公开/公告号CN102809895B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-10-10
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201210256296.4
申请日2012-07-23
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人骆苏华
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 10:01:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-10
授权
授权
2014-07-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/44 申请日:20120723
实质审查的生效
2014-07-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/44 申请日:20120723
实质审查的生效
2014-04-30
专利申请权的转移 IPC(主分类):G03F 1/44 变更前: 变更后: 登记生效日:20140408 申请日:20120723
专利申请权、专利权的转移
2014-04-30
专利申请权的转移 IPC(主分类):G03F 1/44 变更前: 变更后: 登记生效日:20140408 申请日:20120723
专利申请权、专利权的转移
2012-12-05
公开
公开
2012-12-05
公开
公开
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机译: 三层光刻胶图形中克服折线和光刻胶浮渣问题的方法
机译: 对准曝光设备的方法,使用该设备对光刻胶膜进行曝光的方法以及用于执行对光刻胶膜进行曝光的方法的曝光设备
机译: 在光刻胶上形成气体阻隔层的精细图形的形成方法,以防止曝光设备中的透镜污染