机译:在基于HBr / O2的高密度等离子体的多晶硅/氧化物蚀刻中,HBr和氧对蚀刻选择性和蚀刻后轮廓的作用的研究
机译:纳米器件硅沟槽HBr / O_2等离子体刻蚀中反应离子刻蚀滞后特性
机译:蚀刻诱导的掺杂P型GaN的抗损伤及其通过低偏压电感耦合等离子体反应离子蚀刻的抑制
机译:多晶硅CL_2和HBR蚀刻特征型材演化的等离子体表面动力学和仿真的光束研究
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:基于HBr / O的重掺杂多晶硅反应离子蚀刻的研究
机译:HBr / O2 inductive耦合等离子体中的多晶硅干蚀刻