MEMS晶圆级封装种子层刻蚀工艺研究

摘要

晶圆级封装键合环金属化过程中,铜和钛种子层通常采用两步湿法刻蚀工艺去除.该工艺分两步进行,成本高,且效率低,因此有必要探究新的腐蚀工艺.氨水、双氧水和水的混合物通常称为Ⅰ号液.通过研究铜和钛在不同比例的Ⅰ号液中的腐蚀特性,选择适当的配比,使Ⅰ号液对铜和钛有合适的选择比,达到将种子层刻蚀由两步合成为一步的目的.研究表明,当氨水和双氧水的浓度分别为2.11 mol/L和0.66mol/L时,同样条件下一步法可以获得良好的刻蚀形貌.