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多孔硅

多孔硅的相关文献在1987年到2022年内共计1790篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、物理学、化学 等领域,其中期刊论文813篇、会议论文90篇、专利文献159349篇;相关期刊272种,包括新疆大学学报(自然科学版)、材料导报、功能材料等; 相关会议71种,包括第十八届全国高技术陶瓷学术年会、2010年第九届中国国际纳米科技(西安)研讨会、第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会等;多孔硅的相关文献由3222位作者贡献,包括胡明、贾振红、李清山等。

多孔硅—发文量

期刊论文>

论文:813 占比:0.51%

会议论文>

论文:90 占比:0.06%

专利文献>

论文:159349 占比:99.44%

总计:160252篇

多孔硅—发文趋势图

多孔硅

-研究学者

  • 胡明
  • 贾振红
  • 李清山
  • 杨德仁
  • 龙永福
  • 吕小毅
  • 黎学明
  • 刘理天
  • 李绍元
  • 马文会
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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作者

    • 张欢; 马晶晶; 韩世星; 韩瑾; 张远; 许光日
    • 摘要: 通过冷冻干燥与镁热还原相结合的简单方法,设计制备了一种新型硅基/石墨烯复合材料(HD-P-Si/GS).通过X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜研究了HD-P-Si/GS的物相组成、表面形貌及微观结构,并系统分析了HD-P-Si/GS的电化学性能.结果表明:多孔纳米硅高度分散在三维石墨烯导电网络中,这种石墨烯包覆多孔硅结构的设计能够有效缓解硅体积变化引起的过度应力,并为电子传输提供三维通道,提高复合材料的电导率.将HD-P-Si/GS复合材料用作锂离子电池负极获得了良好的循环稳定性及倍率性能.在1000 mA/g的高电流密度下,HD-P-Si/GS负极经过200次循环后仍可提供约703 mAh/g的高可逆比容量.
    • 郭致昂; 唐博; 范保艳; 张均; 望军; 邢安; 刘晓燕
    • 摘要: 硅材料因其超高的理论比容量、较低的放电电压及锂离子扩散势垒,成为最有发展前景的高容量锂离子电池负极材料之一。然而,硅负极在充放电过程中会引起巨大的体积膨胀,严重影响其电化学性能。设计具有纳米尺寸和多孔结构的硅负极材料是实现高容量硅负极的有效途径。但目前大多数的制备方法通常工艺复杂、成本高、产率低,限制了其商业应用。因此,采用低成本的方法实现优异电化学性能的多孔纳米硅材料的大规模制备成为了关键。综述了低成本的二氧化硅源镁热还原制备锂离子电池纳米多孔硅负极材料的研究进展,并对硅负极材料未来的商业化应用进行了展望,将为低成本制备锂离子电池纳米多孔硅负极材料的研究提供有用的资料。
    • 段烁; 占可; 宫智勇; 陈季旺
    • 摘要: 本文制作了氨基化多孔硅电极,并通过XRD、SEM和红外光谱等技术对电极进行表征与测试。结果显示,氨基化多孔硅成功的负载在导电玻璃上,并形成了多孔电极。本文进一步将其应用于三种不同尺寸(4nm、7nm和32nm)的纳米银的电化学研究。结果表明,由于氨基基团对银的富集作用和孔道结构对银的尺寸选择作用,氨基化多孔硅电极能排除较大尺寸纳米银的干扰,而选择性检测较小尺寸的纳米银。在含有较高浓度7nm和32nm的纳米银的模拟溶液中,对电极的分析性能进行测试。结果显示,电极对4nm纳米银的检测回收率为100.9-103%。且单电极重复测试和多电极平行测试得到的相对标准偏差分别为3.3%和2.4%。实验结果表明,本文所制备的电极具备良好的分析性能,可用于不同尺寸纳米银的选择性电化学检测。
    • 杜冀川; 严达利; 夏曙光; 范琳; 李申予
    • 摘要: 为研究氧化亚铜/多孔硅(CuO/PS)复合材料的制备及其电化学性能,以沉积时间为变量,采用电化学沉积法在p型多孔硅(PS)上沉积不同含量的氧化亚铜,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)表征CuO/PS复合材料样品的形貌和结构,利用电化学工作站进行循环伏安(CV)、恒流充放电(CP)和交流阻抗(IMP)等电化学性能测试,采用BET测试法表征样品的比表面积.结果表明:CuO晶粒在多孔硅的孔壁和表层沿(111)和(200)晶面择优生长,随着沉积时间的增加,CuO晶粒聚集成珊瑚状.复合材料展现出良好的电化学性能,当充电电流为0.01 mA时,沉积时间为90 min的复合材料样品的比容量为1 149 mF/g,约为多孔硅的26倍.
    • 李芮; 陈煜; 丁能文; 李之锋; 李小成
    • 摘要: 具有高能量密度的硅材料是锂离子电池负极的优选材料之一。但是,低电导率和在充放电过程中伴随的巨大体积变化而导致循环过程中容量迅速衰减,阻碍了硅材料商业化。本文以商业化的铝硅合金为硅源,通过冷冻干燥方法将氧化石墨烯(GO)包覆在其表面,制备了微米级的多孔硅(PSi)与GO的复合材料PSi@GO。该复合材料核层多孔硅内部丰富的孔隙提供充足的空间以适应硅的体积变化,外层的氧化石墨烯可以加速离子和电子传输,并再次缓冲硅的体积变化,从而可以有效地改善硅负极的循环稳定性和倍率性能。研究结果表明,电流密度为500 mA/g时,PSi@GO-2(PSi与GO质量比为10∶5)复合电极材料循环100次后,比容量仍可达到1275 mAh/g;在电流密度为4 A/g时,该复合材料也可达到980 mAh/g的高比容量。该PSi@GO-2复合材料显示了优异的倍率性能,具有良好的应用前景。
    • 兰慧琴
    • 摘要: 以提升硅的发光性能为目的,研究多孔硅掺杂的光学薄膜制备及发光性能。利用化学水沉积法,在多孔硅内掺杂硫化镉(CdS)金属,制备多孔硅掺杂的光学薄膜,并利用量子限制模型研究多孔硅掺杂的光学薄膜发光机理。通过光致发光测试仪与荧光/磷光分光光度计分析薄膜发光性能。结果显示:未进行金属掺杂的多孔硅内空隙较多,多孔硅掺杂的光学薄膜内空隙较小,空隙率随腐蚀处理时间延长逐渐下降。
    • 牟奕轩; 简燕; 陈金; 黎学明
    • 摘要: 近年来金属辅助化学腐蚀法制备多孔硅逐渐成为研究热点,但该方法存在金属颗粒易团聚、引入模板辅助刻蚀成本高昂等突出问题.为了优化多孔硅的制备技术,降低制备成本,本文研究了基于金颗粒辅助化学腐蚀的多孔硅制备方法.首先采用氯金酸还原法制备了粒径从18~80 nm的带负电荷金颗粒,3-氨基丙基三乙氧基硅烷修饰可以使单晶硅表面带正电荷,通过静电吸附实现了金在硅基底表面均匀、独立的沉积.在含H2 O2和HF的刻蚀液中,硅基底被蚀刻成规则的孔状,多孔硅产物膜厚在添加N,N-二甲基乙酰胺作为表面活性剂时达到44.45μm.此外,刻蚀液组成为ρ=70%(ρ=[HF]/([HF]+[H2O2]))时多孔硅刻蚀速率达到1.23μm/min,对应的多孔硅/高氯酸钠复合含能材料爆炸光强最大,DSC放热量为1636 J/g.
    • 何蕾
    • 摘要: 为制做一种低成本、易标记、稳定性好、灵敏度高的生物传感器,本文制备了一种具有较强荧光信号及生物兼容性的多孔硅生物传感器材料,利用纳米金的等离子体效应增强多孔硅中荧光标记物的荧光信号,在纳米金修饰的多孔硅中采用罗丹明6G荧光标记法对生物分子进行检测.通过链接生物荧光探针后荧光信号强度的变化实现生物浓度检测,其检测极限为121 nM,对生物大分子成功实现了低成本、易标记、稳定性好、灵敏度高的检测.
    • 柏凌鸿; 白玉婷; 雷霆
    • 摘要: 以铝硅合金(AlSi)粉末为原料,采用脱合金法获得多孔硅(porous silicon,P-Si)微球.再采用原位化学聚合法在P-Si微球表面包覆聚吡咯(PPy),得到PPy包覆的P-Si微球(P-Si@PPy),最后将P-Si@PPy置于Ar气氛中在800°C下煅烧3 h得到氮掺杂碳包覆多孔硅(nitrogen-doped carbon-coated porous silicon,P-Si@NC)微球.利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)以及电化学测试等手段对材料的形貌、结构及电化学性能进行表征.结果表明,多孔硅微球直径在1μm左右,氮掺杂碳层的厚度约为18 nm.将P-Si@NC复合材料应用于锂离子电池负极,在0.1 A/g电流密度下首次放电比容量高达2609.2 mAh/g,首次库伦效率达87.52%,充放电循环50次后放电比容量仍能达到1574.8 mAh/g,展示出优异的电化学性能.P-Si@NC微球的多孔结构为嵌/脱锂过程中硅的膨胀/收缩提供了缓冲空间,氮掺杂碳层既作为保护层维持颗粒的完整性,又加速了锂离子和电子转移.
    • 孙斌; 蔡晓兰; 姚耀春; 周蕾; 王磊; 吴少鹏; 朱晓蒙; 栗文浩
    • 摘要: 为解决锂离子电池石墨负极材料充放电效率低的问题,采用成本低廉的人造石墨,并掺杂微纳米多孔Si-Ag颗粒来改善石墨的导电性及提高充放电效率,利用化学刻蚀法制备了微纳米多孔Si-Ag粉体,并将70%人造石墨与30%的多孔Si-Ag粉体球磨形成夹层式复合结构。采用SEM、TEM、XRD及电池测试系统对多孔Si-Ag粉体材料进行表征和测试。结果表明:硅颗粒经高能球磨后粒径可达720 nm左右;在80°C刻蚀条件下,得到的微纳米多孔Si-Ag负极材料充放电比容量为2163.28 mAh/g;掺杂多孔Si-Ag颗粒后的石墨负极首次充放电比容量为1227.966 mAh/g,比纯石墨负极材料提高了341.1%;在0.2 C(1 C=1500 mA/g)的电流密度下,循环100次后容量保持率为59.72%。
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