蒸镀掩膜、蒸镀掩膜用掩膜构件及蒸镀掩膜的制造方法和有机EL显示装置的制造方法

摘要

提供可以完全除去开口部内的树脂膜的蒸镀掩膜、其制造方法及蒸镀掩膜用掩膜构件。在树脂膜(11)的一侧配置用于形成开口部(11a)图案的激光的照射源，在树脂膜(11)的另一侧设置反射从激光的照射源照射的激光的波长的光的反射膜(30)，通过反射膜(30)反射的激光被利用于树脂膜(11)的开口部(11a)的图案形成。

说明书

技术领域

本发明是关于在蒸镀有机EL显示装置的有机层之际等使用的蒸镀掩膜、蒸镀掩膜用掩膜构件、及蒸镀掩膜的制造方法及有机EL显示装置的制造方法。更详细说来，通过激光形成开口部的图案之际可以不产生毛边的构造的蒸镀掩膜、蒸镀掩膜用掩膜构件、及蒸镀掩膜的制造方法与使用其蒸镀掩膜的有机EL显示装置的制造方法。

背景技术

制造有机EL显示装置时，例如形成TFT等的开关元件的装置基板上有机层对应每一像素层叠。因此，装置基板上配置蒸镀掩膜，经由其蒸镀掩膜蒸镀有机材料，只在必要的像素上层叠必要的有机层。作为其蒸镀掩膜，使用公知的金属掩膜，但近年来，为了形成更精细的开口部图案，倾向于取代金属掩膜使用由树脂膜与金属支承层形成的复合掩膜。

另一方面，即使在近年来的大型化的情况下，也要求满足高精细化和轻量化双方，例如图10所示，树脂层81中形成金属支承层82，其周围固定框体83的状态下，经由保护层84固定至加工台85上，通过从图的上侧照射激光，如图10所示，在树脂层81中形成开口部81a的图案。保护层84是使用不以激光加工的树脂层或乙醇等的液体层(参照专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利第2014-133938号公报

专利文献2:日本专利第2014-135246号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

如上所述，在树脂层81中形成激光产生的开口部81a的图案的蒸镀掩膜中，即使树脂层、乙醇等的液体层作为保护层84介于树脂膜的背面侧，开口部81a的周围或格子状残留的树脂膜的面上毛边81b飞散附着，或周围残存的树脂膜的微片往下侧垂下等，反而具有难以升华残留成为毛边的问题。

例如用于形成有机EL显示装置的蒸镀掩膜的情况下，根据近年来的图像精细化的要求，1像素(开口部)的尺寸一边30μm(微米)(400PPI)左右，即使少许微片重叠开口部，导致像素的面积大幅减少，成为显示成色下降的原因。因此，优选几乎不发生毛边。

此外，蒸镀之际，因为从坩锅等的蒸镀源经由蒸镀掩膜在被蒸镀基板上蒸镀蒸镀材料，蒸镀源与蒸镀掩膜以近距离对置，来自蒸镀源的热作为辐射热传导至蒸镀掩膜的树脂膜，蒸镀掩膜的温度容易上升。蒸镀掩膜的温度一上升，开口部的大小就变大，预定的像素区域以外的部分也沉淀有机材料，成为相同的显示成色下降的原因。

本发明是用以解决上述的问题而做出，其目的在于提供完全除去开口部内的树脂膜的蒸镀掩膜、其制造方法及蒸镀掩膜用掩膜构件，其不会在根据树脂膜的开口部决定蒸镀掩膜的开口部的蒸镀掩膜的开口部内树脂膜的微片作为毛边附着，也不会在树脂膜的开口部的底面侧残存树脂膜的一部分等，。

本发明的其他目的为在利用除去蒸镀掩膜的毛边或异物而进行蒸镀之际，尽量放出蒸镀掩膜的热，提供可以带来防止蒸镀掩膜的温度上升的副次效果的蒸镀掩膜。

本发明的又一其他目的为在使用根据上述制造方法形成的蒸镀掩膜，提供显示成色优异的有机EL显示装置的制造方法。

解决问题的手段

本发明的蒸镀掩膜的制造方法是具有形成开口部图案的树脂膜的蒸镀掩膜的制造方法，特征在于所述树脂膜的一侧，配置用于形成所述开口部图案的激光的照射源，所述树脂膜的另一侧，设置反射从所述激光的照射源照射的激光的波长的光的反射膜，以所述反射膜反射的激光，利用于所述树脂膜的开口部的图案形成。

本发明的蒸镀掩膜，是具有形成开口部图案的树脂膜的蒸镀掩膜，在蒸镀之际成为蒸镀源侧的所述树脂膜的一面的相反侧的面即另一面上，形成激光痕迹构成的凹部。

本发明的蒸镀掩膜用掩膜构件是用于形成具有形成开口部图案的树脂膜的蒸镀掩膜的掩膜构件，具有：树脂膜；以及反射膜，为了形成所述树脂膜的所述开口部图案，设置在与照射激光侧的一面相反的另一面侧，反射所述激光波长的光。

本发明的有机EL显示装置的制造方法，是在装置基板上层叠有机层制造有机EL显示装置的方法，特征在于，在支承基板上形成TFT及第一电极的所述装置基板上对准位置重叠通过所述制造方法制造的蒸镀掩膜，蒸镀有机材料形成有机层的层叠膜，以及在所述有机层的层叠膜上形成第二电极。

发明效果

根据本发明的蒸镀掩膜制造方法，树脂膜上形成开口部的图案之际，不只是来自树脂膜的表面(激光的照射源侧的面)侧的激光的照射，树脂膜的背面(表面的相反面)侧也进行反射光产生的激光照射。因此，也从树脂膜的背面侧吸收激光，树脂膜的背面侧也能够完全升华。即，提高激光的强度对树脂膜的开口部形成区域照射激光时，表面侧的树脂膜异常温度上升，开口部的径有变得比预定区域大的危险性。不过，通过一边照射公知的强度的激光一边利用其反射光，具有本发明的特征：从树脂膜的背面侧也照射激光。即，通过从背面侧照射反射光产生的激光，容易除去往公知的树脂膜的背面侧垂下而容易残留的树脂膜的毛边。

在此情况下，即使最初从树脂膜的背面侧照射激光，其表面侧树脂塞满时，也不能升华吹走背面侧的树脂。不过，本发明中，因为利用从表面侧照射的激光的反射光，树脂膜的表面侧完全不升华时，树脂膜吸收激光，也不产生反射光。不过，表面侧升华且某程度形成开口部之后照射的激光，被树脂膜吸收的量没那么多而通过树脂膜。因为其通过的激光由反射膜反射会从树脂膜的背面侧被树脂吸收，反射光从树脂膜的背面侧使树脂升华，从树脂膜变薄的表面侧可以放出其升华的树脂。结果，即使往树脂膜的背面侧垂下，也有效地吸收激光，形成不残留毛边的完整开口部图案。

此外，根据本发明的蒸镀掩膜，因为上述反射光产生的激光痕迹在树脂膜的背面侧的开口部周围形成，在树脂膜的背面侧形成凹凸。由于树脂膜的背面侧在蒸镀之际与对置于蒸镀源的面成为相反侧的面，成为与被蒸镀基板对置侧的面。由于蒸镀掩膜被蒸镀源加热而树脂膜的温度容易上升，因此优选进行散热。关于此点，由于在蒸镀源侧的相反面的凹凸形成导致表面积变大，有助于更多的热辐射。由于形成该激光痕迹的表面上形成热辐射率大的高辐射率膜，因为辐射产生的散热更优异，是理想的。

进一步，根据本发明的蒸镀掩膜用掩膜构件，因为已设置反射膜，经由所希望的激光用掩膜只照射激光，就得到几乎不产生毛边的蒸镀掩膜。

根据本发明的有机EL显示装置的制造方法，因为使用形成没有毛边的精密图案的蒸镀掩膜层叠有机层，非常精细形成各像素的有机层。结果，得到显示成色非常优异的有机EL显示装置。

附图说明

图1是显示本发明的蒸镀掩膜用掩膜构件的一实施方式装载在加工台上并在树脂膜上形成开口部的状态的剖面说明图。

图2A是本发明的蒸镀掩膜的制造方法的一实施方式的一步骤说明图。

图2B是本发明的蒸镀掩膜的制造方法的一实施方式的一步骤说明图。

图2C是本发明的蒸镀掩膜的制造方法的一实施方式的一步骤说明图。

图2D是本发明的蒸镀掩膜的制造方法的一实施方式的一步骤说明图。

图2E是本发明的蒸镀掩膜的制造方法的一实施方式的一步骤说明图。

图2F是本发明的蒸镀掩膜的制造方法的一实施方式的一步骤说明图。

图2G是本发明的蒸镀掩膜的制造方法的一实施方式的一步骤说明图。

图3A是本发明的蒸镀掩膜的制造方法的另一实施方式的一步骤说明图。

图3B是本发明的蒸镀掩膜的制造方法的另一实施方式的一步骤说明图。

图3C是本发明的蒸镀掩膜的制造方法的另一实施方式的一步骤说明图。

图3D是本发明的蒸镀掩膜的制造方法的另一实施方式的一步骤说明图。

图4A是本发明的蒸镀掩膜的一实施方式的剖面说明图。

图4B是显示图4A的变形例的剖面说明图。

图5是本发明的反射膜的一示例的剖面说明图。

图6是从第一实施方式的蒸镀掩膜的树脂膜的背面侧所见的照片。

图7A是以激光照射形成蒸镀掩膜的开口部之际的说明图。

图7B是以激光照射形成蒸镀掩膜的开口部之际的说明图。

图7C是以激光照射形成蒸镀掩膜的开口部之际的说明图。

图7D是根据激光的光学镜片产生的折射光的状态说明图。

图7E是激光的折射光由反射膜反射的光线的状态说明图。

图7F是根据激光的光学镜片产生的折射光成为平行光线的说明图。

图8A是制造本发明的有机EL显示装置时蒸镀之际的说明图。

图8B是显示制造本发明的有机EL显示装置的制造方法在一实施方式的制造步骤的剖面说明图。

图9A是图10的构造中的问题点说明图。

图9B是显示以图10的方法制造的树脂膜的毛边发生的照片。

图9C是显示以图10的方法制造的树脂膜的毛边发生的另一示例照片。

图10是制造习知的蒸镀掩膜的一示例说明图。

具体实施方式

其次，一边参照图面，一边说明本发明的蒸镀掩膜及其制造方法以及蒸镀掩膜用掩膜构件。分别在图1中示出本发明的掩膜构件的一实施方式中形成开口部，再形成蒸镀掩膜10的状态的剖面说明图；第2A～2G图中示出其蒸镀掩膜的制造方法的各步骤的剖面说明图。并且，图中，开口部的数量只显示3个，但实际上，例如能够通过将具有对应于有机EL显示装置的像素数(包含RGB的子像素数)的多个开口部的蒸镀掩膜汇集多个而形成。

即使如上述图10所示的树脂层或液体层构成的保护层84介于其间形成而开口部81a的情况下，例如第9B或9C图所示，本发明者也发现产生毛边81b或异物81c。图9B为以树脂层作为保护层84时的照片，图9C为以乙醇为保护层84时的照片。这些照片中，垃圾状附着的是异物81c，往开口部81a内延伸的是毛边81b。并且，毛边81b，不只是往上述下侧垂下的形状，也包含一旦飞散的毛边再附着的形状。并且，图9B～9C是除去加工台85及保护层84后，洗净前的照片，图9B是从树脂膜81的激光照射侧的相反侧观察的照片，图9C是以同样的方式从激光照射侧观察的照片。

本发明者们关于这种毛边81b或异物81c附着的原因重复专心探讨的结果，例如图9A所示，发现树脂层81的一部分往其下侧垂下，产生毛边81b。关于此原因再重复专心探讨的结果，如图9A所示，认为在于树脂层81热变形，与保护层84之间形成空隙84a。即，产生对激光照射弱的部分时，从表面侧的树脂升华弱，不完全升华，容易薄薄地留下一部分的树脂层81。树脂层81薄薄留下的部分，由于激光的冲击变得容易往下侧垂下。结果，如图9A的右图所示，认为树脂层81的一部分往下侧垂下产生毛边81b。即，即使照射激光，开口部内的全部树脂也不是完全升华分散，一部分成为扯碎状态飞散，有可能堆积在树脂膜构成的蒸镀掩膜上，也有可能一部分没完全升华，往下侧弯曲残留为毛边81b，开口部81a的一部分闭塞。并且，图9A中，82a是以电镀法用以形成金属支承层82的籽晶层，不是电镀法形成的话就不需要。有如此的毛边或异物时，不管是转印到被蒸镀基板，或是成为蒸镀物的障碍，都成为显示画面上产生黑点的原因，产生麻烦。

进一步，本发明者们，为了不使具有树脂膜的蒸镀掩膜的开口部内树脂的一部分不完全升华而产生残存的毛边，或者飞散的树脂的一部分在开口内成为毛边附着，进行重复专心探讨。结果，树脂的一部分不升华残存的理由是发现起因于照射的激光不是全体输出均匀，有输出弱的部分，弱的部分不能使树脂完全升华，以及如上述，照射激光之际，树脂膜由于热变形而与保护层之间产生空间，其空间内树脂的一部分垂下时，变得越来越难照射激光，容易残存为毛边。于是，不只来自树脂膜的表面侧的激光照射，利用透过树脂膜的激光的反射光，加进来自树脂膜的背面侧的激光照射，由此激光束内即使有强度弱的部分，树脂膜的背面侧也不残存部分树脂膜，发现可以大致遍及整个表面的除去开口部内的树脂膜。

作为利用此激光的反射光可以更有效除去毛边的主要理由，认为是以下2点。第一，在开口部的树脂膜的表面(激光的照源侧的树脂膜的面)侧的树脂升华除去的时刻为主产生激光的反射光，认为通过以来自树脂膜的背面(表面的相反面)侧的激光照射也变得容易升华树脂。例如在数μm～10μm左右的厚度的聚酰亚胺(polyimide)等构成的树脂膜上以激光形成开口部时，以脉冲式50发以上100发以下左右连续照射激光进行。激光的波长使用树脂膜容易吸收的波长的激光，当初激光的照射中，树脂膜的表面侧激光大体上被吸收，使树脂膜的表面侧升华。因此，激光没到达反射膜，反射光也几乎不发生。于是，开口部形成区域的树脂膜的厚度逐渐变薄时，照射的激光的一部分不完全由树脂膜吸收，导致从树脂膜的背面侧穿过而到达反射膜。因此，其背面侧上有反射膜时，树脂膜侧激光反射回来，树脂膜吸收从树脂膜的背面侧反射的激光。在那时刻，因为开口部形成区域内的表面侧的树脂有相当部分没了，背面侧的树脂也变得容易升华。换言之，在使树脂膜的背面容易升华的时刻，反射光自动变强，可以使树脂升华。

第二，激光对树脂膜的表面最大以30°左右以下的入射角入射，也有大致接近垂直的入射角以0°入射。因此，虽然也取决于密合层的厚度或折射率，但开口部形成区域内及其周边部限定反射光往树脂膜背面的返回。即，垂直入射的激光线，维持原状与反射膜垂直反射，激光线不是全部垂直入射，即使稍微有入射角，反射的激光就倾斜反射。因此，即使激光有弱的部分而有树脂膜的一部分容易残存的部分，也吸收来自斜方向的反射光，变得容易升华。不过，因为激光的入射角在0°以上30°以下左右，反射光没展开那么大。关于此关系于后述。因此，因为不是整体的树脂膜接受激光的反射光，还有因为对开口部形成区域以外的树脂膜的背面照射反射光形成的激光痕迹在0.3μm左右以下不到1μm的深度，不产生树脂膜的机械强度下降的问题。反倒，通过开口部以外的面也形成激光痕迹，由于其凹凸表面积变大，使热辐射增大。结果，蒸镀时由于来自蒸镀源的轴射热上升的蒸镀掩膜的温度从与蒸镀源相反侧的面散热，有助于使蒸镀掩膜的温度降低。即，形成此激光痕迹的面，是固定至被蒸镀基板侧的面且与蒸镀源侧相反侧的面，方便于热辐射大的一方降低蒸镀掩膜的温度。

根据本实施方式的蒸镀掩膜的制造方法，如图1所示，特征在于树脂膜11的一侧，配置用于形成开口部11a的图案的激光的照射源，在树脂膜11的另一侧，设置反射从激光的照射源照射的激光的波长的光的反射膜30，通过反射膜30反射的激光利用于树脂膜11的开口部11a的图案形成。即，如图1所示，本发明的最大特征在于树脂膜11的激光的照射源侧的相反侧上形成反射膜30。

图1所示的示例中，树脂膜11与反射膜30之间形成密合层20。设置此密合层20是为了树脂膜11与反射膜30之间尽量不形成空气层。即，原因是树脂膜11的面成为起伏状态且空气层介于其中时，因为空气层的折射率小，其界面容易漫反射。此外，反射膜30引起的反射光也往远离开口部11a的方向反射的可能性变大。因此，优选将具有尽量接近树脂膜11的折射率的折射率的层密合至树脂膜11。此外，密合层的折射率如果比树脂膜11的折射率大的话，因为折射角变得比入射角小，优选接近往垂直方向的入射光。另一方面，该密合层20最后必须从树脂膜11除去，因此需要可以轻易分离。此外，该密合层20优选是尽量不吸收用于形成开口部11a的激光的材料。理由是因为利用反射光是目的，优选尽量不使透过树脂膜11的光消耗而反射。具体而言，能够使用使近紫外光(200～380nm(毫微米))80％以上透过的树脂膜(以下，仅称作「树脂膜」)，更具体而言，能够使用PVAC(聚乙酸乙烯酯)、PVP(聚乙烯吡咯烷酮)、SAM膜(本身积体化分子膜)等。

进一步，本发明中，因为利用反射膜30产生的反射光，局部加热树脂膜11的背面侧是目的，因此激光的反射光通过反射膜30反射而到达树脂膜11的背面为止的距离必须进入收敛的激光的焦点深度的范围内。由于此时的激光的焦点深度例如是±10μm左右，例如为树脂膜11的表面上像焦点结合的激光的情况下，树脂膜的厚度例如是5μm时，因为密合层20的厚度是2.5μm，来回为5μm，树脂膜11的背面成为焦点深度10μm的界限。因此，密合层20的厚度必须在2.5μm以下。树脂膜11更厚的情况下，由于收敛点配合树脂膜11的内部或背面，反射光在焦点深度内可以加热到达树脂膜11的背面侧。如此一来，由于收敛点配合树脂膜11的内部或背面，可以加厚密合层20，但如上述，密合层20的目的是得到树脂膜11与反射膜30之间的密合性，根据激光的损失、制造成本的观点来看，密合层20也优选尽量薄。因此，密合层20的厚度，是0.1μm以上、3μm以下，优选0.1μm以上、2.5μm以下，更优选是0.1μm以上、2μm以下。

如上所述，从防止反射光扩大方面来看，该密合层20优选其折射率与树脂膜11相同或更大。不过，照射的激光束中一部分有弱的部分，根据产生树脂的升华不充分的部分的观点来看，比起透过树脂膜11的激光向正上方反射，斜向反射时基于强激光方便于升华残存的树脂。根据其观点来看，不一定限定折射率相同或更大的材料，此外，根据树脂膜11与密合层20之间即使产生空隙，进入密合层20的话，由于比空气层折射率大而折射角变小，其空隙宽度缩小的话，就不发生任何问题。如上所述，该密合层优选不吸收激光(例如335nm的波长的光)，因此使用对于其波长的光的透过率在70％以上，优选在80％以上，更优选透过率85％以上的材料。

作为反射膜，优选激光的反射率尽量大。作为激光的反射膜，使用铝或银等的金属膜构成的反射板或多层膜构成的反射率高的反射膜。多层膜反射膜例如是折射率不同的2种介电质膜交替层叠形成的多层膜，例如Al₂O₃与SiO₂的层叠膜是廉价的，且得到99％左右以上的反射率，是优选的。这些膜，可以以EB蒸镀、ECR(电子回旋共振)溅镀等简单层叠。此外，作为其他的示例，如图5所示，层叠1组或多组如下的多层膜32而得到，所述多层膜32是由铝的单结晶膜31；以及以例如CVD(化学气相蒸镀)法成膜的折射率不同的2层例如MgF₂与Sc₂O₃，分别以λ/(4n)的厚度(n是其膜材料的折射率，λ是照射的激光波长)成膜的组合。铝的单结晶膜31，根据化学蒸镀法，通过调整其成膜条件能够形成。并且，即使是反射板的情况下，也优选在金属膜上形成1层或2层的介电质膜。该反射膜30形成为总共1μm以上、2.5μm以下左右的厚度，反射率在80％以上，更优选90％以上。

其次，一边参照图2A～2G的具体例，一边详细说明本发明的蒸镀掩膜的制造方法。首先，如图2A所示，支承基板36上形成树脂膜11。树脂膜11，例如可通过涂布聚酰亚胺(PI)树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂、甲酸乙二醇酯(PET)树脂、环烯烃聚合体(COP)树脂、环烯烃共聚合体(COC)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚酰胺(polyamide)树脂、聚酰胺-亚酰胺(polyamide-imide)树脂、聚酯(polyester)树脂、聚乙烯(polyethylene)树脂、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)树脂、聚丙烯(polypropylene)树脂、聚苯乙烯(polystyrene)树脂、聚丙烯腈(polyacrylonitrile)树脂、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物(ethylene-vinyl acetatecopolymer)树脂、乙烯-乙烯醇共聚物(ethylene vinylalcohol copolymer)树脂、乙烯-甲基丙烯酸共聚物(ethylene methacrylic acid copolymer)树脂、聚氯乙烯(polyvinylchloride)树脂、聚二氯亚乙烯(polyvinylidene chloride)树脂、离子聚合物(ionomer)树脂等的液状的树脂材料而形成。例如聚酰亚胺(PI)树脂在涂布前驱体溶液(PRECURSORSOLUTION)并进行加热处理而形成树脂膜时，根据其加热处理之际升温的概况图等的条件，可以调整线膨胀系数，所以优选，但不限定于这些。成为片状的膜黏贴至支承基板36也可以。涂布液状的树脂材料制作树脂膜11时，根据例如狭缝式涂布(Slit Coat)或旋转涂布(Spin Coat)等的方法能够形成均匀的涂布膜。树脂膜11的厚度是数μm～数十μm左右，例如形成5μm左右。涂布液状的树脂材料形成树脂膜11时，例如加温至400℃以上500℃以下左右。根据其加热条件，能够调整树脂膜11的线膨胀系数。作为支承基板36，例如能够使用表面平坦的玻璃基板等。该树脂膜11优选接近作为蒸镀掩膜10使用之际的被蒸镀基板的线膨胀系数。

其次，如图2B所示，树脂膜11上例如通过无电解电镀形成厚度在0.05μm以上0.5μm以下左右籽晶层12a，其籽晶层12a流入电流以电解电镀形成金属膜12b。该金属膜12b在其次的步骤中通过图案化，作为金属支承层12用以防止树脂膜11的弯曲等。金属膜12b使用例如Fe、Ni、Fe-Ni合金、镍铁合金(invar)等的20μm以上60μm以下左右的金属材料。如果为磁性体，在固定至被蒸镀基板之际，可以以磁力固定，所以优选。不过，没有该金属支承层12也没关系，即使设置金属支承层12的情况下，也不必以电解电镀形成。以溅镀或真空蒸镀等形成金属膜12b也可以，以金属箔形成也可以。此外，金属膜12b以电镀法形成的情况下，籽晶层12a也不必以无电解电镀形成。以溅镀或真空蒸镀等形成籽晶层12a也可以。

其次，图案化金属膜12b及籽晶层12a，至少避开树脂膜11的开口部11a的形成区域，形成比开口部11a大一些的开口孔12c。该开口孔12c是例如形成未图示的遮光膜，通过实施各向同性蚀刻，成为如图示的锥状的开口孔12c。形成锥状的理由，同下。即，如图8A所示，有机材料54，成为具有一定的角度(蒸镀角度)喇叭状的束(称作蒸镀束)从蒸镀源60飞来。为的是即使该蒸镀束的侧缘的蒸镀粒子也不被阻断，到达被蒸镀基板。严格说来，图8A的θ为蒸镀角度时，掩膜的锥形角度(与锥形的底面形成的锐角)最好是蒸镀角度θ以下。不过，开口孔12c充分比树脂膜11的开口部11a大时，锥形角度不太成问题。该开口孔12c在图2B的步骤中无需进行如下的蚀刻而形成，所述蚀刻是指在该开口孔12c的部分设置遮光膜，通过使得不执行电解电镀，或是通过剥离方法(lift-off method)进行溅镀等。该金属支承层12也可以在树脂膜11的开口部11a的周围的整个表面上形成，也可以在开口部11a的周围以点状形成。此外，也可以以狭缝状形成。

其次，从支承基板36剥离树脂膜11，如图2D所示，通过拉伸树脂膜11固定至框体13，得到树脂膜组装体10a。该树脂膜11的拉伸是因为在树脂膜11中有松弛的话，形成开口部11a时开口部11a的大小变得不正确。因此，树脂膜11总是在拉紧状态的话，也可以不一定要设置该拉伸步骤，而安装至框体。例如施以张力(tension)时，框体(frame)13要求耐得住其张力的刚性，使用厚度25mm(毫米)以上50mm以下的金属板，但无此必要时，没有框体13也没关系。不过，有框体13比较容易处理，因此优选。有金属支承层12时，该框体13在拉伸的状态下通过激光熔接等与金属支承层12固定。没有金属支承层12时，直接以粘合剂等接合至树脂膜11也可以。在此情况下，使用蒸镀时不产生气体的粘合剂。例如，作为粘合剂优选像环氧树脂的完全硬化型的粘合剂。即使几乎不施加张力(不拉伸)的情况下，从某程度的机械强度以及处理的观点来看，优选设置例如由10mm(毫米)以上30mm以下左右厚度的金属板或是塑料板等构成的框体13。该框体13是具有磁性的金属板的话，即使没有金属支承层12使用磁性体也容易固定至被蒸镀基板。

其次，如图2E所示，固定该树脂膜11至加工台35。在此之际，树脂膜11与加工台35之间，密合层20与反射膜30介于其间。如上所述，没有密合层20也没关系，但因为优选树脂膜11与反射膜30之间没有空气层介于其间，因此插入。因此，优选密合层20与树脂膜11密合，还有与反射膜30也密合。例如图5所示的加工台35上形成Al₂O₃与SiO₂的多层膜或金属板构成的反射膜30，其上形成例如液状或膜状的树脂膜作为密合层20，其上如图2D所示的树脂膜组装体10a(或未图示，是拉伸固定至框体的树脂膜组装体)的树脂膜11侧设置为粘合至密合层20，由此形成掩膜构件10b也可以。不过，不必完全密合，例如也可与PVAC、PVP等构成的密合层20重叠地设置树脂膜组装体10a，此外，也可以以不侵蚀树脂膜11的，通过可以与密合层20分离的溶解性的粘合剂粘合。以此方式，通过在加工台35上形成反射膜30，只要密合层20改变，即使加工后更换树脂膜11，也可以半永久使用反射层30，成本不会上升。

或者，如图2D所示的树脂膜组装体10a(没有金属支承层12也可以)的树脂膜11的背面(形成金属支承层12的面的相反面)上直接以CVD法或真空蒸镀等形成密合层20，另一方面，也可以在上述加工台35上形成反射膜30，其反射膜30上固定密合层20的树脂膜组装体10a。在此情况下，如果是不会损伤树脂膜11而可以与树脂膜11分离的材料的话，密合层20也可以以CVD法等形成SiO₂、Si₃N₄等的无机介电质膜。由此，得到蒸镀掩膜用的掩膜构件10b。并且，也可以在加工台35上的反射膜30的表面上形成密合层20，而树脂膜11上不形成密合层20。此外，反射膜30也可以以上述介电质多层膜32在密合层20上形成，但树脂膜11加工后，与密合层20一起每次都报废反射膜30，成本上有困难。换言之，掩膜构件10b也可以与加工台30粘合。此外，掩膜构件10b的反射膜30侧也可以以粘合剂等固定至适当的加工台30。

或者，作为密合层20使用乙醇等的液体层时，例如也可以在上述加工台35上形成反射膜30，其上形成乙醇等的液体层，其上装载树脂膜组装体10a。

其次，如图2F所示，树脂膜11上形成开口部11a。例如图7A所示，从其表面侧(加工台35侧的相反侧)经由具有所希望的开口部41a的图案的激光用掩膜41与光学镜片42照射激光，由此缩小转印激光用掩膜41的开口部41a的图案，由此形成开口部11a。该激光照射装置与树脂膜11相对地根据步进机移动，大树脂膜11上依次形成开口部11a的图案。虽然不一定需要光学镜片42，但在提高加工面的照射能量密度之际是有效的。在此情况下，光学镜片42被配置于在激光进行方向的激光用掩膜41的更下游侧(树脂膜11侧)，使激光聚集。例如，使用10倍的光学镜片42时，能量密度成为100倍，但激光用掩膜41的转印图案的一边成为10分之1的尺度。由于该激光的照射，透过激光用掩膜41的开口部41a的激光升华树脂膜11的一部分。结果，对应于照射激光的激光用掩膜41的开口部41a的图案，在树脂膜11形成与其图案相同或者缩小的开口部11a的细微图案。在此之际，本发明中，因为树脂膜11的激光的相反侧上设置反射膜30(图7A中省略)，在树脂膜11的一部分升华而变薄的部分中，透过树脂膜的激光以反射膜30反射再度回到树脂膜11这边。结果，如上所述，从树脂膜11的背面侧也进行升华，防止树脂膜11的背面侧上树脂的一部分残留形成毛边。

如上所述，使用10倍的光学镜片42时，如图7D所示，来自激光源的平行光通过激光用掩膜41再通过光学镜片(凸透镜)42，在树脂膜11上收缩至1/10照射。该激光的中心部的光，几乎垂直(入射角大致为0)入射至树脂膜11，但最末端的光线的入射角α变大。现在，求出此入射角变最大的末端的光线入射角α。此时的光学镜片42与树脂膜11的距离为a，收敛的激光的成像的一边为b，进入光学镜片42前的激光的一边为c，收敛为1/10时，假设b＝4mm、a＝30mm的话，因为c＝10、b＝40mm，成为tanα＝(c/2-b/2)/a＝18/30＝0.6。因此，成为α＝31°。这是最外侧的光线的入射角，此外的靠近中心侧的角变得比此入射角小。而且，当入射到树脂膜11，由于树脂膜11的折射率n大于大致1的空气的折射率，对于树脂膜11，成为更接近垂直方向的光。即，根据斯涅尔定律(Snell's Law)，折射角β(参照图7E)成为sinβ＝sinα/n，假设树脂膜的折射率n为1.5时，sinβ＝sin31°/1.5。因此，β成为约20°。并且，密合层20中使用比树脂膜11的折射率大的材料的话，入射角变更小，相反地，作为密合层20使用折射率比树脂膜11小的材料时，入射角即反射角变大，反射光到达分离的位置。此外，密合层20的厚度变越厚，树脂膜11的面中入射光的位置与反射光返回的位置之间的距离变大。

思考关于此斜向入射产生的反射光往树脂膜11的到达点的偏离。方便起见，假设密合层20的折射率也与树脂膜11的折射率相同，方便起见假设树脂膜11与密合层20的合计厚度为10μm(实际上比这小)。如此一来，如图7E所示，反射膜30反射的反射光的反射角与折射角β相同，入射光与反射光的位置的距离d，成为d＝20tanβ＝7.28。即，假设例如30μm左右的开口部的话(假设在上述的树脂膜11上成像的4mm角内30μm角的开口以30μm间隔形成时)，对于30μm左右的开口部7.28μm左右偏离的位置上，形成反射光产生的再照射。该位置偏离是入射角最大时的位置偏离，实际上成为比该入射角小的入射角，因此位置偏离变得更小。因此，认为大部分是入射角大致接近0的状态下入射，并反射光回到没那么扩展的位置。反射光稍微偏离时，更有利于来自背面侧的再照射。即，认为产生树脂残留的原因起因于激光中有弱的部分，因为正上方反射时，其弱的激光原封不动反射再照射，但由于从斜向反射过来，会再照射强的激光。

不过，如图7F所示，也可以通过光学镜片42与树脂膜11之间插入平行化镜片45，形成大致平行光线入射至树脂膜11并由反射膜30反射。由此通过将入射角设为0，与密合层20的折射率无关的，只要与树脂膜平行的话，即使层间空气层介于其间，也可以总是往正上方反射。图7F中，平行化镜片45以外与图7D相同，省略其说明。

激光照射的条件根据加工的树脂膜11的材料、厚度、加工的开口部11a的大小或形状等不同，但一般而言，激光的脉冲频率，在1Hz以上60Hz以下，脉冲宽在1纳秒(nsec(毫微秒))以上15纳秒以下，每1脉冲的照射面中激光的能量密度在0.01J/cm²(焦耳/平方公分)以上1J/cm²以下的条件下执行。

因为作为有机EL显示装置的有机层作为蒸镀之际的蒸镀掩膜10，例如30μm角的开口以30μm左右的间隔形成矩阵状时，波长355nm(YAG(亚格)激光的3倍波)的激光，是60Hz的脉冲频率，脉冲宽是数nsec以上20nsec以下，照射面中的激光的能量密度是每1脉冲0.25J/cm²以上0.45J/cm²以下，射出数(照射的脉冲数)是50以上200以下的条件下，照射至聚酰亚胺(polyi>

不过，照射的激光，不限定于YAG激光。只要是能吸收树脂材料的波长的激光即可。因此，使用准分子激光(Excimer laser)、He-Cd(氦-镉)激光等其他的激光也可以。当然，当激光源改变或是树脂材料改变时，则照射条件改变。上述示例中，为了形成开口部的图案，进行100发的照射，而10μm厚的聚酰亚胺膜上以100发左右打开贯通孔。

并且，图2F及之后的图中，为了夸大显示开口部11a形成锥状而开口部11a的大小(密合层20侧的大小)虽然变小，但本来开口部11a的一边的长度与开口部11a间的距离成为大约相同的尺寸。开口部11a形成锥状的理由与上述金属支承层12的开口孔12c形成锥状的理由相同，但因为蒸镀源放射的蒸镀材料是根据蒸镀源的坩锅的形状决定的一定角度的剖面形状成为扇状的蒸镀束，因此为了即使其束的侧缘的蒸镀粒子也不阻挡，而堆积到被蒸镀基板的所希望位置。图2F所示的示例中，为了更确实消除其阻断，形成2段开口部11a。为了形成这2段，以分2次照射激光进行。例如最初是以比所希望的开口部大的面积升华至树脂膜11的厚度一半左右的厚度为止。其次，使用所希望的开口部的大小的激光用掩膜41，通过照射激光形成2段。此外，为了形成锥形，激光用掩膜41通过使在其开口部41a的中心部与周缘部的激光的透过率不同而得到。

即，上述激光用掩膜41例如下形成。如图7B所示，石英玻璃板等的透过激光的透明基板上，形成铬等的遮光薄膜41b。并且，之后经由图案化其遮光薄膜41b而形成开口部41a。因此，例如图7C概念所示，此遮光薄膜41b通过点式形成能够改变透过率。图7C中，为了便于说明，开口部41a被划分为第一部分41a1、第二部分41a2、第三部分41a3，但不那样区分也可以。并且，此第一部分41a1因为完全不形成遮光薄膜41b，透过100％。第二部分41a2稀疏形成遮光薄膜41b，形成其面积20％左右。结果，此第二部分41a2成为80％的透过率。进一步，第三部分41a3形成为遮光薄膜41b的量在面积上50％左右。结果，此第三部分41a3的透过率成为50％左右。激光用掩膜41形成为往此周端缘的透过率急剧地变化，由此开口部11a的锥形角度α变大，透过率的变化缓慢地形成，由此开口部13的锥形角度α变小，变成越来越细。

此示例中，为了容易了解说明，分割说明第一部分41a1、第二部分41a2、第三部分41a3，成为遮光薄膜41b分散形成的图，实际上，因为激光的转印分辨率是2μm左右，例如2μm角是纵横5等分，全部25个分段的一部分形成遮光薄膜41b，由此可以调整激光的透过率。通过设为此透过率朝向周围连续变小，由此可以形成锥状的开口部11a。

即，通过调整上述图7C所示的方法或投影镜头(光学镜片42)等，激光的透过率朝向开口部41a的周缘缓慢降低，入射树脂膜11的激光变弱，使树脂膜11升华的力变弱。结果，从表面侧除去的量在周缘变弱，形成锥形的开口部11a。

之后，如图2G所示，通过除去密合层20、反射膜30及加工台35，得到蒸镀掩膜10。按压并压接密合层20及反射膜30至加工台35的情况下，只要拉动固定在树脂膜11的框体13就从加工台35分离。此外，在密合层20例如由抗蚀材料构成的情况下，密合层20的除去是通过灰化器(asher)等灰化处理有机物或浸泡在抗蚀剥离液内，由此不损伤树脂膜11而分离。此外，由氧化硅膜等的无机介电质膜构成的情况下，使用不侵蚀树脂膜的稀氢氟酸等的蚀刻液，溶解除去密合层20。结果，容易分离蒸镀掩膜10与密合层20等，得到蒸镀掩膜10。之后，例如使用关东化学社制造的有机洗净液OEL Clean-01，通过超音波槽以80kHz的频率、功率0.5W/cm²(瓦/平方公分)洗净十分钟而清洁。

以上的方法中，从树脂膜11的背面(金属支承层12形成的面的相反面)侧以显微镜观测，关于使用PVAC作为密合层20，并使用上述介电质多层反射膜(第一实施方式)及上述金属板(第二实施方式)作为反射膜30制造的蒸镀掩膜10的2016个开口部的毛边的数量。此观测，以6×8个的插槽(开口部)为1区块，拍摄42区块。将其结果与以在公知的图10所示的构造中作为保护层使用聚乙烯醇(PVA)(比较例1)与乙醇(比较例2)时的相同的方法计数的毛边数量进行比较，归纳于表1。此外，同样的构成中，从金属支承层12观测时的毛边数量归纳于表2。从树脂膜11观测时与从金属支承层12观测时毛边数量不同，原因是激光加工之际飞散的异物附着，即使洗净也除不完，有残留的异物。

表1

表1：毛边的产生情况(从树脂膜侧观测)

表2

表2：毛边的产生情况(从金属支承层侧观测)

根据表1及表2很清楚地明白，通过设置反射膜30，毛边的发生状况比公知约提高1位数。此外，根据此第一实施方式的树脂膜11的背面侧的面状态的照片显示于图6。根据此照片，也明白明显与上述图9B～9C所示的面状态不同，毛边或异物几乎不残留。并且，此照片中，难以看出后述的图4A所示的激光痕迹11b(参照图4A)，这是由于激光痕迹11b的深度是0.3μm左右以下(0.1μm左右)的非常浅的伤痕，照片中难以呈现。

如此一来，根据本发明，树脂膜11中形成开口部11a之际，由于树脂膜11的背面侧设置反射膜30，也可以有助于反射光引起的树脂膜11的升华。结果，可以有效除去树脂膜11的背面侧容易残留的树脂毛边。而且，因为利用激光的反射光，不同于从背面侧也照射另外的光源产生的激光，根据开口部11a的形成产生的树脂膜11的一部分树脂升华的同时，反射光变强。即，树脂膜11升华或飞散时，激光的透过光变大，反射光也变大。结果，在表面侧的树脂减少状态下，从树脂膜11的背面侧照射激光，从表面侧升华的树脂变得容易放出。换言之，即使在树脂膜11的表面几乎不消失的状态下，对树脂膜11的背面照射激光，也不能使树脂从表面侧升华，但本发明中，由于在表面侧的树脂未消失时，树脂膜11几乎都吸收从表面侧照射的激光，不会到达反射膜30，因此也不产生反射光。即，只有必要的时机，树脂膜11的背面侧暴露于激光的照射。因此，有效进行不必要的毛边的除去。

其次，参照图3A～3D，说明关于本发明的蒸镀掩膜的制造方法的另一实施方式。此示例中，成膜顺序与上述示例相反。即，如第3图所示，形成金属支承层12的金属箔12d上形成树脂膜11。与上述示例相同，此树脂膜11可以通过涂布液状的树脂并经由加热固化，也可以将固化的膜板黏贴至金属箔12d。根据此方法，不用电镀，在短时间内得到树脂膜11与金属膜12d的接合体。

其次，如图3B所示，图案化金属箔12d，拉伸树脂膜11固定至框体13。该金属箔12d图案化的理由、拉伸树脂膜11的理由及框体13的材料等也都与上述示例相同。

其次，如图3C所示，树脂膜11上形成密合层20。该密合层20也上述示例相同，以CVD法等形成可以容易与树脂膜11剥离的无机介电质膜等。

之后，如图3D所示，反射膜30以CVD法等形成。该反射膜30也能够形成上述图5所示的构成，但先形成多层膜32(参照图5)，之后形成铝单结晶膜31。结果，得到图3D所示的蒸镀掩膜10用的掩膜构件10b。并且，如上所述，此示例的情况下，也可以在图3B所示的状态或图3C所示的状态下，重叠至预先在加工台35上形成的反射膜30或密合层20上而形成掩膜构件10b。

之后，如上述图2E所示，固定至掩膜构件10b的反射膜30侧至加工台35。该固定，也可以以粘合剂接合，也可以以其他的方法固定至不移动的程度。之后，如图2F～2G所示，以激光形成开口部11a的图案，又通过除去密合层20分离树脂膜11与加工台40，得到蒸镀掩膜10。

图4A是根据上述制造方法制造的蒸镀掩膜10的剖面图。与图2G所构造大致相同，但更正确显示图2G所示的构造。即，本发明的蒸镀掩膜10，如上所述，树脂膜11的激光源侧的相反侧上设置反射膜30(参照图2F)。因此，从激光源照射并透过树脂膜11的激光，以反射膜30反射，由开口部11a内残存的树脂吸收，有助于残存的树脂升华。不过，如上所述，垂直入射树脂膜11(入射角是0)的激光大致反射回正上方，但激光中也有入射角不是0而具有某角度入射的激光。在此情况下，以反射膜30反射的反射光往斜方向反射，开口部形成区域外也存在反激光。如此的激光，在树脂膜11的背面照射开口部形成区域以外的位置。因此，树脂膜11的背面形成激光的照射痕迹即激光痕迹11b。不过，此激光痕迹11b的深度是0.1μm左右，最深也0.5μm以下，即0.1μm以上0.5μm以下左右，对有5μm以上的树脂膜的机械强度没任何影响。此外，来自激光源的激光的入射角，如上所述，在30°左右以下，进入折射率大的树脂膜的折射角成为20°左右以下，密合层20的折射率比树脂膜11的折射率大的话，折射角变更小，因为反射角也变小，反射光也限定于狭窄的范围。即，反射膜30产生的反射光也不那么扩展，在开口部11a周边形成激光痕迹。

如上所述，该激光痕迹11b不减弱树脂膜11的机械强度，而是随着表面的凹凸产生的表面积增大，带来有助于热辐射的效果。即，使用蒸镀掩膜10的情况下，图4A所示的蒸镀掩膜的下侧，即树脂膜11的背面侧固定至被蒸镀基板，金属支承层12侧与蒸镀源的坩锅等对面，蒸镀材料飞来。因此，蒸镀掩膜10接受来自蒸镀源的热辐射，温度紧急上升。蒸镀掩膜10的温度上升时，树脂膜也膨胀，开口部11a也变大。结果，预定的蒸镀材料的堆积面积变大，制造机EL显示装置时，产生像素的大小，显示器的显示成色下降。因此，优选蒸镀掩膜的温度尽量不上升。根据此观点，与蒸镀掩膜10的蒸镀源对置的面，即，图4A的上侧，优选镜面辐射率小以免吸收来自蒸镀源的热。不过，其相反面，反倒希望放散吸收的热，优选辐射率大较。因此，由于激光痕迹11b而在表面形成凹凸，有助于散热。

从有助于此散热的观点来看，如图4B所示，通过树脂膜11的背面覆盖辐射率大的高辐射率膜14，更加有助于散热。作为高辐射率膜14，例如Al₂O₃、AlTiN或石墨通过溅镀、真空蒸镀、CVD法等形成数百nm左右的厚度。尤其，通过溅镀法形成时，由于会与树脂膜11高密合性的形成，有助于热辐射。此外，因为高辐射率膜14非常薄，在树脂膜11的背面上形成的激光痕迹11b原封不动地出现在高辐射率膜14的表面上，形成凹凸14b。

其次，说明使用具有如上所述的方式制造的树脂膜的蒸镀掩膜10，制造有机EL显示装置的方法。蒸镀掩膜10以外的制造方法，因为是众所周知的方法，以使用蒸镀掩膜10的有机层的蒸镀方法为主，一边参照图8A～8B，一边说明。

本发明的有机EL显示装置的制造方法是在未图标的支承基板上形成未图示的TFT、平坦化膜及第一电极(例如阳极)52的装置基板51上，对准位置重叠根据上述方法制造的蒸镀掩膜10，并蒸镀有机材料54而形成有机层的层叠膜55。并且，层叠膜55上形成第二电极56(阴极)。

虽未图示，装置基板51是例如在玻璃板等的支承基板上，各像素的每一RGB子像素形成TFT等的开关元件，连接至其开关元件的第一电极52在平坦化膜上，与Ag或APC等的金属膜和ITO膜组合而形成。如图8A～8B所示，在子像素之间形成有区分子像素之间的、由SiO₂或塑料等构成的绝缘堤53。如此的装置基板51的绝缘堤53上，上述蒸镀掩膜10位置相符地固定。该固定例如通过装置基板的相反侧上设置的磁性体等吸附而固定。并且，蒸镀掩膜10的开口部11a形成为比绝缘堤53的表面的间隔小。绝缘堤53的侧壁上尽量不堆积有积材料，达到防止发光效率的下降。

在此状态下，如图8A所示，蒸镀装置内从蒸镀源(坩锅)60放射有机材料54，只有在蒸镀掩膜10的开口部分蒸镀有机材料54，所希望的子像素的第一电极52上形成有机层的层叠膜55。如上所述，由于蒸镀掩膜10的开口部11a形成为比绝缘堤53的表面的间隔小，绝缘堤53的侧壁上变得难以堆积有积材料54。结果，如图8A～8B所示，大致上只有第一电极52上堆积有机层的层叠膜55。该蒸镀步骤，依次改变蒸镀掩膜，针对各子像素进行。有时对多个子像素同时使用蒸镀相同的材料的蒸镀掩膜。

图8A～8B中，简单以1层显示有机层的层叠膜55，但实际上，有机层的层叠膜55由不同材料构成的多个层的层叠膜形成。例如，作为连接至阳极52的层有时设置提高电洞的注入性的离子化能量的整合性佳的材料构成的电洞注入层。在此电洞注入层上，提高电洞的稳定输入的同时，可封闭(能量障壁)往发光层的电子的电洞输送层，例如由胺类材料形成。进一步，其上根据发光波长选择的发光层，例如对红色、绿色，在Alq₃中掺杂红色或绿色的有机物荧光材料而形成。此外，作为蓝色系的材料，使用DSA系的有机材料。发光层上形成更提高电子的注入性的同时稳定输送电子的电子输送层，其由Alq₃等形成。这些各层分别数十nm左右层叠，形成有机层的层叠膜55。并且，该有机层与金属电极之间也常设置提高LiF或Liq等的电子注入性的电子注入层。

有机层的层叠膜55中，发光层是对应于RGB的各色的材料的有机层堆积。此外，重视发光性能的话，电洞输入层、电子输送层等优选以适于发光层的材料堆积。不过，考虑材料的成本面，也有可能RGB的2色或3色共同以相同的材料层叠。2色以上的子像素中层叠共同的材料时，形成共同的子像素中形成开口的蒸镀掩膜。各个子像素中蒸镀层不同时，例如R的子像素中使用1个蒸镀掩膜1，可以连续蒸镀各有机层，且在RGB中堆积共同的有机层时，到该共同层的下侧为止蒸镀各子像素的有机层，在共同的有机层之处，RGB中使用形成开口的蒸镀掩膜，一次形成全像素的有机层的蒸镀。

并且，全部的有机层的层叠膜55及LiF层等的电子注入层形成结束后，除去蒸镀掩膜10，整个表面上形成第二电极(例如阴极)56。图8B所示的示例是顶部发射型，因为是从上侧发出光的方式，第二电极56是透光性的材料例如由薄膜的Mg-Ag共晶膜形成。其他能够使用Al等。并且，在从装置基板51侧放射光的的底部放射型的情况下，作为第一电极52使用ITO、In₃O₄等，作为第二电极能够使用工作函数小的金属，例如Mg、K、Li、Al等。该第二电极56的表面上例如形成Si₃N₄等构成的保护膜57。并且，此全体构成为以未图示的玻璃、树脂膜等构成的密封层密封，以免有机层的层叠膜55吸收水分。此外，有机层尽量共同化，也可以是其表面侧设置彩色滤光片的构造。

标号说明

10…蒸镀掩膜

10a…树脂膜组装体

10b…掩膜构件

11…树脂膜

11a…开口部

11b…激光痕迹

12…金属支承层

12a…籽晶层

12b…金属膜

12c…开口孔

13…框体

14…高辐射率膜

14b…凹凸

20…密合层

30…反射膜

31…铝单结晶膜

32…多层膜

35…加工台

36…支承基板

41…激光用掩膜

41a…开口部

41b…遮光薄膜

42…光学镜片

45…平行化镜片

51…装置基板

52…第一电极

53…堤

54…有机材料

55…有机层的层叠膜

56…第二电极

57…保护膜