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用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备

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深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀.本文介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.

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来源
《第八届中国微米/纳米技术学术年会》|2006年|1415-1418|共4页
会议地点南京
作者
陈特超; 禹庆荣; 龚杰洪; 张冬艳; 伍波; 李键志;
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作者单位

中国微米/纳米技术学会;

中国仪器仪表学会;

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体集成电路（固体电路）;光刻、掩膜;
关键词
微电子机械系统; 深反应离子; 刻蚀; MEMS器件;
入库时间 2022-08-17 10:40:27

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