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25-33GHz单片低噪声放大器的研制

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我们设计制作的25-33GHz单片低噪声放大器,采用电子束制作0.20μm"T"型栅,在频带内的噪声系数小于2.3dB,小信号增益大于15dB,增益平坦度小于±0.5dB,输入和输出驻波比分别小于2,芯片尺寸为3.0×1.9×O.1mm3,微波性能与国外同类产品水平相当.

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来源
《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》|2005年|434-438|共5页
会议地点长沙
作者
王民娟;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类低噪声放大器;
关键词
低噪声放大器; T型栅; 电子束;
入库时间 2022-08-17 10:49:46

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