浅沟槽隔离结构阵列、半导体器件结构

摘要

本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构、半导体器件，隔离结构包括：半导体衬底，具有平行等间距排布的第一沟槽及阵列排布的第二沟槽，还包括阵列排布的有源区，每行有源区与第一沟槽交替间隔排布，第二沟槽位于每行有源区构成的间隙之间，还具有第一辅助凹槽及第二辅助凹槽，第一辅助凹槽位于第二沟槽及相邻第一沟槽下方，与第一、第二沟槽构成第一浅沟槽隔离结构；第二辅助凹槽位于相邻第一辅助凹槽间的第一沟槽下方，与第一沟槽构成第二浅沟槽隔离结构。通过上述方案，本实用新型改善FIN结构的不对称性，使器件结构在相邻的浅沟槽隔离结构之间形成有相同的深度，改善了电场强度的差异问题，改善填充材料时导致填充层内部出现填充孔洞的现象。