具有嵌入式纳米级结构的光子器件

摘要

本发明涉及一种制造发光装置的方法。该方法包括在衬底上方形成第一III-V族化合物层。该第一III-V族化合物层具有第一导电类型。在第一III-V族化合物层上方形成多量子阱(MQW)层。然后在该MQW层上方形成第二III-V族化合物层。该第二III-V族化合物层具有与第一导电类型不同的第二导电类型。此后，在第二III-V族化合物层上方形成多个导电元件。然后在第二III-V族化合物层上方以及在导电元件上方形成反光层。导电元件每一个都比反光层具有更好的粘着特性和导电特性。本发明提供了具有嵌入式纳米级结构的光子器件。