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任远; 刘晓燕; 刘久澄; 刘宁炀; 陈志涛;
广东省半导体产业技术研究院,广东广州510650;
电感耦合等离子体刻蚀; GaN; 刻蚀速率; 选择比; 直流偏压;
机译:基于Cl_2 / Ar的电感耦合等离子体刻蚀中的GaN刻蚀速率和表面粗糙度演变
机译:使用极低功率的电感耦合等离子体刻蚀,低电阻率接触等离子体刻蚀的掺Mg GaN
机译:基于电感耦合等离子体反应离子刻蚀的GaN和InGaN基激光器结构干法刻蚀研究
机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)和Ⅲ-Ⅴ材料的原子层刻蚀(ALE)进行低损伤刻蚀,以实现下一代器件性能。
机译:电感耦合等离子体刻蚀反应器中离子流和硅刻蚀速率的二维均匀性
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:电感耦合等离子体刻蚀GaN材料的研究
机译:InGaalp复合半导体系统的电感耦合等离子体和电子回旋共振等离子体刻蚀;固态和材料科学
机译:GAN半导体薄膜固体薄膜的电感耦合等离子体刻蚀工艺设计
机译:GaN和其他III-V材料的GaN III-V原子层刻蚀
机译:GaN和其他III-V材料的原子层刻蚀
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