机译:电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)的多晶金刚石表面形貌演变
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机译:表面形变引起的电感耦合等离子体刻蚀熔融石英表面纳米形貌的两阶段时间演化
机译:通过使用电感耦合等离子体蚀刻将衍射光学元件转移到GaAs中,以与垂直腔面发射激光器集成
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:高密度平面电感耦合BCL3 / SF6PLASMA中的Algaas和Ingap半导体选择性蚀刻GaAs和InGap半导体的研究
机译:在BCl(3)基化学中的III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分:Inp,InGaas,InGaasp,Inas和allnas;应用表面科学