机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀制造金刚石纳米线的简单方法
Natl Inst Informat & Commun Technol NICT, Koganei, Tokyo 1840015, Japan;
Natl Inst Informat & Commun Technol NICT, Koganei, Tokyo 1840015, Japan|Waseda Univ, Dept Appl Phys, Shinjuku Ku, Tokyo 1698555, Japan;
Waseda Univ, Dept Appl Phys, Shinjuku Ku, Tokyo 1698555, Japan;
Natl Inst Informat & Commun Technol NICT, Koganei, Tokyo 1840015, Japan;
Natl Inst Informat & Commun Technol NICT, Koganei, Tokyo 1840015, Japan;
机译:电感耦合等离子体反应离子刻蚀工艺参数对金刚石纳米尖端制备的影响
机译:电感耦合等离子体反应离子刻蚀制备多孔硅表面的简单快速方法
机译:级联反应离子刻蚀/电感耦合等离子体刻蚀InGaAsP / InP双浅脊矩形环形激光光子集成电路的制备与表征
机译:自上而下的方法:使用扫描电子显微镜基电子束光刻方法和电感耦合等离子体反应离子蚀刻制造硅纳米线
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:使用各向同性电感耦合等离子体蚀刻的硅纳米尖端批量制造
机译:通过电感耦合等离子体刻蚀和快速湿法刻蚀制备高品质因子GaAs / InAsSb光子晶体微腔
机译:电感耦合等离子体反应离子蚀刻(ICp-RIE):用于高分辨率图案转移的纳米加工工具