机译:通过光辅助电化学刻蚀形成具有改善的结构可控性的GaN多孔结构
Hokkaido Univ, Res Ctr Integrated Quantum Elect, Sapporo, Hokkaido 0608628, Japan;
机译:在通过电化学和光电化学蚀刻相结合的多孔GaN模板上生长的GaN膜和GaN / InGaN发光二极管的电学和结构特性
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机译:在不同刻蚀时间下通过电化学刻蚀制备的纳米结构多孔硅的表面和整体结构性质
机译:光电化学阳极蚀刻蚀刻时间对P型多孔硅纳米结构表面结构性能的影响
机译:光伏和超级电容器应用无毒电化学刻蚀控制多孔硅的孔特性
机译:丝绸的纳米级控制以改善多孔结构的纳米纤维支架的形成。
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机译:在KOH中UV光辅助蚀刻GaN;电子材料学报