干法刻蚀设备对PR胶灰化能力研究

摘要

以02+ SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在180mtorr压力下刻蚀Glass表面PR胶.通过对TFT不同层的PR胶进行灰化刻蚀,研究干法刻蚀设备灰化能力,并通过在线电学特性测试设备EPM曲线对干法刻蚀设备灰化后的TFT器件电学特性进行测量和评估.在这里说明测试用的Glass,工艺采用TFT 6掩模版光刻工艺技术.实验结果说明干法刻蚀设备可以将PR胶完全去除,但对下面膜层的影响不同.当刻蚀Active和2nd ITO膜层上的PR胶时,电学特性受至的影响很大.当刻蚀PVX膜层上的PR胶时,电学特性受到的影响很小,但是过孔处金属存在过刻现象.通过实验还可以得出:干法刻蚀设备可以对Active和2nd ITO膜层上面的PR胶进行部分去除,在保证Active α-Silicon和2nd ITO不露出的情况下进行,剩余的PR胶可使用湿法剥离设备去除.此方法可以提升湿法剥离设备的产能.