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薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究

     

摘要

光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一.初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势.结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素.通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7 Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s.

著录项

  • 来源
    《液晶与显示》|2008年第2期|183-187|共5页
  • 作者单位

    北京交通大学,光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;

    北京京东方光电科技有限公司,北京,100176;

    北京京东方光电科技有限公司,北京,100176;

    北京京东方光电科技有限公司,北京,100176;

    北京交通大学,光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;

    北京京东方光电科技有限公司,北京,100176;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN321.5;
  • 关键词

    薄膜晶体管; 四次光刻; 光刻胶; 灰化;

  • 入库时间 2022-08-18 08:58:35

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