一种高选择比硅腐蚀液及其使用方法

摘要

一种高选择比硅腐蚀液及其使用方法，属于半导体芯片加工制造领域，本发明提出了一种高选择比硅腐蚀液，在室温下将浓度为49％的氢氟酸、浓度为70％的硝酸与浓度为100％的醋酸按照1:3:4的体积比混合，将具有外延层的硅片置于硅腐蚀装置中，所述外延层由掺杂浓度不同的上下两层掺杂层构成，且上层掺杂层的掺杂浓度大于下层掺杂层的掺杂浓度，以600rpm～1000rpm的速度旋转所述硅片，同时利用喷头将硅腐蚀液以0.8L/min～1.0L/min的流量均匀喷洒于硅片上表面，直至上层掺杂层全部刻蚀并终止在下层掺杂层的上表面，实现对硅的均匀刻蚀和终点控制。