一种高选择比硅膜腐蚀技术研究

摘要

在半导体集成电路制造工艺中，硅膜自停止化学腐蚀有着广泛的应用，可用于形成特殊的微结构器件及晶圆腐蚀的自停止控制。当氢氟酸、硝酸、冰乙酸的比例为x：1：y；x／y〈0．28，且x,y均大于1，小于10时，采用槽底通氮气循环和降温冷却方式，对P＋层和P-层进行高选择比腐蚀，就可以得到精确可控的P-层厚度。目前该工艺技术已应用于硅器件工艺加工的湿法腐蚀中。