Capacitors; Silicon; Silicon Oxides; Physical Radiation Effects; Capacitance; Charge Carriers; Chemical Bonds; Crystal Defects; Electric Charges; Electrons; Gamma Radiation; Holes; Hydrogen; Interfaces;
机译:多晶硅门控MOS器件的电容-电压模型,包括基于总半导体电荷修正的衬底量化效应
机译:用于p / sup +/-多晶硅栅极MOS器件的氧氮化物栅极电介质
机译:在惰性气氛下辐照的聚乙烯中的氢发射和大分子辐射诱导的缺陷:能量转移对反乙烯基的不饱和键的作用
机译:亚微米级CMOS器件的p / sup + /多晶硅栅极MOS结构中栅极氧化物的比例限制
机译:分子氢对双极型器件氧化物中辐射诱导的缺陷生成的影响的表征和建模
机译:氢在SiO2基电子器件中缺陷的挥发性行为中的作用
机译:掺杂方法对亚微米CMOS器件中多晶硅栅电极电性能和微观形貌的影响
机译:多晶硅栅CmOs器件在空间和sDI环境中的性能