机译:纳米器件硅沟槽HBr / O_2等离子体刻蚀中反应离子刻蚀滞后特性
Plasma Laboratory, Department of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, Seoul 151-742, Korea;
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机译:响应面方法在变压器耦合等离子体技术中应用于cl_2 / HBr / O_2中的硅沟槽蚀刻
机译:三元HBr + CI_2 + O_2气体系统中等离子体化学和硅腐蚀动力学的控制:HBr / O_2和CI_2 / O_2混合比的影响
机译:在常规反应离子刻蚀工具中使用SF_6 / O_2等离子刻蚀控制硅过孔的侧壁斜率
机译:HBr / Cl_2 / O_2等离子刻蚀中多晶硅对氧化物的选择性研究
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:基于HBr / O的重掺杂多晶硅反应离子蚀刻的研究
机译:基于HBr / O2 / HE散热装置的掺杂多晶硅反应离子蚀刻的研究