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光刻版图、光刻胶图形及测量光刻胶图形曝光误差的方法

摘要

一种光刻版图、光刻胶图形及测量光刻胶图形曝光误差的方法,其中,所述光刻版图包括:第一单元区图形,所述第一单元区图形为矩形;位于所述第一单元区图形四个顶角外侧的四个第一标记图形,所述第一标记图形为“L”形,所述“L”形的两边分别与构成所述第一单元区图形顶角的相邻两边平行;位于所述第一单元区图形的一个顶角和所对应的第一标记图形外侧的第二标记,所述第二标记图形为“十”形,构成所述“十”形的两边分别与所对应的第一标记图形的两边平行。以所述光刻版图形成光刻胶图形时,仅需进行一次测量,即可得到在同一光刻胶层上两次曝光之间的曝光误差,减少了测量步骤,节约了测试时间。

著录项

  • 公开/公告号CN102809895B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201210256296.4

  • 发明设计人 岳力挽;赵新民;周孟兴;王彩虹;

    申请日2012-07-23

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 10:01:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-10

    授权

    授权

  • 2014-07-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/44 申请日:20120723

    实质审查的生效

  • 2014-07-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/44 申请日:20120723

    实质审查的生效

  • 2014-04-30

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G03F 1/44 变更前: 变更后: 登记生效日:20140408 申请日:20120723

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-04-30

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G03F 1/44 变更前: 变更后: 登记生效日:20140408 申请日:20120723

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-12-05

    公开

    公开

  • 2012-12-05

    公开

    公开

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