掩模

摘要： 为满足连续变量量子密钥分发(continuous-variable quantum key distribution,CV-QKD)应用场景中对高性能低密度奇偶校验(low density parity check,LDPC)码的需求,提出了针对一类具有3种边类型且部分变量节点度为1的多边型LDPC(multi-edge type LDPC,MET-LDPC)码的设计方法。通过掩模到需要的度分布的方式设计左上角矩阵;采用基于多路径外在信息度(extrinsic message degree,EMD)策略的渐进边增长(progressive edge growth,PEG)算法设计左下角矩阵;将各部分矩阵组合在一起完成MET-LDPC码的设计。仿真结果表明,采用掩模加PEG算法设计的MET-LDPC码比单独用PEG算法设计的MET-LDPC码性能更优。

摘要： 由于类内差异大且类间差异小,因此细粒度图像分类极具挑战性。鉴于深层特征具有很强的特征表示能力,而中层特征又能有效地补充全局特征在图像细粒度识别中的缺失信息,因此,为了充分利用卷积层的特征,本文提出细粒度图像分类的通道自适应判别性学习方法:首先在通道方向上聚集中级特征以获取目标位置;然后对通过感兴趣区域特征交互级联得到的信息进行分类;最后进行端到端的训练,无需任何边界框和零件注释。在CUB-200-2011、Stanford Cars和FGVC-Aircraft这3个公共数据集上开展大量实验,与其他方法相比,本文方法既可以保持简单性和推理效率又可提升分类准确度。

摘要： 主要介绍了激光直写的工艺原理和主要的直写参数,通过试验的方式,对0.25 μm掩模制造中的激光直写参数束斑剂量、焦距、每束光的剂量、光束一致性以及拼接进行分析和优化,最终确定最佳的工艺参数,使得掩模条宽(CD)均匀性提高近20nm.

摘要： 去年国内市场规模同比增长约40% 光刻胶迎来国产替代机会窗口光刻胶,是一种感光材料,在光的照射下发生化学反应,利用溶解度的变化将光学的信号转化为化学信号,通过曝光、显影及刻蚀等一系列步骤实现电路从掩模转移到基片上。国此光刻胶的性能决定了集成电路的集成度,进而决定了芯片的运行速度、功耗等关键参数,所以系集成电路制造工艺中最关键的材料。

摘要： 文中主要介绍了等离子干法蚀刻工艺的原理和主要的蚀刻参数.采用正交实验的方式,对影响蚀刻速率、蚀刻均匀性以及选择比的蚀刻参数进行分析和优化,最终确定最佳工艺参数,使掩模条宽均匀性提高近3nm.

摘要： 随着大规模集成电路技术的飞速发展,掩模分辨率增强技术变得越来越重要.介绍了掩模分辨率增强技术中的相移掩模技术、光学邻近效应修正技术和光源掩模协同优化技术,重点介绍了3种技术的作用和具体做法.

摘要： 针对刺绣风格数字化模拟方法立体感不强、缺少线条方向等问题,提出了一种基于深度学习和卷积神经网络的算法,将刺绣艺术风格传输到目标图像.利用图像语义分割网络及风格迁移网络,分别对目标内容图像与刺绣艺术风格图像进行目标提取和风格迁移.首先,输入目标内容图像与刺绣艺术风格图像,采用基于条件随机场的图像语义分割,将目标内容图与刺绣艺术风格图的前景与背景分离,并进行二值化处理,形成掩模图像;其次,将目标内容图与刺绣艺术风格图的RGB颜色空间转换为YIQ;最后,参照掩模图像使用VGG19网络模型提取目标内容图的内容特征及刺绣艺术风格图的风格纹理特征进行目标区域内的风格迁移,从而对刺绣艺术进行数字化模拟.该算法能模拟出具有刺绣艺术效果的结果图像,能更好地模拟真实刺绣艺术的线条方向,突出了线条的立体感.通过使用语义分割与风格迁移相结合的方法,有效模拟了色彩艳丽、立体感强的刺绣艺术风格图像,是对非真实感绘制的有效补充,为刺绣数字化保护与非物质文化传承奠定了基础.

摘要： In order to solve the two difficult problems of the poor processing controllability and the low surface ac-curacy of quartz aspheric microlens array processing, a fabrication method of quartz aspheric microlens array for turning mask is proposed. This method mainly uses single point diamond turning technology and reactive ion etching technology, studies the turning and etching properties of the mask material, and optimizes the mask material by experiment. Finally, the fabrication of an aspherical glass microlens array with an area of 5 mm×5 mm was carried out. The experimental results are compared with the expected parameters. The analysis shows that the error root mean square of the quartz glass component is 1.155 nm, and the surface accuracy error is 0.47%.%为解决石英非球面微透镜阵列加工所面临的工艺可控性差且面型精度不高这两大难点,提出了一种基于车削掩模刻蚀的石英玻璃元件制作方法.该方法主要使用了单点金刚石车削加工技术与反应离子刻蚀技术,研究了掩模村料车削及刻蚀性能,并利用实验优选出掩模村料,最后进行了面积为5 mm×5 mm石英玻璃非球面微透镜阵列的制备.通过实验结果与预期参数进行对比,分析表明,该方法制作的石英玻璃元件误差均方根为1.155 nm,面型精度误差0.47%.

摘要： 遥感数据的判读应用不可避免地要受到云和云阴影的干扰,这导致影像中地物信息不完整,给后续影像解译和处理带来障碍.采用最佳波段指数方法筛选出经过预处理的Hyperion高光谱影像最佳波段组合,达到波段去相关、信息含量最大并减少运算量的目的.基于不同地物类型的光谱曲线,采用随机森林算法提取Hyperion影像中云和云阴影信息,建立相应的掩模.研究结果表明,基于经验阈值的决策树分类精度达96.36% ,随机森林算法的分类精度达98.86% ,Kappa系数为0.951 2,具有更好的分类效果.利用随机森林算法建立高光谱影像云和云阴影掩模,由于随机森林算法是建立在多个决策树分类器结果基础上,避免了单一决策树分类器带来的误分类现象,较好地去除了云和云阴影对遥感解译的影响.%The interpretation of remote sensing data is inevitably disturbed by cloud and cloud shadow, which results in incomplete information of objects in the image and obstacles to subsequent image inter-pretation and processing. The best band index method was used to filter out the best band combination of pre－processed Hyperion hyperspectral image, and achieve the purpose of band correlation, information content maximum and computation reducing. Based on the spectra curves of different types of surface fea-tures, the cloud and cloud shadow information of Hyperion image was extracted by the random forest al-gorithm to establish the corresponding mask. The research results showed that the accuracy of decision tree based on empirical threshold was 96.36% , and the accuracy of random forest algorithm was 98.86% , and the Kappa coefficient was 0.9512, which had better classification effect. Based on the classification results of multi－decision trees, the random forest algorithm was applied to build hyperspec-tral image cloud and cloud shadow mask, which avoided the inaccuracy of single decision tree classifier and removed the influence of cloud and cloud shadow on remote sensing interpretation.

摘要： 二维条码目前已广泛应用于各个领域,二维条码的编码过程中有一个重要步骤称为掩模调制,其目的是为了限制生成图像各区域的平均灰度,以提高码字的易印制、易识别能力,但现有的掩模方法大多基于感性,掩模模式有限并缺乏规范的方法支持及客观的评估手段,难以在各种应用条件下取得最佳效果.本文结合我们自行提出的一种可承载不确定容量信息的连续型二维条码,从统计分布模型角度对掩模技术进行研究,提出一种归于正态分布的数学评估模型,由此可引导出一种比传统方法更为客观、规范、可最优化的掩模方法。该技术还可以应用于QR码等二维编码规则中.

摘要： 本文采用LB(langmuir-blodgett)排布技术制备了大面积高密度的FePt纳米粒子单层膜,利用纳米粒子单层膜作为掩模,通过反应离子刻蚀技术进行了纳米刻蚀研究.实验结果表明,采用纳米粒子单层膜作为掩模,通过控制反应离子刻蚀条件可以实现纳米级(小于50nm)的纳米点阵和纳米柱的刻蚀.

摘要： 电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL—Scattering with Angular Limitation Electron Projection Lithography)技术是下一代光刻技术的主要候选者,其中掩模研制是其关键技术之一;本文解决了该技术掩模制作中的几个技术难点.最后研制出了0.1微米线宽分辨率的3英寸掩模,摸索出一套比较稳定的工艺条件.

摘要： 简要介绍缩小投影电子束曝光技术原理及掩模类型.重点介绍了测量掩模透射率和对比度的条件、实验数据及结论.对进一步改进掩模结构性能具有指导意义.

摘要： 采用不同网格尺寸的透射电镜铜网作为掩模,采用烷烃硫醇类小分子自组装单层作为光刻胶,光学质量的云母为衬底,用亚稳氦原子光刻技术制备具有纳米台阶的金膜图形.通过原子力显微镜分析,证明:这种技术可以将具有纳米台阶的正负图形可以很好的传递到金膜,具有高的可信度.同时,在不同时的实验中光刻图形的重复性很好.

摘要： 用激光驻波场作为原子透镜阵列对原子束进行聚焦,由于热原子束的速度分布、发散角、衍射效应等的影响,原子透镜存在像差.原子透镜的像差和同位素原子是产生本底层、降低图形对比度的主要因素.针对各种因素产生图形背景的机理,提出优化实验参数、增加透射掩模和利用刻蚀工艺减少或消除图形背景、提高图形对比度的三种解决方案.

摘要： 作者对同步辐射X射线光刻技术,包括掩模、对准技术、光刻工艺及模拟、器件与电路制作进行了研究,已建立起一套较为完整的深亚微米X射线光刻技术,并研制出0.15微米的GaAs PHEMT器件与0.25微米的GaAs实验电路.

摘要： 本文首先简要介绍了URE-2000S系列双面光刻机的研制背景及总体性能,然后着重介绍了URE_2000S系列双面光刻机的工作原理、系统组成及结构特点.

摘要： 本文首先简要介绍了URE-2000S系列双面光刻机的研制背景及总体性能,然后着重介绍了URE_2000S系列双面光刻机的工作原理、系统组成及结构特点.

摘要： 本文首先简要介绍了URE-2000S系列双面光刻机的研制背景及总体性能,然后着重介绍了URE_2000S系列双面光刻机的工作原理、系统组成及结构特点.

摘要： 本发明涉及金属掩模基材、金属掩模基材的管理方法、金属掩模以及金属掩模的制造方法。金属掩模基材具备构成为配置有抗蚀剂的金属制的表面，入射到表面的光的镜面反射的反射率为45.2％以上。

摘要： 本发明涉及蒸镀掩模、蒸镀掩模装置、蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模装置的制造方法。蒸镀掩模(20)具备：第一掩模(30)，其形成有开口部(35)；和第二掩模(40)，其与第一掩模(30)重叠，形成有复数个具有比开口部(35)的面方向尺寸小的面方向尺寸的贯通孔(45)，该蒸镀掩模(20)具有使第二掩模(40)和第一掩模(30)相互接合的复数个接合部(16)，复数个接合部(16)沿着第二掩模(40)的外缘(43)排列，在第二掩模(40)的外缘(43)的与相邻的两个接合部(16)之间对应的位置，形成有切口(46)。

摘要： 本发明提供一种掩模坯料用基板、掩模坯料及转印用掩模，即使不使用高规格的掩模坯料用基板制造具有较为稀疏的转印图案的转印用掩模，将该转印用掩模放置于高NA的曝光装置的掩模载台并对晶片上的抗蚀膜进行曝光转印的情况下，也可不容易引起聚焦错误。另外，可提供它们的制造方法。在基板的主表面(P)设定正方形计算区域(TA)，在计算区域(TA)的角落部分别设定特定点(A～D)，获得特定点(A～D)自基准平面起的高度，设定通过特定点(A～D)中的3点的假想平面，并设定通过剩余的特定点且垂直于基准平面的垂线与假想平面的交点，算出剩余的特定点与该交点之间的距离，并将该距离满足预先设定的基准的基板选定为掩模坯料用基板。

摘要： 一种制造掩模板玻璃衬底的方法，包括：标记形成步骤，该步骤将激光照射在掩模板玻璃衬底的表面上的对转印没有影响的区域中的镜状表面上，从而形成用作标记的凹坑，该标记用于标识或管理掩模板玻璃衬底。

摘要： 具备：带状部；框状部，包围所述带状部；以及连结部，位于带状部与框状部之间，将带状部连结于框状部。带状部具备具有一对长边和一对短边的边缘、具有多个掩模孔的掩模部、以及包围掩模部的周边部。长边的延伸方向为带状部的长边方向。周边部之中，在长边方向上的掩模部与短边之间存在有脆弱部，该脆弱部具有从一方的长边朝向另一方的长边延伸的形状。

摘要： 本发明提供即使在薄膜吸收膜所使用的材料对于EUV光的消光系数k大的情况下，也能够缩短电子束校正蚀刻所需时间的反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法。本实施方式涉及的反射型掩模坯(10)具有：基板(1)、多层反射膜(2)、封盖层(3)、低反射部(5)，低反射部(5)由吸收膜(A)和吸收膜(B)交替层叠而成，吸收膜(A)的电子束校正时的校正蚀刻速率大于吸收膜(B)的电子束校正时的校正蚀刻速率，吸收膜(B)含有选自锡、铟、铂、镍、碲、银及钴中的1种以上的元素。

摘要： 本发明涉及一种掩模坯、相移掩模、掩模坯的制法及相移掩模的制法。本发明的掩模坯为具有成为相移掩模的层的掩模坯。掩模坯具有：相移层，层叠于透明基板；蚀刻停止层，设置在比所述相移层更远离所述透明基板的位置上；和遮光层，设置在比所述蚀刻停止层更远离所述透明基板的位置上。所述相移层含有铬。所述遮光层含有铬和氧。所述蚀刻停止层含有硅化钼和氮，并且在膜厚方向上靠近所述遮光层的位置上具有氮浓度达到峰值的峰值区域。

摘要： 本发明涉及掩模支撑模板、掩模金属膜支撑模板、掩模支撑模板的制造方法及框架一体型掩模的制造方法。本发明涉及的掩模支撑模板作为用于支撑OLED像素形成用掩模并将该掩模对应至框架上的模板，其特征在于包括：模板(50)；临时粘合部(55)，其形成于模板(50)上；以及掩模(100)，其夹设有临时粘合部(55)地粘合在模板(50)上且形成有掩模图案(P)，掩模(100)以被施以侧面方向的拉伸力的状态粘合在模板(50)上。

摘要： 簇权重计算部(322)根据特定讲话者的语音的信号，使用簇权重计算NN来计算至少任意一个层被分解为多个簇的掩模计算NN的与多个簇各自对应的权重。掩模计算部(302)根据1个以上的讲话者的语音的观测信号的特征量，使用通过由簇权重计算部(322)计算出的权重进行加权后的掩模计算NN来计算从1个以上的讲话者的语音的观测信号的特征量中提取特定讲话者的语音的特征量的掩模。

摘要： 本发明提供光掩模基板的制造方法、光掩模基板、光掩模的制造方法和光掩模，目的在于减少光掩模的缺陷的产生，提高光掩模制造的生产效率及品质。一种光掩模基板的制造方法，上述光掩模基板在透明基板(1)上具有遮光膜(3)，其用于通过至少将上述遮光膜(3)图案化而形成包含透光部和遮光部的转印用图案从而制成光掩模，其中，遮光膜(3)包含分别具有光密度OD为1.5以上的遮光性的上层(3b)和下层(3a)，上述光掩模基板的制造方法具有下述工序：在透明基板(1)上形成下层(3a)的工序；对下层(3a)的表面实施第1异物除去处理的工序；和在下层(3a)上形成上层(3b)的工序。