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一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器

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摘要

本发明公开一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器，包括由多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构，以及在该结构两端进行耦合的硅棱镜，所述多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构通过脉冲电化学腐蚀方法制备，其中硅的折射率n

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-05

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N21/41 申请公布日:20161214 申请日:20160706

发明专利申请公布后的视为撤回
2017-01-11

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/41 申请日:20160706

实质审查的生效
2016-12-14

公开

公开

1. 一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器 [P] . 中国专利： CN106226268A . 2016-12-14
2. 一种基于光纤谐振腔的倏逝波型光声光谱微量气体传感器及测量方法 [P] . 中国专利： CN105548023A . 2016-05-04
3. Structural body used in a mass flow sensor or sensor or actuator component comprises a porous region delimited by a material acting as a porous stop during the conversion of silicon into porous silicon or porous silicon oxide [P] . 德国专利： DE10259176A1 . 2004-02-05

机译：质量流量传感器或传感器或执行器组件中使用的结构体包括一个多孔区域，该区域由在将硅转换为多孔硅或多孔氧化硅过程中充当多孔停止层的材料界定
4. METHOD OF MANUFACTURING A BRAGG STACK REFLECTION POROUS SILICON FILM AND EXPLOSIVES CHEMICAL SENSOR BASED ON THE BRAGG STACK REFLECTION POROUS SILICON FILM [P] . 韩国专利： KR102170809B1 . 2020-10-27

机译：基于布拉格堆栈反射多孔硅膜的布拉格层反射多孔硅膜的制造方法及炸药化学传感器
5. METHOD OF MANUFACTURING A BRAGG STACK REFLECTION POROUS SILICON FILM AND EXPLOSIVES CHEMICAL SENSOR BASED ON THE BRAGG STACK REFLECTION POROUS SILICON FILM [P] . 韩国专利： KR20200042190A . 2020-04-23

机译：基于布拉格堆栈反射多孔硅膜的布拉格层反射多孔硅膜的制造方法及炸药化学传感器