻胶
-研究学者
- 彭洪修
- 刘兵
- 毛智彪
- 傅志伟
- 潘新刚
- 许从应
- 史永涛
- 冉瑞成
- 顾大公
- 贺宝元
- 马潇
- 邵严亮
- 孙广胜
- 沈吉
- C-B·徐
- 不公告发明人
- 刘骢
- 贺晓彬
- 郑祥飞
- 上谷保则
- 于天君
- 曾毅
- 李嫕
- 陈金平
- 尹锡壹
- 刘敬成
- 刘晓亚
- 宋里千
- 陈鹏
- 余文卿
- 刘仁
- 卢炳宏
- 曹惠英
- 穆启道
- 张成根
- 杨国强
- 毛国平
- 王双青
- 纪昌炜
- 金柄郁
- 孙逊运
- 李伟
- 林锺吉
- 赵建龙
- 金在植
- 张兵
- 张宁
- 李永斌
- 王晓伟
- 薛富奎
-
-
李森;
王胜利;
李红亮;
王辰伟;
雷双双;
刘启旭
-
-
摘要:
研究了碱性抛光液的pH、SiO_(2)磨料质量分数、H;O_(2)体积分数和甘氨酸质量分数对3D微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响,得到较佳的抛光液组成为:SiO_(2)5%,H;O_(2)20 mL/L,甘氨酸2.5%,pH=10。采用该抛光液时,铜和光刻胶的去除速率非常接近,满足3D微同轴加工对铜和光刻胶CMP去除速率选择性的要求。
-
-
张卫杰;
陈金平;
于天君;
曾毅;
李嫕
-
-
摘要:
设计合成了一种共价键合光致产酸剂(PAG)的单分子树脂(molecular glass)材料HPS-MSF,该材料具有良好的热稳定性和成膜性。以该单分子树脂为主体材料,四甲氧基甲基甘脲(TMMGU)为交联剂进行配方,制备得到负型单分子树脂光刻胶。通过254 nm紫外曝光初步研究了光刻胶的配方、后烘及显影条件。进一步利用电子束光刻对该负型光刻胶进行评价,当TMMGU添加量为15%或30%时,在曝光剂量分别为140μC/cm^(2)和110μC/cm^(2)时,均可以得到线宽为150 nm,周期300 nm的光刻条纹。
-
-
苏义旭;
马亮亮
-
-
摘要:
光刻胶是半导体器件生产过程中至关重要的化学品,国内外均对该产品的研发投入大量人力物力。文章从光刻胶的主要成分树脂为出发点,对光刻胶的种类进行了分类综述。对国内市场的光刻胶研发情况进行了简述,并对促进光刻胶研发进度提出几点建议。
-
-
陈曦;
孙芳
-
-
摘要:
以甲基丙烯酰氯和1-金刚烷醇为原料,二氯甲烷为溶剂,采用酯化方法合成了1-金刚烷基甲基丙烯酸酯(ADMA),研究反应温度、反应时间、缚酸剂用量以及原料配比对ADMA收率的影响。结果表明:甲基丙烯酰氯与1-金刚烷醇物质的量比为1.5∶1,阻聚剂吩噻嗪和缚酸剂三乙胺质量分数分别为1.2%、49.4%,反应温度、反应时间分别为30°C、21 h为最佳反应条件,ADMA的收率为86.5%。
-
-
江海
-
-
摘要:
石大胜华拟12.8亿元投建锂电材料项目12月3日,石大胜华(603026.SH)公告称,拟2.64亿元投资建设5万吨年湿电子化学品项目。项目分二期实施,第一期建设高纯双氧水5000吨/年,高纯氨水5000吨/年,高纯氟化氨5000吨/年,4条5000吨/年光刻胶辅材产线,计划2022年12月投产;第二期建设高纯氢氟酸5000吨/年,2条5000吨/年高纯有机试剂(包括5000吨/年乙醇胺和5000吨/年二乙二醇丁醚)产线,计划2024年8月投产,合计产能50000吨/年。
-
-
王岩;
李杰欣;
杨亮
-
-
摘要:
光刻在集成电路制造工艺中占据着非常重要的位置,其中光刻胶的使用必不可少。每种光刻胶的物理和化学特性各有差异,在不同品牌型号光刻机上的表现也会有差异。为更好地匹配不同的光刻机,达成优异的光刻性能表现,使用新款光刻胶时,前处理、软烘、曝光、显影等工艺参数需要进行相应的调整。本文介绍了光刻工艺的基本流程,光刻胶的成分、理化特性及其用途,重点关注显影方式和参数对显影不洁问题的影响,阐述了一款黑色负性光刻胶工艺参数优化的过程,经过多次试验,最终得到了最佳工艺参数:软烘:100°C、120 s;曝光:i-line、150 mj/cm2;显影:扫描显影80 s。
-
-
张敏;
陆咏诤;
彭嘉;
文静
-
-
摘要:
超构表面因其体积轻薄易于集成化,有望在某些特定场合取代传统透镜实现多功能光学器件。超构表面的光束偏转角随波长的增加而增大,与传统折射透镜相比产生相反的色散,这种色散又被称为“异常色散”或“负色散”。理论上利用超构表面的负色散和传统折射光学器件的正色散相抵消,可以完全矫正光学系统的色差。由此出发,设计了一种基于光刻胶材料,由Pancharatnam-Berry(PB)相位型超构表面作为第一透镜,传统球面透镜作为第二透镜的消色差超构表面复合透镜,利用时域有限差分数值模拟软件FDTD Solutions探索了该透镜在780~980 nm波段的聚焦性能,证明了消色差光刻胶超构表面复合透镜优异的消色差效果。相对传统的消色差超构表面通过相位补偿来消色差的方法,这种消色差设计简单且高效,为特定波段内的消色差成像提供了一定的借鉴意义。
-
-
李自力;
徐兴冉;
湛江浩;
胡晓华;
张子英;
熊诗圣
-
-
摘要:
随着半导体产业的技术发展与进步,芯片制造在摩尔定律的推动下也在不断向先进工艺节点推进。与此同时,我们迫切需要开发与之相匹配的光刻材料来满足光刻图形化的快速发展需求。本文从光刻材料的成分和性能出发,介绍了光刻图形化技术所用的从紫外光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光胶、共轭聚合物光刻材料到导向自组装光刻材料,分析了光刻材料的发展现状,最后总结全文并对国内光刻材料的未来发展趋势进行展望。
-
-
曹燕;
李琳珊;
毛一雷;
张瑞
-
-
摘要:
以智慧芽专利数据库中收录的全球126个国家/地区的半导体光刻胶相关专利文献作为研究对象,从专利申请量、申请趋势、专利法律状态、地域分布、主要申请人和技术分布等方面,分析了近50年全球半导体光刻胶领域的发展现状,并利用该领域内排名前十的国外主要申请人的专利进行关键技术识别。研究发现:全球半导体光刻胶专利活动可分为四个阶段,中国专利申请变化趋势与全球变化趋势基本一致,但中国在此领域的发展较晚且专利申请总量低于美日韩等发达国家;美日韩三国在半导体光刻胶领域处于领先地位,其中日本掌握着该领域的核心技术并长期处于垄断地位,而我国与此相比还处于发展阶段;国外代表企业在半导体光刻胶领域的关键技术主要集中在光刻胶成分结构设计及其合成工艺设计与优化上。
-
-
朱弘
-
-
摘要:
随着数字化,智能化在各行各业的逐步深入应用,推动了数字经济的快速发展,作为数字化,智能化的基本载体,半导体芯片的需求量在近年来呈现出井喷式的增长,需求市场规模的增长使半导体芯片供给严重不足。使其更严重依赖进口,瓶颈效应进一步突现。在此背景下提高原生产线的生产效率,尽最大努力提升产量便成了我们的客户,光刻胶 - 半导体芯片制造工艺过程中的重要原材料供应商所面临的问题。我们采用转子泵替代原隔膜泵在过滤罐装工艺上做了大胆的探索。并取得一定效果,提升了生产效率。
-
-
-
YUE Shuang;
岳爽;
李琳;
LI Lin;
ZHAO Ming;
赵明;
WANG Miao;
王淼;
WU Jing wei;
吴京玮;
WANG Xue Lan;
王雪兰;
JIA Gang Gang;
贾刚刚;
梁珂;
LIANG Ke;
LU Jin Bo;
陆金波
- 《2018中国显示学术会议》
| 2018年
-
摘要:
利用量子点材料发光峰位连续可调、色纯度高、稳定性好等特性,量子点显示技术能够显著增强显示色域,并且非常高效.量子点彩色滤光片(QDCF)是使用量子点光刻胶(QDPR)通过光刻或喷墨打印等图案化工艺得到的像素化排列的量子点微结构.QDCF技术理论可以接近无损的转换出三原色,光穿透率可以直接变成三倍(同亮度的光源耗电变成三分之一),同时可进一步改善色域,具有非常好的应用前景.本论文中,使用无镉量子点为基础材料,通过对量子点、单体、树脂、散射粒子、溶剂、添加剂等组分的调变,探索开发了红色和绿色QDPR的基础配方,通过光刻工艺得到了QDCF,并对QDCF的背光吸收率和外部量子效率等性能进行了评价.
-
-
WANG Miao;
王淼;
陆金波
- 《2018中国显示学术会议》
| 2018年
-
摘要:
为了使滤光片具有更好的粘合性及耐化学品性,以往需要在高温下进行后烘焙程序,使滤光片进行充分固化.为了在不耐高温的OLED显示器中应用滤光片,因此需要开发出能够在低温下的后烘焙中能够充分固化以显示出良好的粘合性及耐化学品性的光刻胶.论文通过对树脂结构及配方组成等实验因素的摸索,确定了低温固化光刻胶的制备方法,并进行了评价,讨论了各个因素对材料性能的影响.
-
-
-
-
邹应全
- 《中国感光学会第九次会员代表大会暨2014年学术年会》
| 2014年
-
摘要:
MEMS简称微机电系统,MEMS器件具有体积小、重量轻、能耗低、惯性小以及效率高、精度高、可靠性高、灵敏度高的特点,非常适于制造微型化系统.在工艺上MEMS是以半导体制造技术为基础发展起来的,其中采用了半导体技术中的光刻、腐蚀、薄膜等一系列的技术与材料。MEMS更加侧重于超精密机械加工,因而原材料之一的光刻胶的选择在MEMS加工中至关重要。以MEMS微传感器为例,基于构筑原理的不同,采用性能特点各异的光刻胶。比如:在玻璃表面部分沉积金属,并覆盖镶嵌有反应槽的上盖,所以选用了有一定厚度的正性光刻胶A24562,通过曝光、显影、沉积金属和去胶在部分玻璃表面沉积金属,再于硅片表面通过重复的曝光显影步骤。再比如,当需要具有一定厚度的光刻胶层作为反应池的一部分,所以选用了具有较好曝光均匀性的厚膜负性光刻胶SU-8,通过曝光显影得到指定形状的反应池材料。基于光刻技术的微传感器作为电传感器的一个分支,依靠低成本,高精度,批量生产等特点在生物化学检测领域逐渐崭露头角。
-
-
-
-
DONG Yiping;
董宜萍;
XIE Haizheng;
谢海征;
XIAO Hongxi;
肖红玺;
XU Bin;
徐斌;
LIU Huanping;
刘还平
- 《2014中国平板显示学术会议》
| 2014年
-
摘要:
以02+ SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在180mtorr压力下刻蚀Glass表面PR胶.通过对TFT不同层的PR胶进行灰化刻蚀,研究干法刻蚀设备灰化能力,并通过在线电学特性测试设备EPM曲线对干法刻蚀设备灰化后的TFT器件电学特性进行测量和评估.在这里说明测试用的Glass,工艺采用TFT 6掩模版光刻工艺技术.实验结果说明干法刻蚀设备可以将PR胶完全去除,但对下面膜层的影响不同.当刻蚀Active和2nd ITO膜层上的PR胶时,电学特性受至的影响很大.当刻蚀PVX膜层上的PR胶时,电学特性受到的影响很小,但是过孔处金属存在过刻现象.通过实验还可以得出:干法刻蚀设备可以对Active和2nd ITO膜层上面的PR胶进行部分去除,在保证Active α-Silicon和2nd ITO不露出的情况下进行,剩余的PR胶可使用湿法剥离设备去除.此方法可以提升湿法剥离设备的产能.
-
-
DONG Yiping;
董宜萍;
XIE Haizheng;
谢海征;
XIAO Hongxi;
肖红玺;
XU Bin;
徐斌;
LIU Huanping;
刘还平
- 《2014中国平板显示学术会议》
| 2014年
-
摘要:
以02+ SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在180mtorr压力下刻蚀Glass表面PR胶.通过对TFT不同层的PR胶进行灰化刻蚀,研究干法刻蚀设备灰化能力,并通过在线电学特性测试设备EPM曲线对干法刻蚀设备灰化后的TFT器件电学特性进行测量和评估.在这里说明测试用的Glass,工艺采用TFT 6掩模版光刻工艺技术.实验结果说明干法刻蚀设备可以将PR胶完全去除,但对下面膜层的影响不同.当刻蚀Active和2nd ITO膜层上的PR胶时,电学特性受至的影响很大.当刻蚀PVX膜层上的PR胶时,电学特性受到的影响很小,但是过孔处金属存在过刻现象.通过实验还可以得出:干法刻蚀设备可以对Active和2nd ITO膜层上面的PR胶进行部分去除,在保证Active α-Silicon和2nd ITO不露出的情况下进行,剩余的PR胶可使用湿法剥离设备去除.此方法可以提升湿法剥离设备的产能.