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多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减

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自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象。在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨。认为在Nd:YAG激光器的1.

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来源
《发光学报》 |1993年第2期|206-208|共3页
作者
孙甲明; 张吉英;
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作者单位

不详;

不详;

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正文语种 CHI
中图分类 O472.8;
关键词
多孔硅; 电荷储存; 光电压; 衰减;

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