薄膜晶体管液晶显示器

摘要： 研究了TFT基板中氮化硅膜层对TFT-LCD终端产品侧视角白画面色偏的影响,填补了TFT膜层与TFT-LCD侧视角白画面色偏的研究欠缺,为类似的光学色度不良改善提供了有益的参考。通过大量的实验测试和仿真模拟,探索了氧化硅膜层厚度对侧视角白画面色偏的影响规律。结果表明,氮化硅膜层是一个影响色偏量和色偏方向的关键因素,其中栅极绝缘层(GI)和第一钝化绝缘层(PVX1)对色偏的影响较大,而第二钝化绝缘层(PVX2)对色偏的影响较小,氮化硅厚度与白画面侧视角色偏程度呈非线性相关。以某款HADS产品为例,其中氮化硅膜层包括栅极绝缘层(320nm)、第一钝化绝缘层(100 nm)和第二钝化绝缘层(200 nm)。基于单因子实验结果和模拟结果,综合考虑电学特性和产能影响,采用PVX1140 nm作为改善条件,对侧视角白画面发红改善有效,即宏观观察无发红现象且实测数据都满足产品规格。

摘要： TFT-LCD面板内的ITO连接过孔目前只有一些定性的设计规则,缺乏定量计算和设计过孔的方法。本文研究了此类过孔电阻的定量计算方法,同时探索了过孔电阻与击穿电流的关系,为合理设计过孔、防止过孔烧毁提供了指导依据。首先,通过分析过孔的结构,抽象出等效电阻电路图,得到多种不同结构的过孔电阻分解公式。过孔电阻主要由深孔接触电阻、浅孔接触电阻和深浅孔之间连接的ITO电阻组成。然后,通过设计不同尺寸的金属与ITO的接触过孔,使用开尔文四线检测法测量得到深孔接触电阻和浅孔接触电阻与孔尺寸之间的关系式。同时,深浅孔之间连接的ITO电阻可通过ITO方块电阻与深浅孔之间的ITO尺寸计算得到。由此,我们仅依据过孔的尺寸信息及ITO方阻数据即可计算得到各种结构的过孔电阻阻值。通过对大量过孔电阻的实测值与计算值进行相关性分析,线性相关系数达到0.96,证明了该计算方法的可靠性。最后,通过测量大量过孔的电阻阻值及其击穿电流值,发现过孔电阻阻值与击穿电流之间存在显著的幂函数关系,幂指数在-1.3附近,相关系数达到0.98。自此,建立起了一整套可定量计算和设计过孔电阻和击穿电流的方法。

摘要： TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)是电子产品制造中的主流技术,近几年其工厂呈爆发式增长,所带来的消防、坏境、安全、职业卫生等问题也慢慢显现,其中,外协厂商的安全管理方式尤其重要。笔者从事安全工作多年,逐步总结形成一种独特的管理方式一三步施工安全管理法,能够有效地减少企业中外协厂商的风险隐患数量。本文以某TFT-LCD企业为例,详细说明三步施工安全管理法在企业外协厂商中的应用。

摘要： 广色域、低功耗TFT-LCD在高温高湿运行测试时容易发生周边发粉不良,严重影响器件的视觉效果.本文研究了不同成分的绿色色阻、有源层与平坦层材料制成的微型液晶盒与TFT-LCD在光照、高温与高湿环境中的透过率变化情况,以及周边发粉的起始时间,明确发粉不良的根本原因为绿色色阻中的非金属配合物分子结构的Y颜料,且不良程度与产品边框、有源层与平坦层材料吸水率相关.通过使用高疏水性、高硬化度的绿色色阻材料与低吸水率的平坦层材料,在不损失TFT-LCD透过率的前提下,有效改善了TFT-LCD发粉不良,实现a-Si产品高温高湿运行测试(THO)运行1000 h以上,a-IGZO产品运行500 h以上不产生发粉不良,并建立TFT-LCD显色核心的RGB色阻材料的成分管理基准,搭建发粉不良的生产线与实验室评价体系.

摘要： 随着人们对手机外观审美的提高,面板厂商为了适应市场需求以客户、市场为导向的经营方针决定了窄边框技术成为一种必然趋势。薄膜晶体管液晶显示器的窄边框研究过程不断冲击着TFT-LCD生产工艺能力和设计能力的极限。当然,任何极限都不能破坏产品应该保证的可靠性水平,进而引发出新技术的应用以同时满足产品品质和工艺设计能力。本文从Cell成盒工艺的局限性入手,重点说明如何从工艺和设计两个方面进行改善,工艺上主要从配向膜印刷、封框胶涂布、切割等工艺进行分析改善,设计上主要从CF BM层挖孔、TFT PLN层挖孔、TFT金属线挖孔等方面进行分析改善。

摘要： 为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZO TFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Layer,ESL)沉积条件与氧化物TFT特性的关系.通过调整沉积温度、正负极板间距、压力和功率,分析了PECVD沉积ESL SiO 2的成膜规律,并对所得到的TFT进行了特性分析.发现ESL膜层致密性过差时,后期高温工艺会造成水汽进入IGZO半导体膜层,从而引起TFT特性恶化.而采用高温、高压力等方法取得高致密性的ESL膜层由于高强度等离子体对IGZO本体的还原反应也会致使TFT特性劣化.结果表明,在保证膜层致密性前提下,等离子体对IGZO本体伤害最小的ESL沉积条件才是最优化的ESL沉积条件.

摘要： 2019年5月10日,国家市场监督管理总局和国家标准化管理委员会批准发布了173项国家标准和3项国家标准修改单。其中,包括GB/T37416-2019《洁净机器人通用技术条件》、GB/T37403-2019《薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)用四甲基氢氧化铵显影液》、GB/T4857.1-2019《包装运输包装件基本试验第1部分:试验时各部位的标示方法》。上述标准均自2019年12月1日起正式实施。电动机能效标准及电机系统能效评价规程国家标准制修订为进一步提升电动机和电机系统能效,2019年5月17日,全国能源基础与管理标准化技术委员会在北京组织召开了《电动机能效限定值及能效等级》国家标准修订和《电机系统能效评价规程》国家标准制定研讨会,就标准主要技术内容和指标进行了讨论。

摘要： 周边mura是TFT_LCD(Thin-film transistor liquid crystal display)常见不良.本论文研究了造成周边mura的原因并提出改善方案.实验结果证明:改善PI膜边缘不均&提高ITO CD均一性,均可以改善面板边缘Pretilt,从而改善周边mura,实践表明增加dummy ITO patten&PI涂布外扩均可以改善周边mura.

摘要： 周边mura是TFT_LCD(Thin-film transistor liquid crystal display)常见不良.本论文研究了造成周边mura的原因并提出改善方案.实验结果证明:改善PI膜边缘不均&提高ITO CD均一性,均可以改善面板边缘Pretilt,从而改善周边mura,实践表明增加dummy ITO patten&PI涂布外扩均可以改善周边mura.

摘要： 周边mura是TFT_LCD(Thin-film transistor liquid crystal display)常见不良.本论文研究了造成周边mura的原因并提出改善方案.实验结果证明:改善PI膜边缘不均&提高ITO CD均一性,均可以改善面板边缘Pretilt,从而改善周边mura,实践表明增加dummy ITO patten&PI涂布外扩均可以改善周边mura.

摘要： 周边mura是TFT_LCD(Thin-film transistor liquid crystal display)常见不良.本论文研究了造成周边mura的原因并提出改善方案.实验结果证明:改善PI膜边缘不均&提高ITO CD均一性,均可以改善面板边缘Pretilt,从而改善周边mura,实践表明增加dummy ITO patten&PI涂布外扩均可以改善周边mura.

摘要： 以SiH4及O2为反应气体,采用PECVD成膜方式生成的SiO2薄膜在TFT器件中起到保护金属的作用.实际应用过程中SiO2薄膜残留问题导致产品良率受到影响,本文对其残留原因进行了深入研究和改善.

摘要： 以SiH4及O2为反应气体,采用PECVD成膜方式生成的SiO2薄膜在TFT器件中起到保护金属的作用.实际应用过程中SiO2薄膜残留问题导致产品良率受到影响,本文对其残留原因进行了深入研究和改善.

摘要： 以SiH4及O2为反应气体,采用PECVD成膜方式生成的SiO2薄膜在TFT器件中起到保护金属的作用.实际应用过程中SiO2薄膜残留问题导致产品良率受到影响,本文对其残留原因进行了深入研究和改善.

摘要： 以SiH4及O2为反应气体,采用PECVD成膜方式生成的SiO2薄膜在TFT器件中起到保护金属的作用.实际应用过程中SiO2薄膜残留问题导致产品良率受到影响,本文对其残留原因进行了深入研究和改善.

摘要： 以SiH4及O2为反应气体,采用PECVD成膜方式生成的SiO2薄膜在TFT器件中起到保护金属的作用.实际应用过程中SiO2薄膜残留问题导致产品良率受到影响,本文对其残留原因进行了深入研究和改善.

摘要： 以SiH4及O2为反应气体,采用PECVD成膜方式生成的SiO2薄膜在TFT器件中起到保护金属的作用.实际应用过程中SiO2薄膜残留问题导致产品良率受到影响,本文对其残留原因进行了深入研究和改善.

摘要： 本发明提供一种具有寄生电容补正结构的薄膜晶体管及用该薄膜晶体管的液晶显示器，该薄膜晶体管包括：栅极、设于栅极上的绝缘层、设于绝缘层上的第一半导体硅层、设于第一半导体硅层上的源极、及漏极，所述漏极分别部分设于所述绝缘层与第一半导体硅层上，该漏极与栅极之间具有隔着绝缘层而重叠的第一重叠区域及隔着第一半导体硅层与绝缘层而重叠的第二重叠区域，第一重叠区域及第二重叠区域分别产生第一寄生电容与第二寄生电容，该薄膜晶体管还设有一补正结构，当该漏极相对栅极偏移时，该补正结构使得第一重叠区域面积与第二重叠区域面积保持不变。本发明薄膜晶体管通过在漏极下方增设或挖除部分半导体硅层形成补正结构来补正寄生电容，进而保证馈通电压的稳定，且结构简单，易实现。

摘要： 本发明公开了一种LCD装置，该装置包括：透射LCD面板组件；背光组件，用于对LCD面板组件提供光；选择性反射膜，设置在所述背光组件和所述LCD面板组件之间。所述LCD的显示区域具有低分辨率区域和高分辨率区域，形成在低分辨率区域中的像素大于形成在高分辨率区域中的像素。

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：多条栅极线，传输扫描信号；多条数据线，与栅极线交叉并传输图像信号，分别包含彼此电连接且隔开的第一及第二负数据线；多个像素电极，通过栅极线及数据线与薄膜晶体管电连接，并且覆盖相邻的第一负数据线或第二负数据线两侧边缘；钝化层，设置在数据线和像素电极之间；遮光部件，遮挡第一负数据线和第二负数据线之间。

摘要： 本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管用感光性树脂组合物，其可形成由固化膜产生的逸气极少、驱动性能优异的薄膜晶体管用绝缘层。为了实现所述目的，本发明具有以下的构成。即，一种薄膜晶体管用感光性树脂组合物，其含有(A)具有酰胺基及/或酰亚胺基的碱溶性树脂、(B)感光性化合物、以及(C)有机溶剂，其中，所述(C)有机溶剂中，具有氮原子的有机溶剂的含量相对于有机溶剂总量而言为1质量％以下。

摘要： 本发明提供一种具有寄生电容补正结构的薄膜晶体管及用该薄膜晶体管的液晶显示器，该薄膜晶体管包括：栅极、设于栅极上的绝缘层、设于绝缘层上的第一半导体硅层、设于第一半导体硅层上的源极、及漏极，所述漏极分别部分设于所述绝缘层与第一半导体硅层上，该漏极与栅极之间具有隔着绝缘层而重叠的第一重叠区域及隔着第一半导体硅层与绝缘层而重叠的第二重叠区域，第一重叠区域及第二重叠区域分别产生第一寄生电容与第二寄生电容，该薄膜晶体管还设有一补正结构，当该漏极相对栅极偏移时，该补正结构使得第一重叠区域面积与第二重叠区域面积保持不变。本发明薄膜晶体管通过在漏极下方增设或挖除部分半导体硅层形成补正结构来补正寄生电容，进而保证馈通电压的稳定，且结构简单，易实现。

摘要： 本发明公开了一种LCD装置，该装置包括：透射LCD面板组件；背光组件，用于对LCD面板组件提供光；选择性反射膜，设置在所述背光组件和所述LCD面板组件之间。所述LCD的显示区域具有低分辨率区域和高分辨率区域，形成在低分辨率区域中的像素大于形成在高分辨率区域中的像素。

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：多条栅极线，传输扫描信号；多条数据线，与栅极线交叉并传输图像信号，分别包含彼此电连接且隔开的第一及第二负数据线；多个像素电极，通过栅极线及数据线与薄膜晶体管电连接，并且覆盖相邻的第一负数据线或第二负数据线两侧边缘；钝化层，设置在数据线和像素电极之间；遮光部件，遮挡第一负数据线和第二负数据线之间。

摘要： 本实用新型属于液晶显示领域，提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板以及液晶显示器。在本实用新型中，所述像素电极和所述源极通过设置在第二绝缘层上的至少两个跳孔进行电性连接，可以避免在蚀刻所述源极上绝缘层的时候将所述源极覆盖造成像素电极与源极接触不良影响显示效果的问题。

摘要： 本实用新型公开了一种薄膜晶体管液晶显示器的栅极驱动器、驱动电路及液晶显示器，其中，薄膜晶体管液晶显示器的栅极驱动器包括用于输入CPV信号、OE信号和STV信号的输入端，以及用于输出CKV信号和CKVB信号的输出端，输入端与输出端之间连接有处理电路，用于对CPV信号、OE信号和STV信号进行处理，以使在CKV信号的一个周期内，CKV信号的下降沿与CKVB信号的上升沿之间具有预先设置的时间间隔，或者在CKVB信号的一个周期内，CKV信号的上升沿与CKVB信号的下降沿之间具有预先设置的时间间隔。本实用新型能够避免由于栅极驱动信号的延迟造成的输入到像素电极中的数据混淆。

摘要： 本实用新型公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及液晶显示器，用以提高薄膜晶体管液晶显示器的画面质量。该像素结构，包括：栅线，数据线，薄膜晶体管，像素电极，以及公共电极，其中，所述像素电极与所述公共电极之间产生的第一畴液晶电场，以及第二畴液晶电场分别位于所述栅线的两侧，其中，所述第一畴液晶电场的方向与所述第二畴液晶电场的方向之间的夹角大于0°且小于180°。