负性黑色光刻胶光刻工艺参数的优化研究

摘要

光刻在集成电路制造工艺中占据着非常重要的位置,其中光刻胶的使用必不可少。每种光刻胶的物理和化学特性各有差异,在不同品牌型号光刻机上的表现也会有差异。为更好地匹配不同的光刻机,达成优异的光刻性能表现,使用新款光刻胶时,前处理、软烘、曝光、显影等工艺参数需要进行相应的调整。本文介绍了光刻工艺的基本流程,光刻胶的成分、理化特性及其用途,重点关注显影方式和参数对显影不洁问题的影响,阐述了一款黑色负性光刻胶工艺参数优化的过程,经过多次试验,最终得到了最佳工艺参数:软烘:100℃、120 s;曝光:i-line、150 mj/cm2;显影:扫描显影80 s。