金属辅助刻蚀法引入多孔结构强化工业硅中杂质脱除研究

摘要

本文使用两步金属辅助刻蚀法(two-step metal-assisted chemical etching)在冶金硅粉表面及内部引入多孔结构以强化杂质脱除,并对实验过程中刻蚀过程中的杂质去除机理进行了初步探究,研究结果表明:在两步金属辅助刻蚀的过程中刻蚀时间的延长能够有效的提高杂质的去除效率,在2h的刻蚀后杂质的去除率能够分别达到Fe:99.12％,Al:86.98％,Ca:68.21％,Ti:85.18％,B:46.5％,P:50.92％,为实现短流程湿法处理直接获得纯度接近太阳能级硅要求的产品提供了一定依据.