photo-assisted etching; porous silicon; illumination; doping level; total current; reflectance;
机译:掺杂水平对p型硅金属辅助化学刻蚀的影响
机译:掺杂类型和水平对电镀蚀刻形成的多孔Si形态的影响
机译:起始硅单晶掺杂水平对电化学蚀刻产生多孔硅结构参数的影响
机译:电化学蚀刻条件对P型多孔硅形成和光致发光性能的影响
机译:半导体结中深层杂质的电学表征:掺D的P型硅上的肖特基势垒。
机译:用金属辅助化学蚀刻形成高掺杂多孔Si层的硅衬底的形成与评价
机译:用不同掺杂水平对P型Si光辅助蚀刻形成多孔硅的影响
机译:高掺杂水平对硅太阳能电池性能的影响