GaN

摘要： 着眼小型化、大功率,对宽禁带半导体中的GaN功率器件的宽带内匹配技术进行了研究。基于国产的GaN功率器件,采用切比雪夫宽带匹配理论,研制了一款工作频率覆盖2 GHz~6 GHz的宽带功率放大器,在设计过程中重点关注了功率放大器在各种工作条件下的稳定性。测试结果表明在漏源电压为36 V,连续波条件下,在2 GHz~6 GHz的带宽内实现了输出功率全部大于100 W,功率平坦度小于1.0 dB,功率附加效率大于38%,最高点达到了45%。

摘要： 实验采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,分别以高纯氮气(N2和三甲基镓(TMGa)作为氮源和镓源,改变TMGa流量,在镀锆(Zr)高硼硅玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜,并利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和室温光致发光(PL)谱对不同TMGa流量下沉积的GaN薄膜样品的结晶取向、内部应力、表面形貌以及光致发光性能进行了检测。结果表明,当TMGa流量为1.6sccm时,低温沉积得到的GaN薄膜呈现高度的a轴择优取向,结晶性较好,内部应力得到了一定程度的释放,表面形貌呈现岛状生长,且岛的大小比较均匀。GaN薄膜的室温光致发光峰发生了一定程度的红移。

摘要： 采用两只总栅宽100 mm的0.5μm工艺GaN HEMT功率管芯,通过合理选择目标阻抗、合理设计输出匹配网络,实现了一款输出功率达到600 W的L波段内匹配功率管。在+36 V、-2 V工作电压下,1.14~1.26 GHz内,功率管输出功率≥600 W,功率增益≥12 dB,功率附加效率≥55%,体积仅为33 mm×17 mm×2 mm,重量仅为3.5 g,显示出卓越的性能,具有广泛的工程应用前景。

摘要： 针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件,介绍了SiC,GaN,Ga_(2)O_(3)材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果:SiC材料对重离子辐照不敏感,但SiC器件在高压工作条件下易发生重离子单粒子效应;GaN材料有较好的抗低能重离子辐照特性,但对快重离子辐照,易发生辐照损伤,影响GaN器件性能;Ga_(2)O_(3)材料快重离子辐照下易发生结构损伤,影响Ga_(2)O_(3)器件性能。同时着重阐述了SiC器件重离子辐照响应特性与失效机理,以及GaN器件电学性能退化与材料结构损伤之间关系。

摘要： 在科技快速发展的今天,人们对于检测和治疗身体健康的技术和设备都十分重视。GaN HEMT器件的出现让科学家们眼前一亮,其良好的性能和快速精准的检测在生物研究领域起到无法替代的作用。文章介绍GaN器件、HEMT器件在各自领域的优势,以及与生物传感器结合以后在生物检测方面的应用及其原理。

摘要： 基于氮化镓(GaN)的产品可以取得更高的能效,帮助工程师设计出更紧凑的电源,适合各种消费、工业和汽车应用意法半导体Power GaN系列第一款产品现已投产;很快还将推出其他的不同封装和规格的产品服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出了一个新系列——氮化镓(GaN)功率半导体。

摘要： 研制一种基于90°电桥合成的平衡式功率放大器。该放大器工作于0.38~1.45 GHz频段范围,模块内部采用2个GaN固态功率放大器合成。在工作频带内,功率放大器输出功率大于200 W,链路效率大于40%。针对宽带大功率的应用,着重介绍宽带大功率电桥设计时的热分析。

摘要： 采用总栅宽36 mm的0.5 um工艺GaN HEMT功率管芯,通过合理选择目标阻抗、优化匹配网络,设计了一款包含扼流电路的S波段小型化内匹配功率管。在+48 V、-3.1 V工作电压下,2.7~3.4 GHz内,功率管输出功率≥250 W,功率增益≥12 dB,功率附加效率≥60%,尺寸仅为15 mm×6.6 mm×1.5 mm,重量仅为0.6 g,显示出卓越的性能,具有广泛的工程应用前景。

摘要： 红外和可见光图像的融合可以获得更为全面、丰富的信息。由于没有真实融合图像作参考,现有的融合图像数据集缺少融合图像作为监督条件,基于监督学习的训练方法无法应用于图像融合,现有的融合网络都是尽可能地在两个模态间找到平衡,因此提出一种基于环境光传输模型的多模态图像合成方法。基于NYU-Depth有标签数据集和其深度标注信息合成一组带有参考融合图像的红外和可见光多模态数据集,在条件GAN中设计边缘和细节损失函数,用合成的多模态图像数据集以端到端的方式训练该网络,最终获得一个融合网络。该网络可以使融合图像较好地保留可见光图像的细节和红外图像的目标特征,锐化红外图像热辐射目标的边界。在TNO公开数据集上与主流的IFCNN,DenseFuse,FusionGAN等方法对比,通过主观和客观的图像质量评价检验了该方法的有效性。

摘要： 近日,芯冠科技推出了两款新的CASCODE结构氮化铢开关管,GaN均为D-MODE耗尽型,其中XG65T300HS2A为DFN8*8贴片封裝,耐压650V,导阻240mQ。XG90T150PS2A为T0220封装,耐压900V,导阻150mQ。两款氮化掾开关管均支持20V栅极电压,保证了功率开关管在导通状态下电阻最小,且器件栅压有足够的裕量来应对开关过程中的电压过冲等不利因素,避免造成器件的潜在损伤和矣荻。

摘要： GaN基蓝绿光LED广泛应用于全色显示、背光光源及固态照明等，具有非常巨大的市场，其大规模产业化技术也由此显得极为重要。主要针对GaN基蓝绿光LED材料外延中的衬底使用、有源区中极化效应、InGaN合金的晶体质量和p型GaN的生长等方面的技术问题进行分析，并介绍了相应的解决方案。

摘要： GaN基蓝绿光LED广泛应用于全色显示、背光光源及固态照明等，具有非常巨大的市场，其大规模产业化技术也由此显得极为重要。主要针对GaN基蓝绿光LED材料外延中的衬底使用、有源区中极化效应、InGaN合金的晶体质量和p型GaN的生长等方面的技术问题进行分析，并介绍了相应的解决方案。

摘要： GaN基蓝绿光LED广泛应用于全色显示、背光光源及固态照明等，具有非常巨大的市场，其大规模产业化技术也由此显得极为重要。主要针对GaN基蓝绿光LED材料外延中的衬底使用、有源区中极化效应、InGaN合金的晶体质量和p型GaN的生长等方面的技术问题进行分析，并介绍了相应的解决方案。

摘要： GaN基蓝绿光LED广泛应用于全色显示、背光光源及固态照明等，具有非常巨大的市场，其大规模产业化技术也由此显得极为重要。主要针对GaN基蓝绿光LED材料外延中的衬底使用、有源区中极化效应、InGaN合金的晶体质量和p型GaN的生长等方面的技术问题进行分析，并介绍了相应的解决方案。

摘要： GaN基蓝绿光LED广泛应用于全色显示、背光光源及固态照明等，具有非常巨大的市场，其大规模产业化技术也由此显得极为重要。主要针对GaN基蓝绿光LED材料外延中的衬底使用、有源区中极化效应、InGaN合金的晶体质量和p型GaN的生长等方面的技术问题进行分析，并介绍了相应的解决方案。

摘要： 将Fe离子注入在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p-GaN薄膜，所用能量为150keV，剂量为1×1016cm-2。对注入后的样品在N2气氛中进行700°C～1000°C的快速热退火处理，保温时间均为60s。利用XRD、FTIR、SEM对样品的微脱结构进行分析，发现注入Fe离子后并在800°C退火时GaN薄膜的晶格结构恢复最好。用VSM对样品磁性进行分析，发现注入Fe离子并退火后材料在室温下具有了磁性。

摘要： 将Fe离子注入在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p-GaN薄膜，所用能量为150keV，剂量为1×1016cm-2。对注入后的样品在N2气氛中进行700°C～1000°C的快速热退火处理，保温时间均为60s。利用XRD、FTIR、SEM对样品的微脱结构进行分析，发现注入Fe离子后并在800°C退火时GaN薄膜的晶格结构恢复最好。用VSM对样品磁性进行分析，发现注入Fe离子并退火后材料在室温下具有了磁性。

摘要： 将Fe离子注入在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p-GaN薄膜，所用能量为150keV，剂量为1×1016cm-2。对注入后的样品在N2气氛中进行700°C～1000°C的快速热退火处理，保温时间均为60s。利用XRD、FTIR、SEM对样品的微脱结构进行分析，发现注入Fe离子后并在800°C退火时GaN薄膜的晶格结构恢复最好。用VSM对样品磁性进行分析，发现注入Fe离子并退火后材料在室温下具有了磁性。

摘要： 将Fe离子注入在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p-GaN薄膜，所用能量为150keV，剂量为1×1016cm-2。对注入后的样品在N2气氛中进行700°C～1000°C的快速热退火处理，保温时间均为60s。利用XRD、FTIR、SEM对样品的微脱结构进行分析，发现注入Fe离子后并在800°C退火时GaN薄膜的晶格结构恢复最好。用VSM对样品磁性进行分析，发现注入Fe离子并退火后材料在室温下具有了磁性。

摘要： 将Fe离子注入在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p-GaN薄膜，所用能量为150keV，剂量为1×1016cm-2。对注入后的样品在N2气氛中进行700°C～1000°C的快速热退火处理，保温时间均为60s。利用XRD、FTIR、SEM对样品的微脱结构进行分析，发现注入Fe离子后并在800°C退火时GaN薄膜的晶格结构恢复最好。用VSM对样品磁性进行分析，发现注入Fe离子并退火后材料在室温下具有了磁性。

摘要： 使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮化物层212。(c)在氮化处理过的金属缓冲层210、212上，生长GaN缓冲层222。(d)最后生长GaN单晶层220。该GaN单晶层220可以根据需要生长为各种厚度。通过上述工序制备的基板，通过选择性化学蚀刻可制备自支撑基板，还可以作为用于制备GaN系发光二极管、激光二极管的GaN模板基板来使用。

摘要： 使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮化物层212。(c)在氮化处理过的金属缓冲层210、212上，生长GaN缓冲层222。(d)最后生长GaN单晶层220。该GaN单晶层220可以根据需要生长为各种厚度。通过上述工序制备的基板，通过选择性化学蚀刻可制备自支撑基板，还可以作为用于制备GaN系发光二极管、激光二极管的GaN模板基板来使用。

摘要： 本发明的外延生长用基板至少在表层部分具有由不同于GaN类半导体的材料构成的单晶部；并且具有包含多个凸部和多个生长空间的凹凸面作为其外延生长用表面，其中，所述多个凸部的排列使得每个凸部分别在相隔120度的不同方向上具有3个最接近的其它凸部；所述多个生长空间中的每个生长空间被6个上述凸部所包围；上述单晶部至少在上述生长空间处露出，并可由此实现从上述生长空间中生长出c轴取向的GaN类半导体晶体。

摘要： 本发明提供一种GaN晶体的制造方法，其可以实现防止成核和高品质非极性面生长中的至少一个方面。本发明的制造方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，所述GaN晶体的制造方法包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。通过本发明的制造方法可以防止成核，另外，如图4所示，能够使非极性面生长。

摘要： 若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm2以上的2个主面，其一者为Ga极性，相对于(0001)结晶面的倾斜可以为0度以上10度以下。该n型GaN结晶可以进一步具有20mm以上的直径。

摘要： 使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮化物层212。(c)在氮化处理过的金属缓冲层210、212上，生长GaN缓冲层222。(d)最后生长GaN单晶层220。该GaN单晶层220可以根据需要生长为各种厚度。通过上述工序制备的基板，通过选择性化学蚀刻可制备自支撑基板，还可以作为用于制备GaN系发光二极管、激光二极管的GaN模板基板来使用。

摘要： 本发明的外延生长用基板至少在表层部分具有由不同于GaN类半导体的材料构成的单晶部；并且具有包含多个凸部和多个生长空间的凹凸面作为其外延生长用表面，其中，所述多个凸部的排列使得每个凸部分别在相隔120度的不同方向上具有3个最接近的其它凸部；所述多个生长空间中的每个生长空间被6个上述凸部所包围；上述单晶部至少在上述生长空间处露出，并可由此实现从上述生长空间中生长出c轴取向的GaN类半导体晶体。

摘要： 提供一种GaN晶体的制造方法，其可以实现防止成核和高品质非极性面生长中的至少一个方面。本发明的制造方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，所述GaN晶体的制造方法包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。通过本发明的制造方法可以防止成核，另外，如图4所示，能够使非极性面生长。

摘要： 使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮化物层212。(c)在氮化处理过的金属缓冲层210、212上，生长GaN缓冲层222。(d)最后生长GaN单晶层220。该GaN单晶层220可以根据需要生长为各种厚度。通过上述工序制备的基板，通过选择性化学蚀刻可制备自支撑基板，还可以作为用于制备GaN系发光二极管、激光二极管的GaN模板基板来使用。

摘要： 本发明提供c面的弯曲程度降低的块状GaN晶体。该块状GaN晶体具有选自相对于(0001)晶面倾斜0度以上且10度以下的面、及相对于(000‑1)晶面倾斜0度以上且10度以下的面中的主面，该主面是满足下述条件(i)及(ii)的特定主面A：(i)能够在该特定主面A上画出沿着第一方向延伸的长度80mm的假想线段、即第一线，且在该第一线上以5mm的间距并列的17个测定点间，使ω轴与该第一方向垂直而测定的该GaN晶体的(002)XRD摇摆曲线的峰值角度的最大值与最小值之差为0.05度以下；(ii)能够在该特定主面A上画出沿着与该第一方向垂直的第二方向延伸的长度80mm的假想线段、即第二线，且在该第二线上以5mm的间距并列的17个测定点间，使ω轴与该第二方向垂直而测定的该GaN晶体的(002)XRD摇摆曲线的峰值角度的最大值与最小值之差为0.05度以下。