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湿法刻蚀石英晶体少量晶面获取全晶面刻蚀速率的方法

摘要

本发明公开了一种湿法刻蚀石英晶体少量晶面获取全晶面刻蚀速率的方法,包括获取约束晶面的实验刻蚀速率;建立Q‑RPF石英湿法刻蚀工艺表面原子移除概率函数并确定待优化目标参数;利用KMC动力学蒙特卡洛算法计算种群中各约束晶面模拟刻蚀速率;生成目标参数的初始优化种群并利用遗传算法不断优化各个体目标参数的取值;判断约束晶面仿真刻蚀速率和实验刻蚀速率是否实现拟合,满足则输出最优个体目标参数;不满足则将最优个体目标参数编码和遗传变异,生成下一代种群,进入新一轮循环;将最优个体目标参数代入KMC动力学蒙特卡洛湿法刻蚀半球模型,输出全晶面刻蚀速率。

著录项

  • 公开/公告号CN106495089B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN201610976479.1

  • 发明设计人 幸研;张辉;张晋;李源;

    申请日2016-10-31

  • 分类号

  • 代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人李晓

  • 地址 210088 江苏省南京市浦口区泰山新村东大路6号

  • 入库时间 2022-08-23 10:17:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-21

    授权

    授权

  • 2017-04-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20161031

    实质审查的生效

  • 2017-04-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20161031

    实质审查的生效

  • 2017-03-15

    公开

    公开

  • 2017-03-15

    公开

    公开

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