University of California, Santa Cruz.;
机译:先进的低电子温度微波激发高密度等离子体系统在低温(400)和高生长速率下用于半导体器件制造的氧化硅和氮化硅薄膜的生长
机译:纳米器件硅沟槽HBr / O_2等离子体刻蚀中反应离子刻蚀滞后特性
机译:快速热退火富硅氮化硅膜中PECVD生长的硅纳米级夹杂物的介电功能
机译:用于微混合器器件制造的硅深蚀刻的反应离子蚀刻工艺的开发
机译:等离子辅助化学气相沉积钽氮化硅薄膜用于纳米级器件。
机译:嵌入氮化硅薄膜中的硅量子点与金纳米粒子在发光器件中的耦合增强了电致发光
机译:从氮化硅薄膜中的硅量子点的增强的电致发光,耦合在发光器件中的金纳米粒子中
机译:用于器件应用的溅射碳化硅和钨薄膜的反应离子蚀刻