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公开/公告号CN106549029B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201610670908.2
发明设计人 贾钧伟;周俊豪;许凯钧;李国政;丁世汎;
申请日2016-08-16
分类号H01L27/146(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 12:47:08
机译: 在图像传感器装置中形成多晶硅栅极结构的方法
机译: 使用沟槽嵌入式晶体管-电容器结构的DRAM结构-MOST埋在栅极中,电容器由栅极长度和衬底表面形成,导线由掺磷的多晶硅形成
机译:钨双多晶硅栅极存储器件中p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极界面电阻对绝缘氮化硼形成的依赖性
机译:多栅极多晶硅纳米线薄膜晶体管的制造与表征以及多栅极结构对器件波动的影响
机译:多晶硅/ SiON栅极叠层中NMOS栅极至漏极软击穿和硬击穿的器件特性和等效电路
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机译:由于集成栅极驱动器电路,在大尺寸,有机,发光器件面板中减小了具有运动图像响应时间减少方法的大尺寸有机发光器件面板的运动模糊
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