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刘翔; 王章涛; 崔祥彦; 邓振波; 王海军;
北京交通大学,光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;
北京京东方光电科技有限公司,北京,100176;
薄膜晶体管; 四次光刻; 光刻胶; 灰化;
机译:超低k相容性二氧化碳原位光刻胶灰化过程的机理研究。一,工艺性能及其对ULK材料改性的影响
机译:超低k相容性二氧化碳原位光刻胶灰化过程的机理研究。二。与先前的碳氟化合物等离子体超蚀刻工艺的相互作用
机译:超低k相容性二氧化碳原位光刻胶灰化过程的机理研究。二。与先前的碳氟化合物等离子体超低k蚀刻工艺的相互作用
机译:使用无机硫属化物光刻胶通过光刻工艺制造用于红外的微透镜阵列
机译:157 nm光刻胶材料的特性,用于高级光刻工艺。
机译:SU-8厚光刻胶紫外光刻工艺的综合模拟
机译:XTC光刻工艺ARF光刻胶的设计与开发
机译:使用氧化化学法评估后灰化光刻胶清洁
机译:具有灰化步骤的半导体器件的制造工艺,该灰化步骤用于由NxHy气体产生的等离子体中的光刻胶掩模
机译:在滤色器制造过程中使用的彩色光刻胶去除方法,包括在基板上依次执行等离子体灰化,湿法蚀刻和等离子体灰化工艺,以去除基板上的彩色光刻胶残留物
机译:光刻工艺中的光刻胶涂布系统及光刻胶涂布方法
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