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李佳; 梁静秋; 金霞; 孔庆峰; 侯凤杰; 王维彪;
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室;
GaAs; 发光二极管阵列; 高深宽比结构; 湿法腐蚀;
机译:浅沟槽隔离的凹入表面几何形状对接触蚀刻停止衬层和Ge基应力源应变的纳米级器件的阵列类型排列的影响
机译:高分辨率X射线衍射作为研究由氧化物填充沟槽的周期性阵列隔离的亚微米Si线中局部应力演变的工具
机译:浅沟槽隔离和衰减器对双栅LDMOS器件性能的影响
机译:低于0.25 / splμm/ m CMOS器件的浅沟槽隔离中的沟槽侧壁界面陷阱对结漏电流特性的影响
机译:衬底结晶度控制硅半导体中高集成度器件隔离特性的研究
机译:沟槽隔离式晶圆互连与2D电容式微机械超声换能器阵列的集成
机译:完全消耗硬质合金(C3)介质隔离工艺制备si器件的电学特性
机译:具有同时形成的隔离沟槽和近接通道阵列沟槽的半导体器件及其制造方法
机译:形成包括沟槽的沟槽隔离集成电路器件的方法以及如此形成的沟槽隔离集成电路器件
机译:沟槽隔离的方法,使用该沟槽隔离的方法形成栅极结构的方法以及使用该沟槽隔离的方法形成非易失性存储器件的方法
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