掩膜

摘要： 自动化、智能化是变电站发展的趋势,越来越多的自动巡检机器人被应用于巡检工作中。红外图像检漏技术是常用的电气设备SF_(6)气体检漏手段,既可以针对局部查找漏点,又可以快速大范围巡检。因此,对红外检漏自动定位算法的研究有其必要性。本文研究一种SF_(6)红外检漏视频定位算法,它既可用于变电站自动巡检机器人的红外检漏自动定位,亦可用于手持式红外图像检漏仪辅助定位。首先将红外图像灰度化,并利用高斯模糊技术消除噪声干扰;其次通过阈值变换在首帧图像中识别设备区域,得到掩膜;然后基于漏点位置相对固定且持续的特性,使用累积帧间差分法获取红外图像的累积变化;最后根据掩膜排除不在设备区域的干扰,对SF_(6)泄漏点进行定位和统计。实验表明,该算法能准确定位SF_(6)漏点位置,运算速度快且抗干扰性好。

摘要： “PERC+SE”单晶硅太阳电池制备过程中,相较于传统的酸抛工艺,在碱抛光工艺之前(即氧化环节)先要制备氧化层SiO_(2)膜作为掩膜,以保护硅片正面。目前,行业内主要有2种制备SiO_(2)膜的方式,一种是采用管式扩散炉,另一种是采用链式氧化炉。从实际应用来看,相较于管式扩散炉,链式氧化炉的生产线兼容性更好,产能也更高;而从理论上来看,管式扩散炉比链式氧化炉制备的SiO_(2)膜更加致密,膜层对掺杂区域的保护也更好。对于这2种设备,从制备的SiO_(2)膜厚度,硅片氧化前、后和碱抛光后的方块电阻变化,以及制得的“PERC+选择性发射极(SE)”单晶硅太阳电池的电性能3个方面进行详细对比。结果显示:管式扩散炉与链式氧化炉制备的SiO_(2)膜对SE激光重掺杂区域的保护效果略有差别,但对太阳电池电性能的影响较小,可忽略。因此,结合生产线兼容性及产能情况,链式氧化炉比管式扩散炉更具有推广优势。

摘要： 提出了一种基于掩埋金属掩膜的表面光栅分布反馈半导体激光器制备工艺,该工艺方案可以减小器件工艺对光栅结构的影响,无需额外增加光栅保护工艺。在半导体外延片表面预先制作Ni-Au金属层,形成光栅的硬掩膜;完成波导和钝化层工艺后,去除波导结构表面的钝化层形成电极注入窗口的同时,露出掩埋的Ni-Au金属掩膜;在掩埋Ni-Au金属掩膜和钝化层的共同阻挡作用下,进行干法刻蚀工艺,在脊波导表面形成光栅结构。采用该工艺方案制备了光栅周期为10μm的高阶表面光栅DFB半导体激光器件。实验结果表明,与光刻胶作为表面光栅刻蚀掩膜的工艺相比,掩埋金属掩膜工艺方案保证了表面光栅的形貌,使光栅内的折射率具有更好的周期性分布,器件的单纵模半高全宽由0.56 nm降至0.23 nm,且在输入电流为1 A的情况下可以获得242 mW的输出功率。该工艺有效改善光栅的形貌,提升器件的光谱特性。

摘要： 针对使用卢卡斯-卡纳德(LK)光流对车载下视相机所拍摄的地面纹理图像追踪时存在的特征误匹配问题,提出一种利用掩膜和单应矩阵来提高光流追踪效果的方法,在室外环境下采集地面纹理图像进行实验验证。实验结果表明,掩膜可以有效提高正确追踪角点的数量,单应矩阵可以剔除帧间光流追踪的错误匹配,对LK光流追踪的精度和鲁棒性有明显提升。

摘要： 红外图像即使在低光照条件下,也能根据热辐射的差异将目标与背景区分开来,而可见光图像具有高空间分辨率的纹理细节,此外,红外和可见光图像都含有相应的语义信息.因此,红外与可见光图像融合,需要既保留红外图像的辐射信息,也保留可见光图像的纹理细节,同时,也要反映出二者的语义信息.而语义分割可以将图像转换为带有语义的掩膜,提取源图像的语义信息.提出了一种基于语义分割的红外和可见光图像融合方法,能够克服现有融合方法不能针对性地提取不同区域特有信息的缺点.使用生成式对抗神经网络,并针对源图像的不同区域设计了2种不同的损失函数,以提高融合图像的质量.首先通过语义分割得到含有红外图像目标区域语义信息的掩模,并利用掩模将红外和可见光图像分割为红外图像目标区域、红外图像背景区域、可见光图像目标区域和可见光图像背景区域;然后对目标区域和背景区域分别采用不同的损失函数得到目标区域和背景区域的融合图像;最后将2幅融合图像结合起来得到最终融合图像.实验表明,融合结果目标区域对比度更高,背景区域纹理细节更丰富,提出的方法取得了较好的融合效果.

摘要： 红外图像即使在低光照条件下,也能根据热辐射的差异将目标与背景区分开来,而可见光图像具有高空间分辨率的纹理细节,此外,红外和可见光图像都含有相应的语义信息.因此,红外与可见光图像融合,需要既保留红外图像的辐射信息,也保留可见光图像的纹理细节,同时,也要反映出二者的语义信息.而语义分割可以将图像转换为带有语义的掩膜,提取源图像的语义信息.提出了一种基于语义分割的红外和可见光图像融合方法,能够克服现有融合方法不能针对性地提取不同区域特有信息的缺点使用生成式对抗神经网络,并针对源图像的不同区域设计了2种不同的损失函数,以提高融合图像的质量.首先通过语义分割得到含有红外图像目标区域语义信息的掩模,并利用掩模将红外和可见光图像分割为红外图像目标区域、红外图像背景区域、可见光图像目标区域和可见光图像背景区域;然后对目标区域和背景区域分别采用不同的损失函数得到目标区域和背景区域的融合图像;最后将2幅融合图像结合起来得到最终融合图像.实验表明,融合结果目标区域对比度更高,背景区域纹理细节更丰富,提出的方法取得了较好的融合效果.

摘要： 多层通道微流控芯片加工中套刻光刻的对准操作难度较大,结合使用两种对准方法并分步进行实验操作可以降低难度:使用圆套十字架对准标记的对准方法.圆便于识别,可用于粗对准,十字架线条用以精对准,充分发挥圆套十字架标记结构中"面"与"线"各自的优势,并将套刻对准分两步进行,降低难度;套刻光刻前后掩膜、硅片的原位安装也可实现对准.此方法可较大地减小掩膜硅片间的旋转偏差,并使掩膜及硅片标记相互靠近便于查找、对准.结合使用两对准方案可提高对准精度,可实现偏差小于5μm的对准,满足绝大多数微流控芯片的使用要求,降低难度并使套刻对准操作系统而规范化,提高操作速度与稳定性,适合微流控芯片的套刻加工.

摘要： 利用SAR差分干涉测量技术获取的大范围连续覆盖地表形变场为断层活动性质、发震断层参数等反演研究提供了丰富的数据信息.为提高形变机制反演数据源的可靠性和结果的准确性,提出一种顾及InSAR相干系数的概率采样算法.该算法基于四叉树数据压缩模型,将窗口形变梯度以及自适应核运算后的相干表征量按权重分配作为分割窗口的约束参数,以此建立概率采样函数;并引入数字高程模型对无效采样信息进行掩膜处理,达到兼顾提高采样点质量和保留细节形变信息的目的.通过对2016年中国台湾地区美浓Mw 6.7级地震同震形变场数据进行实验分析,结果表明,顾及相干系数的概率采样算法在保留高质量数据和重要细节信息方面优势更为明显.

摘要： 20200501利用Laws纹理掩膜鉴别作物与杂草//DOI:10.25165/j.ijabe.20201301.4920计算机已成为人类生活的一个组成部分。每一个领域都在使用计算机,农业领域也是如此。计算机基于视觉的模式识别等技术已被用来检测疾病和害虫,例如影响作物的杂草等。杂草是生长在作物中间的那些不需要的植物,它们与作物争夺营养、水和阳光。它们会显著降低作物的质量和产量,给农民带来巨大的损失。该文研究了在数字图像中,利用Laws纹理掩膜中提取的纹理特征,对胡萝卜作物和杂草进行区分。

摘要： 本文通过对研究区高分辨率影像进行主成分(PCA)计算,采用第二主成分进行阈值分割提取初步的挂白信息,再利用第一主成分的纹理分析对初步挂白信息进行掩膜计算;然后结合研究区矿山开采面切面边界清晰和含积水层的特点,辅以人工修正,最后筛选出矿山挂白图斑.通过外业调查验证,挂白图斑总体精度达到91.17％,Kappa系数为0.805,证实该方法的可靠性、准确性,从而为政府部门开展矿山挂白治理提供一定的辅助决策依据.

摘要： 蒸镀制程中采用掩膜对蒸镀材料进行遮挡以实现特定图案的成膜;然而掩膜受重力作用会产生形变,影响蒸镀的良率.本设计将亥姆霍兹线圈和反亥姆霍兹线圈进行组合,以产生均匀磁感应强度磁场和均匀梯度磁场的叠加,从而对由铁磁材料制成的掩膜产生均匀的作用力.理论推导和数值模拟均表明,该方法是有效的;通过调整线圈的电流将该作用力调节至比重力略大则可消除掩膜的形变.与传统的永磁铁阵列相比,该设计的主要优点在于在竖直方向一定范围内磁作用力的变化较小,掩膜接近玻璃基板的速度容易控制并具备了调控的可能.除圆形线圈组合外,还给出了正方形线圈组合的相关推导和讨论.

摘要： 本文介绍了体硅"掩膜-无掩膜"腐蚀的工作原理;以摆片式硅微加速度计敏感芯片的制作为例详细介绍了"掩膜-无掩膜"的工艺流程;利用该方法成功制作出摆片式硅微加速度传感器的对称梁-质量块结构.经测试该加速度计性能如下:量程±50g,分辨率3×10-3g,非线性＜5×10-4,重9.6g,具有广阔的应用前景.

摘要： 本文介绍了一种基于SiO2/Cr/Au多层掩膜的MEMS加工技术,用于制作扭摆式硅电容式加速度计的硅零件.它具有对所用设备要求低,成本低,可靠性好等特点.这种工艺路线,稍加调整,也可以应用于其它多种MEMS传感器的制作,如振动、加速度开关、压力传感器等,具有很好的应用前景.

摘要： 本文通过对光刻胶掩膜微细电化学加工的主要参数进行分析研究，发现光刻胶厚度、开口角度，脉冲电源频率、脉宽以及电解液配方都对加工结果的质量有影响，在此基础上提出改善加工质量的可行性方案。

摘要： 刻蚀是微器件制作中的关键技术之一,刻蚀结果会直接影响器件的性能.ICP(Inductively Coupled Plasma)刻蚀技术具有刻速快、各向异性高、刻蚀损伤小、大面积均匀性好等优点,已经成为了干法刻蚀中的主流技术.本文主要研究了利用国产ICP刻蚀设备,在同步刻蚀技术下进行硅浅刻蚀时,掩膜对刻蚀特性的影响,优化了不同掩膜下的工艺刻蚀参数,并对其结果进行了分析.

摘要： 金刚石薄膜RIE刻蚀必须选用硬掩膜,NiTi合金掩膜具有刻蚀选择比高、加工工艺简单、图形化效果好的优势,Ni掩膜特别是电镀方法制作的Ni掩膜以其精确的尺寸控制能力、理想的多层结构模式和适当的刻蚀选择比而特别适合于精细结构加工时使用.用上述掩膜对金刚石薄膜进行RIE刻蚀,可以获得线条整齐规则、侧壁平滑陡直的优异加工效果.

摘要： 本文利用MODIS资料,分析了太湖流域水体及其它主要地物在1～7通道上的光谱特征。针对该地区三种典型地物,应用掩膜技术与NDVI 相结合的方法(CMNDVI)来识别研究区域的水体信息,效果较好。该方法能有效地将水体与陆地分开,特别是水陆交界地区的水体识别效果较好,为利用MODIS数据监测水体或洪涝灾害捉供了有利工具。

摘要： 介绍了以K9 玻璃为基体材料MOEMS 器件的湿法刻蚀工艺。选择了光刻胶，铬，氮化硅，ITO 等多种材料作为基底材料抗腐蚀的掩膜，利用多种不同成分的刻蚀剂进行了对比刻蚀试验，研究了刻蚀环境温度对保护膜的影响。对比与分析了多种试验结果并对其适用范围进行了适当的评价。

摘要： 对用聚酰亚胺材料制造的电容式高分子湿度传感器的上电极制造工艺与过程进行了深入研究，在传统的制作方法基础上又开发了新的制造工艺。在材料上用Ｃｒ代替Ａｕ，在工艺上，分别采用掩膜和光刻技术，直接制造出多孔、连续、均匀的上电极，提高了生产的操作性，产品质量的一致性、稳定性和感湿特性。

摘要： 本文通过改变不同辅助气体及工艺参数研究高功率紫外激光切割薄铜板的切割性能.结果表明了用氩气作为辅助气体,得到切缝及热影响宽度最小,切割质量最好,氧气作为辅助气体时切割质量最差;在一定范围内,提高激光功率及切割速度有助于减少切缝宽度,降低热影响区面积,获得较好的切割质量.

摘要： 本发明的掩膜坯，具备：透明基板；相移层，层压于该透明基板的表面，以Cr为主成分；蚀刻停止层，层压于所述相移层；及遮光层，层压于所述蚀刻停止层，以Cr为主成分。通过同一蚀刻剂来蚀刻所述相移层、所述蚀刻停止层及所述遮光层，从而能够制造形成于所述遮光层的遮光图案的边缘与层压于所述相移层的相移图案的边缘相比在俯视中被配置在后退的位置的相移掩膜。

摘要： 提供可以完全除去开口部内的树脂膜的蒸镀掩膜、其制造方法及蒸镀掩膜用掩膜构件。在树脂膜(11)的一侧配置用于形成开口部(11a)图案的激光的照射源，在树脂膜(11)的另一侧设置反射从激光的照射源照射的激光的波长的光的反射膜(30)，通过反射膜(30)反射的激光被利用于树脂膜(11)的开口部(11a)的图案形成。

摘要： 本发明的掩膜坯，具备：透明基板；相移层，层压于该透明基板的表面，以Cr为主成分；蚀刻停止层，层压于所述相移层；及遮光层，层压于所述蚀刻停止层，以Cr为主成分。通过同一蚀刻剂来蚀刻所述相移层、所述蚀刻停止层及所述遮光层，从而能够制造形成于所述遮光层的遮光图案的边缘与层压于所述相移层的相移图案的边缘相比在俯视中被配置在后退的位置的相移掩膜。

摘要： 本发明涉及掩膜坯、掩膜坯的制造方法、光掩膜及光掩膜的制造方法。本发明的掩膜坯具有作为相移掩膜的层，该掩模坯具有：相移层，层叠于透明基板；防反射层，被设置在比所述相移层更远离所述透明基板的位置；以及密合层，被设置在比所述防反射层更远离所述透明基板的位置。所述相移层含有铬，所述防反射层含有硅化钼和氧，所述密合层含有铬和氧，在所述密合层中，以具有对光致抗蚀剂层能够形成图案的密合性来设定氧含有率。

摘要： 提供可以完全除去开口部内的树脂膜的蒸镀掩膜、其制造方法及蒸镀掩膜用掩膜构件。在树脂膜(11)的一侧配置用于形成开口部(11a)图案的激光的照射源，在树脂膜(11)的另一侧设置反射从激光的照射源照射的激光的波长的光的反射膜(30)，通过反射膜(30)反射的激光被利用于树脂膜(11)的开口部(11a)的图案形成。

摘要： 本发明涉及在显示装置制造中所使用的薄膜工艺用掩膜支撑片、掩膜支撑片组件及精细金属掩膜组件、及它们的制造方法。公开的实施例涉及的掩膜支撑片，作为在显示装置制造中所使用的薄膜工艺用掩膜支撑片，所述掩膜支撑片是一体型的金属片，所述掩膜支撑片包括：多个显示开口部，与每单位显示装置的显示区域对应；以及多个突出端，从边缘向外轮廓方向突出，所述掩膜支撑片被构成为支撑精细金属掩膜条，该精细金属掩膜(Fine Meta l Mask)条包括与所述显示区域内的细节图案对应的多个细微开口部，所述显示开口部分别包括盆地型凹口，该盆地型凹口呈与精细金属掩膜条相邻一侧凹陷的形态。

摘要： 本发明涉及一种EUV掩膜和利用所述EUV掩膜制造的光掩膜。所述EUV掩膜包括：反射层，其在基底之上；覆盖层，其包括在反射层之上的多孔隙氢捕获层；吸收层，其在覆盖层之上。

摘要： 本申请公开了一种掩膜版缺陷的修复方法、掩膜版的制备方法及掩膜版，涉及半导体制造技术领域，本申请的掩膜版缺陷的修复方法，包括依据预设图案对掩膜版的遮光层进行缺陷识别，得到遮光层上的遮光缺陷区；对遮光缺陷区制冷处理；采用激光镭射遮光缺陷区，使得遮光缺陷区的材料分解形成残渣；对掩膜版进行清洗以去除残渣。本申请提供的掩膜版缺陷的修复方法、掩膜版的制备方法及掩膜版，能够提高掩膜版的修复效率。

摘要： 本实用新型涉及在显示装置制造中所使用的薄膜工艺用掩膜支撑片、掩膜支撑片组件及精细金属掩膜组件。本实用新型的实施例涉及的掩膜支撑片，作为在显示装置制造中所使用的薄膜工艺用掩膜支撑片，所述掩膜支撑片是一体型的金属片，所述掩膜支撑片包括：多个显示开口部，与每单位显示装置的显示区域对应；以及多个突出端，从边缘向外轮廓方向突出，所述掩膜支撑片被构成为支撑精细金属掩膜条，该精细金属掩膜(Fine Metal Mask)条包括与所述显示区域内的细节图案对应的多个细微开口部，所述显示开口部分别包括盆地型凹口，该盆地型凹口呈与精细金属掩膜条相邻一侧凹陷的形态。

摘要： 本实用新型提出的一种支撑掩膜版、支撑掩膜组件及蒸镀掩膜部件，涉及蒸镀掩膜领域。该支撑掩膜版上具有若干上下贯通的蒸镀孔，蒸镀孔呈矩形阵列的形式排列；所述的蒸镀孔的上口处设置有凹槽，该凹槽从蒸镀孔的上口边缘向蒸镀孔的外围扩展；凹槽的宽度为d1，蒸镀孔的上口宽度为d2，1mm≤d1‑d2≤3mm。所述的支撑掩膜组件包括上述支撑掩膜版和掩膜框架，支撑掩膜版设置在掩膜框架的上侧。所述的蒸镀掩膜部件包括上述的支撑掩膜组件和精细金属掩膜版，精细金属掩膜版设置在支撑掩膜版的上侧。本实用新型用于蒸镀时，能够避免在显示装置的显示区域边缘产生“混色”缺陷，有利于提高显示装置的蒸镀产出良率。