量子限制效应
量子限制效应的相关文献在1994年到2018年内共计94篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、物理学、化学
等领域,其中期刊论文87篇、会议论文7篇、专利文献73563篇;相关期刊56种,包括材料导报、光学精密工程、无机材料学报等;
相关会议7种,包括2012年第十六届华东六省一市物理学会联合年会、第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议、陕西省物理学会2009年学术年会等;量子限制效应的相关文献由268位作者贡献,包括郑卫民、徐明、于威等。
量子限制效应—发文量
专利文献>
论文:73563篇
占比:99.87%
总计:73657篇
量子限制效应
-研究学者
- 郑卫民
- 徐明
- 于威
- 刘静
- 初宁宁
- 宋迎新
- 彭英才
- 李清山
- 李素梅
- 马蕾
- 刘益春
- 吕有明
- 吕英波
- 周张凯
- 唐洁影
- 宋浩
- 宋淑梅
- 张吉英
- 张振中
- 张树霖
- 张楷亮
- 徐骏
- 李云
- 李敏
- 汪开源
- 沈桂芬
- 潘洪哲
- 王爱芳
- 王颖
- 申德振
- 申继伟
- 石明吉
- 翟月英
- 耿新华
- 苏雄睿
- 范希武
- 袁育杰
- 郭亨群
- 陈坤基
- 陈家荣
- 陶琳
- 高东泽
- 魏屹
- 魏臻
- 黄伟其
- Anees A.Ansari
- Celso de Mello Donega1
- LI ZunChao
- LIU LinLin
- M.A.M.Khan
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李云;
张博惠;
高东泽;
丛日东;
于威;
路万兵
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摘要:
为了研究硅量子点薄膜在太阳电池中的应用,本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,低温制备了镶嵌有纳米晶硅(nc-Si)的纳米硅氧多层(nc-SiOx/a-SiOx)薄膜样品。TEM图显示,通过调整nc-SiOx层的厚度,实现了薄膜多层结构的低温调控。利用拉曼散射光谱(Raman)、紫外可见透射光谱以及稳/瞬态光致发光(PL)谱等检测手段对薄膜的微观结构、能带特征以及发光特性进行了分析。光吸收谱分析表明,nc-Si粒子尺寸及其a-SiOx边界层共同影响薄膜的光学带隙。稳/瞬态PL谱分析表明,多层结构发光表现为一个固定于1.19eV附近的发光峰和一个随nc-SiOx层厚度增加而发生红移的发光峰,其中固定发光峰归因于非晶SiOx网络中缺陷发光,发光衰减寿命约在4.6μs,峰位可调的发光峰为nc-Si量子限制效应-缺陷态复合发光,对应两个发光衰减过程,其中慢发光衰减寿命随nc-SiOx层厚度增加由9.9μs增加到16.5μs,快发光衰减过程基本保持不变。低温PL谱的温度依赖特性进一步表明,薄膜样品的发光主要表现为nc-Si的量子限制效应发光。
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李晓苇;
李云;
郑燕;
高东泽;
于威
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摘要:
A series of nc-SiOx∶H films were prepared by Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (VHF-PECVD), for the properties study of nanocrystalline silicon oxide films in silicon heterojunction solar cells.The microstructure, bonding configuration, band characteristics and photoluminescence properties of the films were characterized by Raman scattering spectra (Raman), Fourier transform infrared spectra (FTIR), UV-VIs transmission spectra and steady/transient state photoluminescence spectra (PL), respectively.Raman analysis shows that the film structure changes from microcrystalline to amorphous with the increasing of oxygen content.The films proves to have better ordered and denser structure in the phase transformation zone, where the crystallization degree is about 10% and nc-Si particles is about 3 nm.The steady/transient photoluminescence (PL) analysis shows that certain amount of oxygen could passivate defects, thus enhancing the photoluminescence.The highest luminescence intensity was achieved in the phase transformation zone.It indicated that stronger quantum confinement effect PL induced by the smaller nc-Si particles should be the main carrier recombination mechanism.%为了研究硅异质结太阳电池中纳米硅氧薄膜的光电特性,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了一系列不同晶态比例的nc-SiOx∶H薄膜,利用拉曼散射光谱(Raman)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、紫外可见透射光谱以及稳/瞬态光致发光谱等检测手段分别对薄膜的微观结构、键合配置,能带特征以及发光特性进行了表征.薄膜结构特征分析显示,随着氧掺入量的增加,薄膜由微晶向非晶转化,光学带隙逐渐增加,而处在相变区(晶化度约为10%,nc-Si尺寸约为3 nm)的薄膜具有较高的中程有序度、较小的结构因子和较为致密的微观结构.薄膜稳/瞬态光致发光结果显示,一定量的氧掺入可以钝化缺陷、增强发光,而相变区薄膜的发光强度最大,表明较小尺寸的nc-Si具有较强的量子限制效应,nc-Si的量子限制效应发光是主要的载流子复合机制.
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郝艳玲;
张星
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摘要:
采用不同浓度的硝酸回流活性炭制备了3种碳量子点,其光致发光谱具有明显的双重发射结构,蓝光发射部分随激发波长的改变不移动,而长波发射部分随激发波长的改变明显移动.根据活性炭的微观结构分析了碳量子点的形成机制;通过详细的形貌和谱学表征,分析了碳量子点蓝光发射部分和长波发射部分的荧光起源.%Three kinds of carbon quantum dots(CQDs) are prepared by refluxing activated carbon in HNO3 with different concentration.The photoluminescence(PL) spectra of the CQDs shows obvious dual emission structure,that is,the blue emission does not move with the change of the excitation wavelength,but the long wavelength emission moves obviously.According to the micro structure of active carbon,the formation mechanism of CQDs is presented.Then,through detailed morphology and spectroscopy characterization,the origins of the blue emission and the long wavelength emission are analyzed.
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申继伟;
罗为;
杜锦丽
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摘要:
采用射频磁控反应溅射技术制备了a-Si/SiNx超品格材料,并采用热退火技术对材料进行处理.利用吸收光谱和X射线衍射谱对材料进行表征,结果表明Si层呈现非晶态.为研究材料的三阶非线性光学特性,对材料进行Z扫描研究,测量数据表明,材料的非线性吸收为反饱和吸收,材料非线性折射率呈现为负值,该材料的x(3)的实部为4.57 ×10-17 C(1.39×10-7 esu),虚部为1.49×10-17 C(4.48 ×10-8 esu),该极化率数值比体硅材料的x(3)值大5个数量级.对该材料非线性光学产生的机理进行了研究,认为材料体现出的较强的量子限制效应是非线性极化率增强的主要来源.
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易有根;
王瑜英;
胡奇峰;
张彦彬;
彭勇宜;
雷红文;
彭丽萍;
王雪敏;
吴卫东
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摘要:
采用激光分子束外延方法在Al2O3 (0001)单晶衬底上进行了Zn1-xCdxO/ZnO单量子阱结构的生长,通过控制基底温度、氧气分压等,获得了阱宽约为1.0,1.5和4.0 nm的单量子阱结构,研究了量子阱组分、表面形貌、荧光发射特性.结果表明,通过脉冲激光烧蚀陶瓷靶的方法获得的Zn1-xCdxO中Cd含量x约为2%,外延膜表面平整均匀,界面质量良好,在325 nm He-Cd激光激发下,获得了非常强的光致荧光发射,1.0 nm量子阱结构荧光发射峰半高宽达到60 meV,通过量子阱宽度的调控,量子阱的发射峰从3.219 eV红移到3.158 eV,且随着阱宽的增加,量子限制效应变弱(阱宽4.0 nm样品),通过生长温度、气压条件的控制,量子阱的缺陷密度可控制在较低水平.
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信红强;
侯新刚;
韩修训
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摘要:
采用液相剥离法剥离MoS2块体材料,通过选择合适的剥离剂、超声时间、超声功率得到含有不同尺寸且分散均匀的MoS2混合纳米薄片悬浮溶液.在360 nm光激发下,这种悬浮液表现出单层MoS2及小尺寸MoS2纳米颗粒的复合发光特征.与微机械剥离得到的单层MoS2的发光特性相比,这种液相法得到的混合纳米薄片在512 nm处的最强发光峰位发生明显蓝移.混合纳米薄片在横向尺度上所产生的量子限制效应可能是导致该峰位蓝移的主要原因.
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尹君;
黄伟其;
黄忠梅;
苗信建;
刘仁举;
周年杰
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摘要:
将纳米硅薄膜看成理想的一维限制的量子面结构,通过第一性原理计算研究了不同厚度的硅(111)量子面的能带结构及态密度。随着量子面厚度的变化,在 Si-H 键钝化较好的量子面结构上,其带隙宽度变化主要遵循量子限制效应规律。当在表面掺杂时,模拟计算表面含 Si-N 键的硅(111)量子面的结果表明:在一定厚度范围内,带隙宽度主要由量子限制效应决定;超过这个厚度,带隙宽度同时受量子限制效应和表面键合结构的影响。保持量子面厚度不变,表面掺杂浓度越大则带隙变窄效应越明显。同样,模拟计算含 Si-Yb 键的硅(111)量子面的结果也有同样的效应。几乎所有的模拟计算结果都显示:量子面的能带结构均呈现出准直接带隙特征。%We regard the nanocrystalline silicon films as an ideal one-dimensional quantum limiting surface structure, and study the band structure and density of states of the different thickness silicon (111) quantum surface by the first-principles calculation. As the change of the thickness of the quantum surface well passivated by Si-H bond, the band gap mainly follow the quantum confine-ment effect. When the silicon (111) quantum surface contains Si-N bond, the simulated results show that the band gap is mainly determined by the quantum confinement effect in a certain range of thickness, but beyond the thickness, the band gap is determined by both the quantum confinement effect and bond structure. While maintaining a constant thickness, the greater doping concentration of the quantum surface, the more obvious the band gap narrowing effect. Similarly, the simulated result of silicon (111) quantum surface which contain Si-Yb has the same effect. It is worth noting that almost all of the simulated results show that the band structures of the quantum surface show quasi-direct band gap characteristics.
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马蕾;
蒋冰;
陈乙豪;
沈波;
彭英才
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摘要:
利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了α-Si:H/α-SiC:H多层膜结构,并在900-1000◦C下进行了高温退火处理,获得了尺寸可控的nc-Si:H/α-SiC:H多层膜样品。 Raman测量表明,900◦C以上的退火温度可以使α-Si:H层发生限制晶化。透射电子显微镜照片显示出α-Si:H层中形成的Si纳米晶粒的纵向尺寸被α-SiC:H层所限制,而与α-Si:H层的厚度相当,晶粒的择优取向是⟨111⟩晶向。傅里叶变换红外吸收谱则清楚地显示出,高温退火导致多层膜中的H原子大量逸出,以及α-SiC:H层中有更多的Si-C 形成。对nc-Si:H/α-SiC:H多层膜吸收系数的测量证明,多层膜的吸收主要由nc-Si:H层支配,随着Si 晶粒尺寸减小,多层膜的光学带隙增大,吸收系数降低。而当nc-Si:H层厚度不变时,α-SiC:H层厚度变化则不会引起多层膜吸收系数以及光学带隙的改变。%Nanocrystalline silicon nc-Si:H/SiC:H multilayers were fabricated by thermal annealing of the hydrogenated amor-phous Si α-Si:H/hydrogenated amorphous silicon carbide α-SiC:H stacked structures prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system at 900—1000 ◦C. The microstructures of annealed samples were investigat-ed by Raman scattering, cross-section transmission electron microscopy (TEM), and Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy. Results demonstrate that the size of Si grains formed can be controlled by theα-Si:H layer thickness and annealing temperature. Optical absorption measurements show that the optical bandgap of the multilayered structures increases and the absorption coefficient decreases with diminishing Si grain size. However, the absorption coefficient and the optical bandgap of the multilayers are not influenced by the α-SiC:H layer thickness when the size of Si grains is kept constant.
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聂天晓;
唐建石;
赵巍胜;
王康隆
- 《第十二届全国分子束外延学术会议》
| 2017年
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摘要:
铁磁半导体作为既能够利用磁矩来进行信息存储,也能够利用电荷运动进行信息处理的特殊材料,一直是半导体领域的一个研究热点.对铁磁半导体的研究,涉及多种半导体材料,包括IV族材料,Ⅲ-Ⅵ族材料,Ⅱ-Ⅶ族材料等.相比之下,IV族铁磁半导体材料有着独特的优势:与硅基集成电路有着良好的的兼容性;其有着潜在的高居里温度.为了解决上述难点,我们系统的进行了分子束外延制备MnGe 纳米结构研究。从零维量子点,到一维纳米线,再到二维纳米网结构,成功的实现了无磁性金属化合物产生的高质量MnGe铁磁半导体材料。通过利用量子限制效应以及尺寸效应,实现了室温的居里温度,并成功的实现了电场可控的铁磁特性,以及磁阻调控。这为未来实现电场可控的磁性存储器,磁性探头和自旋场效应晶体管等自旋电子器件奠定了基础。
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吴学科;
黄伟其
- 《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会》
| 2017年
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摘要:
近年来,在研究硅和锗的发光特性时发现,低维纳米结构能使其能带发生变化并带来很强的PL发光,同时出现了大量关于硅锗低维纳米结构能带转换的理论研究.本文采用第一性原理,对硅和锗的一维纳米线、二维纳米薄膜进行系统的计算,展现硅和锗低维纳米结构的能带变化规律及其原因.通过计算发现,硅锗低维纳米结构的能带结构转换主要与硅(100)晶向和锗(111)晶向受限有关,而与硅(111)晶向和锗(110)晶向受限无关;硅(110)晶向和锗(100)晶向限制到厚度较小(几个原子层厚度)时,低维结构能隙可转化为直接带隙结构;硅(100)晶向和锗(111)晶向受限,在计算的厚度范围(小于7nm)内能隙可转化为直接带隙结构。硅锗低维纳米结构三个取向上受限的能带结构变化是不一样的,其物理机制很有趣。他们的能隙随受限方向尺寸的变化却基本相同,都遵循量子限制效应。
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曾湘波;
李志刚;
刁宏伟;
郝会颖;
石明吉;
许颖;
孔光临;
廖显伯
- 《第九届中国太阳能光伏会议》
| 2006年
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摘要:
本文报道在高氢稀释(RH=100)和低衬底温度(Ts=50~150°C)条件下,用PECVD制备得到纳米硅(nc-Si)薄膜,纳米硅(nc-Si)薄膜微结构、光学性质和电学性质分别由高分辨透射电镜(HRTEM)、喇曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)、透射谱,激活能测试表征.测试结果表明镶嵌于非晶硅基体中的纳米晶粒尺寸为2~100nm,量子限制效应使带隙可达1.84eV.将纳米硅薄膜用作nip太阳电池的p层,经过电池结构和工艺条件的优化设计,制备出了ss:a-Si/i:a-Si/p:nc-Si/ITO结构的nip太阳电池.电池开路电压(Voc)达0.94V.
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